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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FR2000045A1
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A1
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19690829
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claim
|
claims
| 1
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§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un laminage à chaud, sont soumis à un laminage à froid 5 caractérisé en ce que le laminage à froid est réalisé en une ou plusieurs passes en assurant un écrouissage global de 5 à 10%.\n<CLM>\1\tProcédé selon 1 caractérisé en ce que Se matériau est soumis à un écrouissage à froid, dans une gamme de 5 à 10%, et à une température élevée de 100 à 400°C . 10\n<CLM>\1\tProcédé selon 1 caractérisé en ce que la matériau déformé à froid en ménageant un écrouissage de 5 à 10%, est soumis à un traitement de recuit à une température de 300 à 400°C. BAD ORIGINAL
| 855
|
§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un laminage à chaud, sont soumis à un laminage à froid 5 caractérisé en ce que le laminage à froid est réalisé en une ou plusieurs passes en assurant un écrouissage global de 5 à 10%.\n<CLM>\1\tProcédé selon 1 caractérisé en ce que Se matériau est soumis à un écrouissage à froid, dans une gamme de 5 à 10%, et à une température élevée de 100 à 400°C . 10\n<CLM>\1\tProcédé selon 1 caractérisé en ce que la matériau déformé à froid en ménageant un écrouissage de 5 à 10%, est soumis à un traitement de recuit à une température de 300 à 400°C. BAD ORIGINAL
| 855
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§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcess of manufacture, starting from carbon steel and alloy steels, of sheets, bars and profiles with a high thickness, a high yield strength limit, and a Re/Rm ratio between 0.80 and 0.95, and which, after hot rolling, are subjected to a cold rolling process characterized in that the cold rolling is carried out in one or more passes ensuring a total elongation of 5 to 10%. \n<CLM>\1\tProcess according to 1 characterized in that the material is subjected to cold rolling, in a range of 5 to 10%, and at a high temperature of 100 to 400°C. 10\n<CLM>\1\tProcess according to 1 characterized in that the deformed material, with a cold rolling of 5 to 10%, is subjected to a recovery treatment at a temperature of 300 to 400°C. BAD ORIGINAL
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Translate FR->EN:
§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un laminage à chaud, sont soumis à un laminage à froid 5 caractérisé en ce que le laminage à froid est réalisé en une ou plusieurs passes en assurant un écrouissage global de 5 à 10%.\n<CLM>\1\tProcédé selon 1 caractérisé en ce que Se matériau est soumis à un écrouissage à froid, dans une gamme de 5 à 10%, et à une température élevée de 100 à 400°C . 10\n<CLM>\1\tProcédé selon 1 caractérisé en ce que la matériau déformé à froid en ménageant un écrouissage de 5 à 10%, est soumis à un traitement de recuit à une température de 300 à 400°C. BAD ORIGINAL
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§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcess of manufacture, starting from carbon steel and alloy steels, of sheets, bars and profiles with a high thickness, a high yield strength limit, and a Re/Rm ratio between 0.80 and 0.95, and which, after hot rolling, are subjected to a cold rolling process characterized in that the cold rolling is carried out in one or more passes ensuring a total elongation of 5 to 10%. \n<CLM>\1\tProcess according to 1 characterized in that the material is subjected to cold rolling, in a range of 5 to 10%, and at a high temperature of 100 to 400°C. 10\n<CLM>\1\tProcess according to 1 characterized in that the deformed material, with a cold rolling of 5 to 10%, is subjected to a recovery treatment at a temperature of 300 to 400°C. BAD ORIGINAL
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<|BOS|>Translate FR->EN:
§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un laminage à chaud, sont soumis à un laminage à froid 5 caractérisé en ce que le laminage à froid est réalisé en une ou plusieurs passes en assurant un écrouissage global de 5 à 10%.\n<CLM>\1\tProcédé selon 1 caractérisé en ce que Se matériau est soumis à un écrouissage à froid, dans une gamme de 5 à 10%, et à une température élevée de 100 à 400°C . 10\n<CLM>\1\tProcédé selon 1 caractérisé en ce que la matériau déformé à froid en ménageant un écrouissage de 5 à 10%, est soumis à un traitement de recuit à une température de 300 à 400°C. BAD ORIGINAL<|EOS|><|BOS|>§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcess of manufacture, starting from carbon steel and alloy steels, of sheets, bars and profiles with a high thickness, a high yield strength limit, and a Re/Rm ratio between 0.80 and 0.95, and which, after hot rolling, are subjected to a cold rolling process characterized in that the cold rolling is carried out in one or more passes ensuring a total elongation of 5 to 10%. \n<CLM>\1\tProcess according to 1 characterized in that the material is subjected to cold rolling, in a range of 5 to 10%, and at a high temperature of 100 to 400°C. 10\n<CLM>\1\tProcess according to 1 characterized in that the deformed material, with a cold rolling of 5 to 10%, is subjected to a recovery treatment at a temperature of 300 to 400°C. BAD ORIGINAL<|EOS|>
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§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcess of manufacture, starting from carbon steel and alloy steels, of sheets, bars and profiles with a high thickness, a high yield strength limit, and a Re/Rm ratio between 0.80 and 0.95, and which, after hot rolling, are subjected to a cold rolling process characterized in that the cold rolling is carried out in one or more passes ensuring a total elongation of 5 to 10%. \n<CLM>\1\tProcess according to 1 characterized in that the material is subjected to cold rolling, in a range of 5 to 10%, and at a high temperature of 100 to 400°C. 10\n<CLM>\1\tProcess according to 1 characterized in that the deformed material, with a cold rolling of 5 to 10%, is subjected to a recovery treatment at a temperature of 300 to 400°C. BAD ORIGINAL <<<ENDTR>>>
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FR2001197A1
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A1
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19690926
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claim
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claims
| 1
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R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de sorte qutune sortie redressée puisse apparat- tre entre les plaques formant bornes quand les phases de l'alimen- tation sont reliées aux plaques de phase, ce redresseur étant caractérisé en ce que chaque diode comprend deux cuvettes conductrices entre lesquelles est disposée une pastille semi-conductrice, les cuvettes étant isolées l'une de l'autre, chaque diode étant supportée par et connectée à deux plaques grâce à des saillies sur les plaques qui s'engagent dans les parties creuses des cuvettes.
| 804
|
R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de sorte qutune sortie redressée puisse apparat- tre entre les plaques formant bornes quand les phases de l'alimen- tation sont reliées aux plaques de phase, ce redresseur étant caractérisé en ce que chaque diode comprend deux cuvettes conductrices entre lesquelles est disposée une pastille semi-conductrice, les cuvettes étant isolées l'une de l'autre, chaque diode étant supportée par et connectée à deux plaques grâce à des saillies sur les plaques qui s'engagent dans les parties creuses des cuvettes.
| 804
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R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de sorte qutune sortie redressée puisse apparat- tre entre les plaques formant bornes quand les phases de l'alimen- tation sont reliées aux plaques de phase, ce redresseur étant caractérisé en ce que chaque diode comprend deux cuvettes conductrices entre lesquelles est disposée une pastille semi-conductrice, les cuvettes étant isolées l'une de l'autre, chaque diode étant supportée par et connectée à deux plaques grâce à des saillies sur les plaques qui s'engagent dans les parties creuses des cuvettes.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de sorte qutune sortie redressée puisse apparat- tre entre les plaques formant bornes quand les phases de l'alimen- tation sont reliées aux plaques de phase, ce redresseur étant caractérisé en ce que chaque diode comprend deux cuvettes conductrices entre lesquelles est disposée une pastille semi-conductrice, les cuvettes étant isolées l'une de l'autre, chaque diode étant supportée par et connectée à deux plaques grâce à des saillies sur les plaques qui s'engagent dans les parties creuses des cuvettes.<|EOS|><|BOS|><|EOS|>
| |||
FR2001970A1
|
A1
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19691003
|
claim
|
claims
| 1
|
69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et thermique élevée, qui sert de plan d'alimentation et de source froide. 2 - Unité de circuit électrique selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat s'étend au delà des couches d'isolément et des conducteurs, de sorte qu'il peut être fixé à 10 tme conduite de fluide de refroidissement. 3 - Unité de circuit électrique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'isolement est une matière en verre-céramique. 4 - Unité de circuit électrique selon la revendication 3, 15 caractérisée en ce que le substrat porte les conduoteurs sur un côté et, sur l'autre, un plan d'alimentation auquel des connexions sont faites par l'intermédiaire de fils isolés par une matière en verre-céramique et traversant des trous dans le substrat. 5 - Procédé de fabrication d'une unité de cirouit électri-20 que selon la revendication 4, caractérisée en oe que le s«lsstr&t a une configuration de trous formés dedans,des fils protégés sont placés à travers les trous, l'ensemble est chauffé pour sceller les fils dans le substrat, les surfaces du substrat sont rendues plates par meulage, et les couches de conducteurs sont formées 25 sur le substrat.
| 1,479
|
69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et thermique élevée, qui sert de plan d'alimentation et de source froide. 2 - Unité de circuit électrique selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat s'étend au delà des couches d'isolément et des conducteurs, de sorte qu'il peut être fixé à 10 tme conduite de fluide de refroidissement. 3 - Unité de circuit électrique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'isolement est une matière en verre-céramique. 4 - Unité de circuit électrique selon la revendication 3, 15 caractérisée en ce que le substrat porte les conduoteurs sur un côté et, sur l'autre, un plan d'alimentation auquel des connexions sont faites par l'intermédiaire de fils isolés par une matière en verre-céramique et traversant des trous dans le substrat. 5 - Procédé de fabrication d'une unité de cirouit électri-20 que selon la revendication 4, caractérisée en oe que le s«lsstr&t a une configuration de trous formés dedans,des fils protégés sont placés à travers les trous, l'ensemble est chauffé pour sceller les fils dans le substrat, les surfaces du substrat sont rendues plates par meulage, et les couches de conducteurs sont formées 25 sur le substrat.
| 1,479
|
69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Electrical unit of wire comprising several layers of mutually insulated conductors on a substrate for interconnecting multiple circuit components, characterized in that the substrate is a high electrical and thermal conductivity metal plate, serving as a power supply and cold source. 2 - Electrical unit according to claim 1, characterized in that the substrate extends beyond the insulation layers and conductors, so that it can be fixed to a 10 tme cooling fluid conduit. 3 - Electrical unit according to any one of the preceding claims, characterized in that the isolation is a glass-ceramic material. 4 - Electrical unit according to claim 3, 15 characterized in that the substrate carries the conductors on one side and, on the other, a power supply to which connections are made via insulated wires passing through holes in the substrate. 5 - Manufacturing method of an electrical circuit unit according to claim 4, characterized in that the substrate has a configuration of holes formed therein, protected wires are placed through the holes, the entire assembly is heated to seal the wires into the substrate, the substrate surfaces are made flat by grinding, and the conductive layers are formed on the substrate.
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69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et thermique élevée, qui sert de plan d'alimentation et de source froide. 2 - Unité de circuit électrique selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat s'étend au delà des couches d'isolément et des conducteurs, de sorte qu'il peut être fixé à 10 tme conduite de fluide de refroidissement. 3 - Unité de circuit électrique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'isolement est une matière en verre-céramique. 4 - Unité de circuit électrique selon la revendication 3, 15 caractérisée en ce que le substrat porte les conduoteurs sur un côté et, sur l'autre, un plan d'alimentation auquel des connexions sont faites par l'intermédiaire de fils isolés par une matière en verre-céramique et traversant des trous dans le substrat. 5 - Procédé de fabrication d'une unité de cirouit électri-20 que selon la revendication 4, caractérisée en oe que le s«lsstr&t a une configuration de trous formés dedans,des fils protégés sont placés à travers les trous, l'ensemble est chauffé pour sceller les fils dans le substrat, les surfaces du substrat sont rendues plates par meulage, et les couches de conducteurs sont formées 25 sur le substrat.
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69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Electrical unit of wire comprising several layers of mutually insulated conductors on a substrate for interconnecting multiple circuit components, characterized in that the substrate is a high electrical and thermal conductivity metal plate, serving as a power supply and cold source. 2 - Electrical unit according to claim 1, characterized in that the substrate extends beyond the insulation layers and conductors, so that it can be fixed to a 10 tme cooling fluid conduit. 3 - Electrical unit according to any one of the preceding claims, characterized in that the isolation is a glass-ceramic material. 4 - Electrical unit according to claim 3, 15 characterized in that the substrate carries the conductors on one side and, on the other, a power supply to which connections are made via insulated wires passing through holes in the substrate. 5 - Manufacturing method of an electrical circuit unit according to claim 4, characterized in that the substrate has a configuration of holes formed therein, protected wires are placed through the holes, the entire assembly is heated to seal the wires into the substrate, the substrate surfaces are made flat by grinding, and the conductive layers are formed on the substrate.
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69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et thermique élevée, qui sert de plan d'alimentation et de source froide. 2 - Unité de circuit électrique selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat s'étend au delà des couches d'isolément et des conducteurs, de sorte qu'il peut être fixé à 10 tme conduite de fluide de refroidissement. 3 - Unité de circuit électrique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'isolement est une matière en verre-céramique. 4 - Unité de circuit électrique selon la revendication 3, 15 caractérisée en ce que le substrat porte les conduoteurs sur un côté et, sur l'autre, un plan d'alimentation auquel des connexions sont faites par l'intermédiaire de fils isolés par une matière en verre-céramique et traversant des trous dans le substrat. 5 - Procédé de fabrication d'une unité de cirouit électri-20 que selon la revendication 4, caractérisée en oe que le s«lsstr&t a une configuration de trous formés dedans,des fils protégés sont placés à travers les trous, l'ensemble est chauffé pour sceller les fils dans le substrat, les surfaces du substrat sont rendues plates par meulage, et les couches de conducteurs sont formées 25 sur le substrat.<|EOS|><|BOS|>69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Electrical unit of wire comprising several layers of mutually insulated conductors on a substrate for interconnecting multiple circuit components, characterized in that the substrate is a high electrical and thermal conductivity metal plate, serving as a power supply and cold source. 2 - Electrical unit according to claim 1, characterized in that the substrate extends beyond the insulation layers and conductors, so that it can be fixed to a 10 tme cooling fluid conduit. 3 - Electrical unit according to any one of the preceding claims, characterized in that the isolation is a glass-ceramic material. 4 - Electrical unit according to claim 3, 15 characterized in that the substrate carries the conductors on one side and, on the other, a power supply to which connections are made via insulated wires passing through holes in the substrate. 5 - Manufacturing method of an electrical circuit unit according to claim 4, characterized in that the substrate has a configuration of holes formed therein, protected wires are placed through the holes, the entire assembly is heated to seal the wires into the substrate, the substrate surfaces are made flat by grinding, and the conductive layers are formed on the substrate.<|EOS|>
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69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Electrical unit of wire comprising several layers of mutually insulated conductors on a substrate for interconnecting multiple circuit components, characterized in that the substrate is a high electrical and thermal conductivity metal plate, serving as a power supply and cold source. 2 - Electrical unit according to claim 1, characterized in that the substrate extends beyond the insulation layers and conductors, so that it can be fixed to a 10 tme cooling fluid conduit. 3 - Electrical unit according to any one of the preceding claims, characterized in that the isolation is a glass-ceramic material. 4 - Electrical unit according to claim 3, 15 characterized in that the substrate carries the conductors on one side and, on the other, a power supply to which connections are made via insulated wires passing through holes in the substrate. 5 - Manufacturing method of an electrical circuit unit according to claim 4, characterized in that the substrate has a configuration of holes formed therein, protected wires are placed through the holes, the entire assembly is heated to seal the wires into the substrate, the substrate surfaces are made flat by grinding, and the conductive layers are formed on the substrate. <<<ENDTR>>>
<<<TR>>>
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FR2002417A1
|
A1
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19691017
|
claim
|
claims
| 1
|
REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficielle, en plus du Si02, au moins une autre matière en concentration supérieure à 4 ppm et pouvant atteindre plusieurs centaines de ppm, ladite matière ne constituant pas 10 un poison semi-conducteur pour le composant traité à des températures supérieures à 1 200°C, notamment supérieures à 1 280°C, et/ou ayant une vitesse de diffusion dans le SiOg qui est faible par rapport à celle du sodium à des températures comprises entre environ 1 200 et 1 380°Co 15 2 - Elément de quartz selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite autre matière est répartie dans sa masse totale» 3 - Elément de quartz selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est formé d'une couche extérieure 20 superficielle contenant, en plus du SiOg* au moins une autre matière, et d'une couche en quartz très pur. 4 - Elément de quartz selon une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite autre matière est du silicium, ger-mâniun,carbone, étain et/ou leurs combinaisons telles que du 25 carbure ou du nitrure de silicium ou un sous-oxyde de Si02, un oxyde de germanium, un oxyde d'étain individuellement ou en combinaison. 5 - Verre de quartz selon une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que ladite autre matière est du bore, 30 de l'aluminium, du phosphore, de l'antimoine et/ou une combinaison de l'une de ces matières.
| 1,627
|
REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficielle, en plus du Si02, au moins une autre matière en concentration supérieure à 4 ppm et pouvant atteindre plusieurs centaines de ppm, ladite matière ne constituant pas 10 un poison semi-conducteur pour le composant traité à des températures supérieures à 1 200°C, notamment supérieures à 1 280°C, et/ou ayant une vitesse de diffusion dans le SiOg qui est faible par rapport à celle du sodium à des températures comprises entre environ 1 200 et 1 380°Co 15 2 - Elément de quartz selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite autre matière est répartie dans sa masse totale» 3 - Elément de quartz selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est formé d'une couche extérieure 20 superficielle contenant, en plus du SiOg* au moins une autre matière, et d'une couche en quartz très pur. 4 - Elément de quartz selon une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite autre matière est du silicium, ger-mâniun,carbone, étain et/ou leurs combinaisons telles que du 25 carbure ou du nitrure de silicium ou un sous-oxyde de Si02, un oxyde de germanium, un oxyde d'étain individuellement ou en combinaison. 5 - Verre de quartz selon une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que ladite autre matière est du bore, 30 de l'aluminium, du phosphore, de l'antimoine et/ou une combinaison de l'une de ces matières.
| 1,627
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REQUIREMENTS 1 - A quartz element, for example tubular, used in the high-temperature fabrication of semiconductor components such as diodes, 5-layer diodes, transistors, integrated circuits, etc., characterized in that it contains, at least in its surface layer, in addition to SiO2, at least one other material with a concentration of at least 4 ppm and possibly reaching several hundred ppm, the said material not constituting a semiconductor poison for the treated component at temperatures above 1200°C, particularly above 1280°C, and/or having a diffusion rate in SiOg lower than that of sodium at temperatures between approximately 1200 and 1380°C. 15 2 - A quartz element according to claim 1, characterized in that the said other material is distributed in its total mass. 3 - A quartz element according to claim 1, characterized in that it comprises a surface layer containing, in addition to SiO2, at least one other material, and a very pure quartz layer. 4 - A quartz element according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said other material is silicon, germanium, carbon, tin, and/or combinations thereof such as silicon carbide or silicon nitride or a SiO2 suboxide, a germanium oxide, a tin oxide individually or in combination. 5 - A quartz glass according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said other material is boron, aluminum, phosphorus, antimony, and/or a combination of one of these materials.
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REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficielle, en plus du Si02, au moins une autre matière en concentration supérieure à 4 ppm et pouvant atteindre plusieurs centaines de ppm, ladite matière ne constituant pas 10 un poison semi-conducteur pour le composant traité à des températures supérieures à 1 200°C, notamment supérieures à 1 280°C, et/ou ayant une vitesse de diffusion dans le SiOg qui est faible par rapport à celle du sodium à des températures comprises entre environ 1 200 et 1 380°Co 15 2 - Elément de quartz selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite autre matière est répartie dans sa masse totale» 3 - Elément de quartz selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est formé d'une couche extérieure 20 superficielle contenant, en plus du SiOg* au moins une autre matière, et d'une couche en quartz très pur. 4 - Elément de quartz selon une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite autre matière est du silicium, ger-mâniun,carbone, étain et/ou leurs combinaisons telles que du 25 carbure ou du nitrure de silicium ou un sous-oxyde de Si02, un oxyde de germanium, un oxyde d'étain individuellement ou en combinaison. 5 - Verre de quartz selon une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que ladite autre matière est du bore, 30 de l'aluminium, du phosphore, de l'antimoine et/ou une combinaison de l'une de ces matières.
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REQUIREMENTS 1 - A quartz element, for example tubular, used in the high-temperature fabrication of semiconductor components such as diodes, 5-layer diodes, transistors, integrated circuits, etc., characterized in that it contains, at least in its surface layer, in addition to SiO2, at least one other material with a concentration of at least 4 ppm and possibly reaching several hundred ppm, the said material not constituting a semiconductor poison for the treated component at temperatures above 1200°C, particularly above 1280°C, and/or having a diffusion rate in SiOg lower than that of sodium at temperatures between approximately 1200 and 1380°C. 15 2 - A quartz element according to claim 1, characterized in that the said other material is distributed in its total mass. 3 - A quartz element according to claim 1, characterized in that it comprises a surface layer containing, in addition to SiO2, at least one other material, and a very pure quartz layer. 4 - A quartz element according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said other material is silicon, germanium, carbon, tin, and/or combinations thereof such as silicon carbide or silicon nitride or a SiO2 suboxide, a germanium oxide, a tin oxide individually or in combination. 5 - A quartz glass according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said other material is boron, aluminum, phosphorus, antimony, and/or a combination of one of these materials.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficielle, en plus du Si02, au moins une autre matière en concentration supérieure à 4 ppm et pouvant atteindre plusieurs centaines de ppm, ladite matière ne constituant pas 10 un poison semi-conducteur pour le composant traité à des températures supérieures à 1 200°C, notamment supérieures à 1 280°C, et/ou ayant une vitesse de diffusion dans le SiOg qui est faible par rapport à celle du sodium à des températures comprises entre environ 1 200 et 1 380°Co 15 2 - Elément de quartz selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite autre matière est répartie dans sa masse totale» 3 - Elément de quartz selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est formé d'une couche extérieure 20 superficielle contenant, en plus du SiOg* au moins une autre matière, et d'une couche en quartz très pur. 4 - Elément de quartz selon une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite autre matière est du silicium, ger-mâniun,carbone, étain et/ou leurs combinaisons telles que du 25 carbure ou du nitrure de silicium ou un sous-oxyde de Si02, un oxyde de germanium, un oxyde d'étain individuellement ou en combinaison. 5 - Verre de quartz selon une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que ladite autre matière est du bore, 30 de l'aluminium, du phosphore, de l'antimoine et/ou une combinaison de l'une de ces matières.<|EOS|><|BOS|>REQUIREMENTS 1 - A quartz element, for example tubular, used in the high-temperature fabrication of semiconductor components such as diodes, 5-layer diodes, transistors, integrated circuits, etc., characterized in that it contains, at least in its surface layer, in addition to SiO2, at least one other material with a concentration of at least 4 ppm and possibly reaching several hundred ppm, the said material not constituting a semiconductor poison for the treated component at temperatures above 1200°C, particularly above 1280°C, and/or having a diffusion rate in SiOg lower than that of sodium at temperatures between approximately 1200 and 1380°C. 15 2 - A quartz element according to claim 1, characterized in that the said other material is distributed in its total mass. 3 - A quartz element according to claim 1, characterized in that it comprises a surface layer containing, in addition to SiO2, at least one other material, and a very pure quartz layer. 4 - A quartz element according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said other material is silicon, germanium, carbon, tin, and/or combinations thereof such as silicon carbide or silicon nitride or a SiO2 suboxide, a germanium oxide, a tin oxide individually or in combination. 5 - A quartz glass according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said other material is boron, aluminum, phosphorus, antimony, and/or a combination of one of these materials.<|EOS|>
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REQUIREMENTS 1 - A quartz element, for example tubular, used in the high-temperature fabrication of semiconductor components such as diodes, 5-layer diodes, transistors, integrated circuits, etc., characterized in that it contains, at least in its surface layer, in addition to SiO2, at least one other material with a concentration of at least 4 ppm and possibly reaching several hundred ppm, the said material not constituting a semiconductor poison for the treated component at temperatures above 1200°C, particularly above 1280°C, and/or having a diffusion rate in SiOg lower than that of sodium at temperatures between approximately 1200 and 1380°C. 15 2 - A quartz element according to claim 1, characterized in that the said other material is distributed in its total mass. 3 - A quartz element according to claim 1, characterized in that it comprises a surface layer containing, in addition to SiO2, at least one other material, and a very pure quartz layer. 4 - A quartz element according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said other material is silicon, germanium, carbon, tin, and/or combinations thereof such as silicon carbide or silicon nitride or a SiO2 suboxide, a germanium oxide, a tin oxide individually or in combination. 5 - A quartz glass according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said other material is boron, aluminum, phosphorus, antimony, and/or a combination of one of these materials. <<<ENDTR>>>
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FR2002924A1
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A1
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19691031
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claim
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claims
| 1
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69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au micron d'un matériau appartenant au groupe comprenant le carbure de silicium, le nitrure de silicium et l'étain. 2o - Dispositif selon revendication 1, dans lequel ladite zone est une sous-couche contigue au substrat mais d'épaisseur inférieure à celle de la couche épitaxiale. 10\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendication 1 dans lequel ladite zone est unè- sous-couche prise en sandwich entre les parties restantes de la couche épitaxiale qui ne renferment pas lesdites particules.\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendications 1, 2 ou 3, dans le- 15 quel la concentration desdites particules augmente quand la distance audit substrat diminue.\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendications 1, 2 ou 3, dans lequel la concentration desdites particules diminue quand la distance au substrat augmente* 20\n<CLM>\1\t- Dispositif semiconducteur selon une des revendications précédentes, dans lequel le bloc semiconducteur est un bloc de silicium»
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69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au micron d'un matériau appartenant au groupe comprenant le carbure de silicium, le nitrure de silicium et l'étain. 2o - Dispositif selon revendication 1, dans lequel ladite zone est une sous-couche contigue au substrat mais d'épaisseur inférieure à celle de la couche épitaxiale. 10\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendication 1 dans lequel ladite zone est unè- sous-couche prise en sandwich entre les parties restantes de la couche épitaxiale qui ne renferment pas lesdites particules.\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendications 1, 2 ou 3, dans le- 15 quel la concentration desdites particules augmente quand la distance audit substrat diminue.\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendications 1, 2 ou 3, dans lequel la concentration desdites particules diminue quand la distance au substrat augmente* 20\n<CLM>\1\t- Dispositif semiconducteur selon une des revendications précédentes, dans lequel le bloc semiconducteur est un bloc de silicium»
| 1,241
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69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Semiconductor device comprising a semiconductor block comprising a substrate and at least one epitaxial layer on the substrate, characterized in that at least one region of this epitaxial layer comprises particles of dimensions less than a micron of a material belonging to the group comprising silicon carbide, silicon nitride and tin. 2o - Semiconductor device according to claim 1, in which said region is a contiguous sub-layer on the substrate but of a thickness less than that of the epitaxial layer. 10\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claim 1 in which said region is a sub-layer taken in sandwich between the remaining parts of the epitaxial layer which do not contain said particles.\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claims 1, 2 or 3, in which the concentration of said particles increases when the distance from the substrate decreases.\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claims 1, 2 or 3, in which the concentration of said particles decreases when the distance from the substrate increases* 20\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to one of the above claims, in which the semiconductor block is a silicon block.
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69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au micron d'un matériau appartenant au groupe comprenant le carbure de silicium, le nitrure de silicium et l'étain. 2o - Dispositif selon revendication 1, dans lequel ladite zone est une sous-couche contigue au substrat mais d'épaisseur inférieure à celle de la couche épitaxiale. 10\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendication 1 dans lequel ladite zone est unè- sous-couche prise en sandwich entre les parties restantes de la couche épitaxiale qui ne renferment pas lesdites particules.\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendications 1, 2 ou 3, dans le- 15 quel la concentration desdites particules augmente quand la distance audit substrat diminue.\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendications 1, 2 ou 3, dans lequel la concentration desdites particules diminue quand la distance au substrat augmente* 20\n<CLM>\1\t- Dispositif semiconducteur selon une des revendications précédentes, dans lequel le bloc semiconducteur est un bloc de silicium»
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69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Semiconductor device comprising a semiconductor block comprising a substrate and at least one epitaxial layer on the substrate, characterized in that at least one region of this epitaxial layer comprises particles of dimensions less than a micron of a material belonging to the group comprising silicon carbide, silicon nitride and tin. 2o - Semiconductor device according to claim 1, in which said region is a contiguous sub-layer on the substrate but of a thickness less than that of the epitaxial layer. 10\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claim 1 in which said region is a sub-layer taken in sandwich between the remaining parts of the epitaxial layer which do not contain said particles.\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claims 1, 2 or 3, in which the concentration of said particles increases when the distance from the substrate decreases.\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claims 1, 2 or 3, in which the concentration of said particles decreases when the distance from the substrate increases* 20\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to one of the above claims, in which the semiconductor block is a silicon block.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au micron d'un matériau appartenant au groupe comprenant le carbure de silicium, le nitrure de silicium et l'étain. 2o - Dispositif selon revendication 1, dans lequel ladite zone est une sous-couche contigue au substrat mais d'épaisseur inférieure à celle de la couche épitaxiale. 10\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendication 1 dans lequel ladite zone est unè- sous-couche prise en sandwich entre les parties restantes de la couche épitaxiale qui ne renferment pas lesdites particules.\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendications 1, 2 ou 3, dans le- 15 quel la concentration desdites particules augmente quand la distance audit substrat diminue.\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendications 1, 2 ou 3, dans lequel la concentration desdites particules diminue quand la distance au substrat augmente* 20\n<CLM>\1\t- Dispositif semiconducteur selon une des revendications précédentes, dans lequel le bloc semiconducteur est un bloc de silicium»<|EOS|><|BOS|>69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Semiconductor device comprising a semiconductor block comprising a substrate and at least one epitaxial layer on the substrate, characterized in that at least one region of this epitaxial layer comprises particles of dimensions less than a micron of a material belonging to the group comprising silicon carbide, silicon nitride and tin. 2o - Semiconductor device according to claim 1, in which said region is a contiguous sub-layer on the substrate but of a thickness less than that of the epitaxial layer. 10\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claim 1 in which said region is a sub-layer taken in sandwich between the remaining parts of the epitaxial layer which do not contain said particles.\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claims 1, 2 or 3, in which the concentration of said particles increases when the distance from the substrate decreases.\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claims 1, 2 or 3, in which the concentration of said particles decreases when the distance from the substrate increases* 20\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to one of the above claims, in which the semiconductor block is a silicon block.<|EOS|>
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69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Semiconductor device comprising a semiconductor block comprising a substrate and at least one epitaxial layer on the substrate, characterized in that at least one region of this epitaxial layer comprises particles of dimensions less than a micron of a material belonging to the group comprising silicon carbide, silicon nitride and tin. 2o - Semiconductor device according to claim 1, in which said region is a contiguous sub-layer on the substrate but of a thickness less than that of the epitaxial layer. 10\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claim 1 in which said region is a sub-layer taken in sandwich between the remaining parts of the epitaxial layer which do not contain said particles.\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claims 1, 2 or 3, in which the concentration of said particles increases when the distance from the substrate decreases.\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claims 1, 2 or 3, in which the concentration of said particles decreases when the distance from the substrate increases* 20\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to one of the above claims, in which the semiconductor block is a silicon block.
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FR2002938A1
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A1
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19691031
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claim
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claims
| 1
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REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pourvue à intervalles égaux d'évidements orientés perpendiculairement à son axe longitudinal et qui est cintrée sous forme d'une bande polygonale formant des compartiments» ce qui assure une économie dans 10 l'emploi du métal» 2° - Machine d'éclairage de véhicule pourvue d'un dispositif conforme au précédent»
| 608
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REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pourvue à intervalles égaux d'évidements orientés perpendiculairement à son axe longitudinal et qui est cintrée sous forme d'une bande polygonale formant des compartiments» ce qui assure une économie dans 10 l'emploi du métal» 2° - Machine d'éclairage de véhicule pourvue d'un dispositif conforme au précédent»
| 608
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REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicularly to its longitudinal axis and which is bent in the form of a polygonal strip forming compartments, thereby ensuring a reduction in the use of metal in 10.
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REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pourvue à intervalles égaux d'évidements orientés perpendiculairement à son axe longitudinal et qui est cintrée sous forme d'une bande polygonale formant des compartiments» ce qui assure une économie dans 10 l'emploi du métal» 2° - Machine d'éclairage de véhicule pourvue d'un dispositif conforme au précédent»
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REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicularly to its longitudinal axis and which is bent in the form of a polygonal strip forming compartments, thereby ensuring a reduction in the use of metal in 10.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pourvue à intervalles égaux d'évidements orientés perpendiculairement à son axe longitudinal et qui est cintrée sous forme d'une bande polygonale formant des compartiments» ce qui assure une économie dans 10 l'emploi du métal» 2° - Machine d'éclairage de véhicule pourvue d'un dispositif conforme au précédent»<|EOS|><|BOS|>REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicularly to its longitudinal axis and which is bent in the form of a polygonal strip forming compartments, thereby ensuring a reduction in the use of metal in 10.<|EOS|>
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REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicularly to its longitudinal axis and which is bent in the form of a polygonal strip forming compartments, thereby ensuring a reduction in the use of metal in 10.
2° - A vehicle lighting machine provided with a device conforming to the previous one.
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REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicularly to its longitudinal axis and which is bent in the form of a polygonal strip forming compartments, thereby ensuring a reduction in the use of metal in 10.
2° - A vehicle lighting machine provided with a device conforming to the previous one.
<<<ENDTR>>>
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FR2003051A1
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A1
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19691107
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claim
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claims
| 1
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revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 dans laquelle E représente un reste alcoyle, alcényle, cyclo-alcoyle, aralcoyle ou aryle ayant 6 à 20 atomes de carbone, À un reste alcoylène ayant 2 à 10 atomes de carbone, X un atome d'oxygène ou 2 atomes d'hydrogène, n un nombre entier de 1 à 30, de préférence de 1 à 10, et B des restes de formules : 15 -0- ; -00C-ÎÏH-R'-NH-C00- ; -OOC-E'-COO- dans lesquelles R' représente un reste alcoylène éventuellement substitué ou un reste arylène ayant 2 à 20 atomes de carbone, en outre E représentant un groupe de formule générale : - D - R « 20 dans laquelle RM représente un groupe hydroxyle ou un groupe alcoxy ou aryloxy ayant 1 à 6 atomes de carbone et D le reste d'un polyéther à 30-100$ d'oxyde d'éthylène et à 0-70$ d'un autre monoépoxyde, de préférence de l'oxyde de propylène, ayant un poids moléculaire de 200 à 10.000, de préférence de 1000 à 25 3000.4 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : R"' -N-a-B-E 30 t R dans laquelle R, X, a, B et E ont la signification donnée plus haut et E'1' représente un reste alcoyle, alcényle, cycloalcoyle, aralcoyle ou aryle ayant 1 à 20 atomes de carbone.
| 1,542
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revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 dans laquelle E représente un reste alcoyle, alcényle, cyclo-alcoyle, aralcoyle ou aryle ayant 6 à 20 atomes de carbone, À un reste alcoylène ayant 2 à 10 atomes de carbone, X un atome d'oxygène ou 2 atomes d'hydrogène, n un nombre entier de 1 à 30, de préférence de 1 à 10, et B des restes de formules : 15 -0- ; -00C-ÎÏH-R'-NH-C00- ; -OOC-E'-COO- dans lesquelles R' représente un reste alcoylène éventuellement substitué ou un reste arylène ayant 2 à 20 atomes de carbone, en outre E représentant un groupe de formule générale : - D - R « 20 dans laquelle RM représente un groupe hydroxyle ou un groupe alcoxy ou aryloxy ayant 1 à 6 atomes de carbone et D le reste d'un polyéther à 30-100$ d'oxyde d'éthylène et à 0-70$ d'un autre monoépoxyde, de préférence de l'oxyde de propylène, ayant un poids moléculaire de 200 à 10.000, de préférence de 1000 à 25 3000.4 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : R"' -N-a-B-E 30 t R dans laquelle R, X, a, B et E ont la signification donnée plus haut et E'1' représente un reste alcoyle, alcényle, cycloalcoyle, aralcoyle ou aryle ayant 1 à 20 atomes de carbone.
| 1,542
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claims 1.- Preparation method of cellular polyurethane materials from polyester, polyisocyanates, chain extenders, initiators and stabilizers of non-ionic foam, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 in which E represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloalkoxy, aralkoxy or aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a remaining alkoxy group having 2 to 10 carbon atoms, X an oxygen atom or two hydrogen atoms, n an integer from 1 to 30, preferably 1 to 10, and B the remaining parts of the formula: 15 -0- ; -00C-ÎÏH-R'-NH-C00- ; -OOC-E'-COO- in which R' represents an alkoxy or aryl group having 2 to 20 carbon atoms, in addition E representing a general formula group: - D - R « 20 in which RM represents a hydroxyl or alkoxy or aryloxy group having 1 to 6 carbon atoms and D the remaining part of a polyether having 30-100$ of ethylene oxide and 0-70$ of another monoepoxy, preferably propylene oxide, having a molecular weight of 200 to 10,000, preferably 1,000 to 25,300. 2.- Preparation method according to claim 1, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: R"' -N-a-B-E 30 t R in which R, X, a, B and E have the meanings given above and E'1' represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloalkoxy, aralkoxy or aryl group having 1 to 20 carbon atoms.
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revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 dans laquelle E représente un reste alcoyle, alcényle, cyclo-alcoyle, aralcoyle ou aryle ayant 6 à 20 atomes de carbone, À un reste alcoylène ayant 2 à 10 atomes de carbone, X un atome d'oxygène ou 2 atomes d'hydrogène, n un nombre entier de 1 à 30, de préférence de 1 à 10, et B des restes de formules : 15 -0- ; -00C-ÎÏH-R'-NH-C00- ; -OOC-E'-COO- dans lesquelles R' représente un reste alcoylène éventuellement substitué ou un reste arylène ayant 2 à 20 atomes de carbone, en outre E représentant un groupe de formule générale : - D - R « 20 dans laquelle RM représente un groupe hydroxyle ou un groupe alcoxy ou aryloxy ayant 1 à 6 atomes de carbone et D le reste d'un polyéther à 30-100$ d'oxyde d'éthylène et à 0-70$ d'un autre monoépoxyde, de préférence de l'oxyde de propylène, ayant un poids moléculaire de 200 à 10.000, de préférence de 1000 à 25 3000.4 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : R"' -N-a-B-E 30 t R dans laquelle R, X, a, B et E ont la signification donnée plus haut et E'1' représente un reste alcoyle, alcényle, cycloalcoyle, aralcoyle ou aryle ayant 1 à 20 atomes de carbone.
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claims 1.- Preparation method of cellular polyurethane materials from polyester, polyisocyanates, chain extenders, initiators and stabilizers of non-ionic foam, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 in which E represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloalkoxy, aralkoxy or aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a remaining alkoxy group having 2 to 10 carbon atoms, X an oxygen atom or two hydrogen atoms, n an integer from 1 to 30, preferably 1 to 10, and B the remaining parts of the formula: 15 -0- ; -00C-ÎÏH-R'-NH-C00- ; -OOC-E'-COO- in which R' represents an alkoxy or aryl group having 2 to 20 carbon atoms, in addition E representing a general formula group: - D - R « 20 in which RM represents a hydroxyl or alkoxy or aryloxy group having 1 to 6 carbon atoms and D the remaining part of a polyether having 30-100$ of ethylene oxide and 0-70$ of another monoepoxy, preferably propylene oxide, having a molecular weight of 200 to 10,000, preferably 1,000 to 25,300. 2.- Preparation method according to claim 1, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: R"' -N-a-B-E 30 t R in which R, X, a, B and E have the meanings given above and E'1' represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloalkoxy, aralkoxy or aryl group having 1 to 20 carbon atoms.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 dans laquelle E représente un reste alcoyle, alcényle, cyclo-alcoyle, aralcoyle ou aryle ayant 6 à 20 atomes de carbone, À un reste alcoylène ayant 2 à 10 atomes de carbone, X un atome d'oxygène ou 2 atomes d'hydrogène, n un nombre entier de 1 à 30, de préférence de 1 à 10, et B des restes de formules : 15 -0- ; -00C-ÎÏH-R'-NH-C00- ; -OOC-E'-COO- dans lesquelles R' représente un reste alcoylène éventuellement substitué ou un reste arylène ayant 2 à 20 atomes de carbone, en outre E représentant un groupe de formule générale : - D - R « 20 dans laquelle RM représente un groupe hydroxyle ou un groupe alcoxy ou aryloxy ayant 1 à 6 atomes de carbone et D le reste d'un polyéther à 30-100$ d'oxyde d'éthylène et à 0-70$ d'un autre monoépoxyde, de préférence de l'oxyde de propylène, ayant un poids moléculaire de 200 à 10.000, de préférence de 1000 à 25 3000.4 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : R"' -N-a-B-E 30 t R dans laquelle R, X, a, B et E ont la signification donnée plus haut et E'1' représente un reste alcoyle, alcényle, cycloalcoyle, aralcoyle ou aryle ayant 1 à 20 atomes de carbone.<|EOS|><|BOS|>claims 1.- Preparation method of cellular polyurethane materials from polyester, polyisocyanates, chain extenders, initiators and stabilizers of non-ionic foam, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 in which E represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloalkoxy, aralkoxy or aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a remaining alkoxy group having 2 to 10 carbon atoms, X an oxygen atom or two hydrogen atoms, n an integer from 1 to 30, preferably 1 to 10, and B the remaining parts of the formula: 15 -0- ; -00C-ÎÏH-R'-NH-C00- ; -OOC-E'-COO- in which R' represents an alkoxy or aryl group having 2 to 20 carbon atoms, in addition E representing a general formula group: - D - R « 20 in which RM represents a hydroxyl or alkoxy or aryloxy group having 1 to 6 carbon atoms and D the remaining part of a polyether having 30-100$ of ethylene oxide and 0-70$ of another monoepoxy, preferably propylene oxide, having a molecular weight of 200 to 10,000, preferably 1,000 to 25,300. 2.- Preparation method according to claim 1, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: R"' -N-a-B-E 30 t R in which R, X, a, B and E have the meanings given above and E'1' represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloalkoxy, aralkoxy or aryl group having 1 to 20 carbon atoms.<|EOS|>
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claims 1.- Preparation method of cellular polyurethane materials from polyester, polyisocyanates, chain extenders, initiators and stabilizers of non-ionic foam, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 in which E represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloalkoxy, aralkoxy or aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a remaining alkoxy group having 2 to 10 carbon atoms, X an oxygen atom or two hydrogen atoms, n an integer from 1 to 30, preferably 1 to 10, and B the remaining parts of the formula: 15 -0- ; -00C-ÎÏH-R'-NH-C00- ; -OOC-E'-COO- in which R' represents an alkoxy or aryl group having 2 to 20 carbon atoms, in addition E representing a general formula group: - D - R « 20 in which RM represents a hydroxyl or alkoxy or aryloxy group having 1 to 6 carbon atoms and D the remaining part of a polyether having 30-100$ of ethylene oxide and 0-70$ of another monoepoxy, preferably propylene oxide, having a molecular weight of 200 to 10,000, preferably 1,000 to 25,300. 2.- Preparation method according to claim 1, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: R"' -N-a-B-E 30 t R in which R, X, a, B and E have the meanings given above and E'1' represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloalkoxy, aralkoxy or aryl group having 1 to 20 carbon atoms. <<<ENDTR>>>
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FR2003087A1
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A1
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19691107
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claim
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claims
| 1
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R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des bras pivotants oui sont prévus en tant que détecteurs cour la régulation de la vitesse des teurs de bobinage, qui palpent les boucles de fil et qui sont montés au-dessus des étages des têtes de bobinage, dispositif caractérisé par le fait que les bras pivotants sont montés les uns en dessous des autres de manière que le rouleau ou doigt du bras pivotant inférieur se trouve à l'intérieur de la boucle de fil formée par le passage de ce fil sur le rouleau ou doig du bras pivotant sus-jacent, les rouleaux ou doigts des bras pivotants se déplacent de préférence dans le même plan.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par 16 fait que pour le renvidage de plusieurs fils sur des bcbines séparées se trouvant sur un axe de bobinage commun, chacun des bras pivotants porte un nombre de rouleaux ou doigts correspondant au nombre des bobines, les rouleaux ou doigts étant montés sur un axe commun. 30 Dispositif suivant la revendication 1, caractéri- sé par le fait que pour le renvidage de plusieurs fils sur des bobines séparées se trouvant sur un axe de bobinage commun, chacun des bras pivotants porte un nombre de rouleaux ou doigts. correspondant au nombre de bobines, les rouleaux ou doigts éta@ montés sur des axes alignés.
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R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des bras pivotants oui sont prévus en tant que détecteurs cour la régulation de la vitesse des teurs de bobinage, qui palpent les boucles de fil et qui sont montés au-dessus des étages des têtes de bobinage, dispositif caractérisé par le fait que les bras pivotants sont montés les uns en dessous des autres de manière que le rouleau ou doigt du bras pivotant inférieur se trouve à l'intérieur de la boucle de fil formée par le passage de ce fil sur le rouleau ou doig du bras pivotant sus-jacent, les rouleaux ou doigts des bras pivotants se déplacent de préférence dans le même plan.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par 16 fait que pour le renvidage de plusieurs fils sur des bcbines séparées se trouvant sur un axe de bobinage commun, chacun des bras pivotants porte un nombre de rouleaux ou doigts correspondant au nombre des bobines, les rouleaux ou doigts étant montés sur un axe commun. 30 Dispositif suivant la revendication 1, caractéri- sé par le fait que pour le renvidage de plusieurs fils sur des bobines séparées se trouvant sur un axe de bobinage commun, chacun des bras pivotants porte un nombre de rouleaux ou doigts. correspondant au nombre de bobines, les rouleaux ou doigts éta@ montés sur des axes alignés.
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Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des bras pivotants oui sont prévus en tant que détecteurs cour la régulation de la vitesse des teurs de bobinage, qui palpent les boucles de fil et qui sont montés au-dessus des étages des têtes de bobinage, dispositif caractérisé par le fait que les bras pivotants sont montés les uns en dessous des autres de manière que le rouleau ou doigt du bras pivotant inférieur se trouve à l'intérieur de la boucle de fil formée par le passage de ce fil sur le rouleau ou doig du bras pivotant sus-jacent, les rouleaux ou doigts des bras pivotants se déplacent de préférence dans le même plan.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par 16 fait que pour le renvidage de plusieurs fils sur des bcbines séparées se trouvant sur un axe de bobinage commun, chacun des bras pivotants porte un nombre de rouleaux ou doigts correspondant au nombre des bobines, les rouleaux ou doigts étant montés sur un axe commun. 30 Dispositif suivant la revendication 1, caractéri- sé par le fait que pour le renvidage de plusieurs fils sur des bobines séparées se trouvant sur un axe de bobinage commun, chacun des bras pivotants porte un nombre de rouleaux ou doigts. correspondant au nombre de bobines, les rouleaux ou doigts éta@ montés sur des axes alignés.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des bras pivotants oui sont prévus en tant que détecteurs cour la régulation de la vitesse des teurs de bobinage, qui palpent les boucles de fil et qui sont montés au-dessus des étages des têtes de bobinage, dispositif caractérisé par le fait que les bras pivotants sont montés les uns en dessous des autres de manière que le rouleau ou doigt du bras pivotant inférieur se trouve à l'intérieur de la boucle de fil formée par le passage de ce fil sur le rouleau ou doig du bras pivotant sus-jacent, les rouleaux ou doigts des bras pivotants se déplacent de préférence dans le même plan.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par 16 fait que pour le renvidage de plusieurs fils sur des bcbines séparées se trouvant sur un axe de bobinage commun, chacun des bras pivotants porte un nombre de rouleaux ou doigts correspondant au nombre des bobines, les rouleaux ou doigts étant montés sur un axe commun. 30 Dispositif suivant la revendication 1, caractéri- sé par le fait que pour le renvidage de plusieurs fils sur des bobines séparées se trouvant sur un axe de bobinage commun, chacun des bras pivotants porte un nombre de rouleaux ou doigts. correspondant au nombre de bobines, les rouleaux ou doigts éta@ montés sur des axes alignés.<|EOS|><|BOS|><|EOS|>
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FR2003872A1
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A1
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19691114
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claim
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claims
| 1
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R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les contactes, la formation d'un film en conducteur électrique sur cette couche et sur les parties de la surface de la structure exposées à travers les ouvertures, la formation d'une seconde couche diélectrique sur le film conducteur avec des ouvertures correspondant aux premières ouvertures, le dépôt électrolytique d'un métal sur le film métallique à travers les ouvert-ures pour former des contacts saillants et la suppression de la seconde couche diélectrique et du film métallique, sauf des parties du film métallique couvertes par les contacts déposés. 20- Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche diélectrique est formée par dépôt de verre à partir d'une phase vapeur suivi de la protection par une réserve photographique et d'une opération de gravure pour former des fenêtres aux endroits dans lesquels doivent être formés les contacts saillants. 30- Le procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la seconde couche diélectrique est une couche de réserve photographique. 4 - Le procedé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le film en conducteur électrique est une couche d'ors 5 - Le procédé selon la revendication 4, caractérisé par la suppression du film d'or par immersion de la structure dans une solution de cyanure. 6 - Le procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le film en conducteur électrique est utilisé comme cathode pour le dépôt électrolytique.
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R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les contactes, la formation d'un film en conducteur électrique sur cette couche et sur les parties de la surface de la structure exposées à travers les ouvertures, la formation d'une seconde couche diélectrique sur le film conducteur avec des ouvertures correspondant aux premières ouvertures, le dépôt électrolytique d'un métal sur le film métallique à travers les ouvert-ures pour former des contacts saillants et la suppression de la seconde couche diélectrique et du film métallique, sauf des parties du film métallique couvertes par les contacts déposés. 20- Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche diélectrique est formée par dépôt de verre à partir d'une phase vapeur suivi de la protection par une réserve photographique et d'une opération de gravure pour former des fenêtres aux endroits dans lesquels doivent être formés les contacts saillants. 30- Le procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la seconde couche diélectrique est une couche de réserve photographique. 4 - Le procedé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le film en conducteur électrique est une couche d'ors 5 - Le procédé selon la revendication 4, caractérisé par la suppression du film d'or par immersion de la structure dans une solution de cyanure. 6 - Le procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le film en conducteur électrique est utilisé comme cathode pour le dépôt électrolytique.
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R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les contactes, la formation d'un film en conducteur électrique sur cette couche et sur les parties de la surface de la structure exposées à travers les ouvertures, la formation d'une seconde couche diélectrique sur le film conducteur avec des ouvertures correspondant aux premières ouvertures, le dépôt électrolytique d'un métal sur le film métallique à travers les ouvert-ures pour former des contacts saillants et la suppression de la seconde couche diélectrique et du film métallique, sauf des parties du film métallique couvertes par les contacts déposés. 20- Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche diélectrique est formée par dépôt de verre à partir d'une phase vapeur suivi de la protection par une réserve photographique et d'une opération de gravure pour former des fenêtres aux endroits dans lesquels doivent être formés les contacts saillants. 30- Le procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la seconde couche diélectrique est une couche de réserve photographique. 4 - Le procedé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le film en conducteur électrique est une couche d'ors 5 - Le procédé selon la revendication 4, caractérisé par la suppression du film d'or par immersion de la structure dans une solution de cyanure. 6 - Le procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le film en conducteur électrique est utilisé comme cathode pour le dépôt électrolytique.
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R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les contactes, la formation d'un film en conducteur électrique sur cette couche et sur les parties de la surface de la structure exposées à travers les ouvertures, la formation d'une seconde couche diélectrique sur le film conducteur avec des ouvertures correspondant aux premières ouvertures, le dépôt électrolytique d'un métal sur le film métallique à travers les ouvert-ures pour former des contacts saillants et la suppression de la seconde couche diélectrique et du film métallique, sauf des parties du film métallique couvertes par les contacts déposés. 20- Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche diélectrique est formée par dépôt de verre à partir d'une phase vapeur suivi de la protection par une réserve photographique et d'une opération de gravure pour former des fenêtres aux endroits dans lesquels doivent être formés les contacts saillants. 30- Le procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la seconde couche diélectrique est une couche de réserve photographique. 4 - Le procedé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le film en conducteur électrique est une couche d'ors 5 - Le procédé selon la revendication 4, caractérisé par la suppression du film d'or par immersion de la structure dans une solution de cyanure. 6 - Le procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le film en conducteur électrique est utilisé comme cathode pour le dépôt électrolytique.<|EOS|><|BOS|><|EOS|>
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FR2003877A1
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A1
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19691114
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claim
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claims
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REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre étant équipée, dans la zone d'entrée des matières, d'une plaque de broyage de préférence symétrique à laquelle font suite des barres de recouvrement elles-mêmes de préférence symétriques, caractérisé en ce que les battes (1) montées dans des évidements du rotor (10) entre des cales (3, 4), sur une masse d'appui élastique (2), et dans la barre pivotante (13), de telle sorte que leurs arêtes antérieures soient orientées l'une vers l'autre, présentent sur leurs cotés antérieurs et sur leurs cotés postérieurs (en considérant le sens de déplacement du rotor) une inclinaison de 25 à 45'par rapport à leur axe, la paroi postérieure (16) du carter du broyeur étant reportée en arrière, une paroi d'appui, disposée sur le fond de ce carter, étant prévue pour retenir les matières broyées, qui sont limitées vers le haut par une plaque d'appui (18).
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REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre étant équipée, dans la zone d'entrée des matières, d'une plaque de broyage de préférence symétrique à laquelle font suite des barres de recouvrement elles-mêmes de préférence symétriques, caractérisé en ce que les battes (1) montées dans des évidements du rotor (10) entre des cales (3, 4), sur une masse d'appui élastique (2), et dans la barre pivotante (13), de telle sorte que leurs arêtes antérieures soient orientées l'une vers l'autre, présentent sur leurs cotés antérieurs et sur leurs cotés postérieurs (en considérant le sens de déplacement du rotor) une inclinaison de 25 à 45'par rapport à leur axe, la paroi postérieure (16) du carter du broyeur étant reportée en arrière, une paroi d'appui, disposée sur le fond de ce carter, étant prévue pour retenir les matières broyées, qui sont limitées vers le haut par une plaque d'appui (18).
| 1,146
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REQUIREMENT: Impact crusher with rotor and impact plates fixed in the crusher housing, usable for crushing rocks down to the fineness of sand, comprising a oscillating bar mounted immediately below the last impact plate, this bar being equipped, at the entrance of the materials, with a crushing plate preferably symmetrical, followed by reinforcing bars themselves preferably symmetrical, characterized in that the blades (1) are mounted in the rotor's recesses (10) between the hoppers (3, 4), on an elastic support mass (2), and in the pivot bar (13), such that their front edges are oriented towards each other, presenting on their front and rear sides (considering the direction of rotation of the rotor) an inclination of 25 to 45 degrees relative to their axis, the rear wall (16) of the crusher housing being brought forward, a support wall, disposed on the base of this housing, being provided for retaining the crushed materials, which are limited upwards by a support plate (18).
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REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre étant équipée, dans la zone d'entrée des matières, d'une plaque de broyage de préférence symétrique à laquelle font suite des barres de recouvrement elles-mêmes de préférence symétriques, caractérisé en ce que les battes (1) montées dans des évidements du rotor (10) entre des cales (3, 4), sur une masse d'appui élastique (2), et dans la barre pivotante (13), de telle sorte que leurs arêtes antérieures soient orientées l'une vers l'autre, présentent sur leurs cotés antérieurs et sur leurs cotés postérieurs (en considérant le sens de déplacement du rotor) une inclinaison de 25 à 45'par rapport à leur axe, la paroi postérieure (16) du carter du broyeur étant reportée en arrière, une paroi d'appui, disposée sur le fond de ce carter, étant prévue pour retenir les matières broyées, qui sont limitées vers le haut par une plaque d'appui (18).
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REQUIREMENT: Impact crusher with rotor and impact plates fixed in the crusher housing, usable for crushing rocks down to the fineness of sand, comprising a oscillating bar mounted immediately below the last impact plate, this bar being equipped, at the entrance of the materials, with a crushing plate preferably symmetrical, followed by reinforcing bars themselves preferably symmetrical, characterized in that the blades (1) are mounted in the rotor's recesses (10) between the hoppers (3, 4), on an elastic support mass (2), and in the pivot bar (13), such that their front edges are oriented towards each other, presenting on their front and rear sides (considering the direction of rotation of the rotor) an inclination of 25 to 45 degrees relative to their axis, the rear wall (16) of the crusher housing being brought forward, a support wall, disposed on the base of this housing, being provided for retaining the crushed materials, which are limited upwards by a support plate (18).
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REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre étant équipée, dans la zone d'entrée des matières, d'une plaque de broyage de préférence symétrique à laquelle font suite des barres de recouvrement elles-mêmes de préférence symétriques, caractérisé en ce que les battes (1) montées dans des évidements du rotor (10) entre des cales (3, 4), sur une masse d'appui élastique (2), et dans la barre pivotante (13), de telle sorte que leurs arêtes antérieures soient orientées l'une vers l'autre, présentent sur leurs cotés antérieurs et sur leurs cotés postérieurs (en considérant le sens de déplacement du rotor) une inclinaison de 25 à 45'par rapport à leur axe, la paroi postérieure (16) du carter du broyeur étant reportée en arrière, une paroi d'appui, disposée sur le fond de ce carter, étant prévue pour retenir les matières broyées, qui sont limitées vers le haut par une plaque d'appui (18).<|EOS|><|BOS|>REQUIREMENT: Impact crusher with rotor and impact plates fixed in the crusher housing, usable for crushing rocks down to the fineness of sand, comprising a oscillating bar mounted immediately below the last impact plate, this bar being equipped, at the entrance of the materials, with a crushing plate preferably symmetrical, followed by reinforcing bars themselves preferably symmetrical, characterized in that the blades (1) are mounted in the rotor's recesses (10) between the hoppers (3, 4), on an elastic support mass (2), and in the pivot bar (13), such that their front edges are oriented towards each other, presenting on their front and rear sides (considering the direction of rotation of the rotor) an inclination of 25 to 45 degrees relative to their axis, the rear wall (16) of the crusher housing being brought forward, a support wall, disposed on the base of this housing, being provided for retaining the crushed materials, which are limited upwards by a support plate (18).<|EOS|>
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REQUIREMENT: Impact crusher with rotor and impact plates fixed in the crusher housing, usable for crushing rocks down to the fineness of sand, comprising a oscillating bar mounted immediately below the last impact plate, this bar being equipped, at the entrance of the materials, with a crushing plate preferably symmetrical, followed by reinforcing bars themselves preferably symmetrical, characterized in that the blades (1) are mounted in the rotor's recesses (10) between the hoppers (3, 4), on an elastic support mass (2), and in the pivot bar (13), such that their front edges are oriented towards each other, presenting on their front and rear sides (considering the direction of rotation of the rotor) an inclination of 25 to 45 degrees relative to their axis, the rear wall (16) of the crusher housing being brought forward, a support wall, disposed on the base of this housing, being provided for retaining the crushed materials, which are limited upwards by a support plate (18). <<<ENDTR>>>
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FR2004192A1
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A1
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19691121
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claim
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claims
| 1
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R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, dispositif caractérisé par une feuille malléable constituée d'une couche de plomb revêtue d'une couche de métal noble disposée entre l'élément semiconducteur et l'une ou chacune des électrodes de bornes, maintenue en contact avec cet élément semiconducteur par le dispositif d'application de pression. 2.- Dispositif selon revendication 1, caractérisé par le fait que les deux surfaces principales de cette ou de chaque couche de plomb sont revêtues d'une couche de métal noble. 3.- Dispositif selon revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que cette couche de métal noble est constituée d'argent, d'or, de platine, ou de palladium. 4.- Dispositif selon revendication 1, 2 ou 3, caractérisé par le fait que l'épaisseur totale de cette ou de chaque couche malléable est inférieure à 0,125 mm, et que l'épaisseur de cette couche de métal noble est de 0,00025 àO,Ç005 mm. 5.- Dispositif selon l'une ou lSautre des précédentes revendications, caractérisé par le fait que l'élément semiconduc teur consiste en une plaquette de semiconducteur pourvue d'une principale électrode d'appui soudée à cette ou à chaque su: surfaceyde la pla- quette.
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R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, dispositif caractérisé par une feuille malléable constituée d'une couche de plomb revêtue d'une couche de métal noble disposée entre l'élément semiconducteur et l'une ou chacune des électrodes de bornes, maintenue en contact avec cet élément semiconducteur par le dispositif d'application de pression. 2.- Dispositif selon revendication 1, caractérisé par le fait que les deux surfaces principales de cette ou de chaque couche de plomb sont revêtues d'une couche de métal noble. 3.- Dispositif selon revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que cette couche de métal noble est constituée d'argent, d'or, de platine, ou de palladium. 4.- Dispositif selon revendication 1, 2 ou 3, caractérisé par le fait que l'épaisseur totale de cette ou de chaque couche malléable est inférieure à 0,125 mm, et que l'épaisseur de cette couche de métal noble est de 0,00025 àO,Ç005 mm. 5.- Dispositif selon l'une ou lSautre des précédentes revendications, caractérisé par le fait que l'élément semiconduc teur consiste en une plaquette de semiconducteur pourvue d'une principale électrode d'appui soudée à cette ou à chaque su: surfaceyde la pla- quette.
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REVENDESSIONS 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor element disposed between at least two electrode terminals, at least one of which is maintained in good thermal and electrical contact with the semiconductor element by a device applying pressure, the device characterized by a flexible sheet comprising a layer of lead coated with a layer of noble metal disposed between the semiconductor element and one or each of the electrode terminals, maintained in contact with the semiconductor element by the pressure application device. 2.- Device according to claim 1, characterized in that the two main surfaces of this or each layer of lead are coated with a layer of noble metal. 3.- Device according to claim 1 or 2, characterized in that the noble metal layer is composed of silver, gold, platinum, or palladium. 4.- Device according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the total thickness of this or each flexible layer is less than 0.125 mm, and that the thickness of the noble metal layer is 0.00025 to 0.0005 mm. 5.- Device according to one or the other of the foregoing claims, characterized in that the semiconductor element consists of a semiconductor sheet provided with a main electrode of support soldered to this or each surface of the sheet.
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R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, dispositif caractérisé par une feuille malléable constituée d'une couche de plomb revêtue d'une couche de métal noble disposée entre l'élément semiconducteur et l'une ou chacune des électrodes de bornes, maintenue en contact avec cet élément semiconducteur par le dispositif d'application de pression. 2.- Dispositif selon revendication 1, caractérisé par le fait que les deux surfaces principales de cette ou de chaque couche de plomb sont revêtues d'une couche de métal noble. 3.- Dispositif selon revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que cette couche de métal noble est constituée d'argent, d'or, de platine, ou de palladium. 4.- Dispositif selon revendication 1, 2 ou 3, caractérisé par le fait que l'épaisseur totale de cette ou de chaque couche malléable est inférieure à 0,125 mm, et que l'épaisseur de cette couche de métal noble est de 0,00025 àO,Ç005 mm. 5.- Dispositif selon l'une ou lSautre des précédentes revendications, caractérisé par le fait que l'élément semiconduc teur consiste en une plaquette de semiconducteur pourvue d'une principale électrode d'appui soudée à cette ou à chaque su: surfaceyde la pla- quette.
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REVENDESSIONS 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor element disposed between at least two electrode terminals, at least one of which is maintained in good thermal and electrical contact with the semiconductor element by a device applying pressure, the device characterized by a flexible sheet comprising a layer of lead coated with a layer of noble metal disposed between the semiconductor element and one or each of the electrode terminals, maintained in contact with the semiconductor element by the pressure application device. 2.- Device according to claim 1, characterized in that the two main surfaces of this or each layer of lead are coated with a layer of noble metal. 3.- Device according to claim 1 or 2, characterized in that the noble metal layer is composed of silver, gold, platinum, or palladium. 4.- Device according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the total thickness of this or each flexible layer is less than 0.125 mm, and that the thickness of the noble metal layer is 0.00025 to 0.0005 mm. 5.- Device according to one or the other of the foregoing claims, characterized in that the semiconductor element consists of a semiconductor sheet provided with a main electrode of support soldered to this or each surface of the sheet.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, dispositif caractérisé par une feuille malléable constituée d'une couche de plomb revêtue d'une couche de métal noble disposée entre l'élément semiconducteur et l'une ou chacune des électrodes de bornes, maintenue en contact avec cet élément semiconducteur par le dispositif d'application de pression. 2.- Dispositif selon revendication 1, caractérisé par le fait que les deux surfaces principales de cette ou de chaque couche de plomb sont revêtues d'une couche de métal noble. 3.- Dispositif selon revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que cette couche de métal noble est constituée d'argent, d'or, de platine, ou de palladium. 4.- Dispositif selon revendication 1, 2 ou 3, caractérisé par le fait que l'épaisseur totale de cette ou de chaque couche malléable est inférieure à 0,125 mm, et que l'épaisseur de cette couche de métal noble est de 0,00025 àO,Ç005 mm. 5.- Dispositif selon l'une ou lSautre des précédentes revendications, caractérisé par le fait que l'élément semiconduc teur consiste en une plaquette de semiconducteur pourvue d'une principale électrode d'appui soudée à cette ou à chaque su: surfaceyde la pla- quette.<|EOS|><|BOS|>REVENDESSIONS 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor element disposed between at least two electrode terminals, at least one of which is maintained in good thermal and electrical contact with the semiconductor element by a device applying pressure, the device characterized by a flexible sheet comprising a layer of lead coated with a layer of noble metal disposed between the semiconductor element and one or each of the electrode terminals, maintained in contact with the semiconductor element by the pressure application device. 2.- Device according to claim 1, characterized in that the two main surfaces of this or each layer of lead are coated with a layer of noble metal. 3.- Device according to claim 1 or 2, characterized in that the noble metal layer is composed of silver, gold, platinum, or palladium. 4.- Device according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the total thickness of this or each flexible layer is less than 0.125 mm, and that the thickness of the noble metal layer is 0.00025 to 0.0005 mm. 5.- Device according to one or the other of the foregoing claims, characterized in that the semiconductor element consists of a semiconductor sheet provided with a main electrode of support soldered to this or each surface of the sheet.<|EOS|>
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REVENDESSIONS 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor element disposed between at least two electrode terminals, at least one of which is maintained in good thermal and electrical contact with the semiconductor element by a device applying pressure, the device characterized by a flexible sheet comprising a layer of lead coated with a layer of noble metal disposed between the semiconductor element and one or each of the electrode terminals, maintained in contact with the semiconductor element by the pressure application device. 2.- Device according to claim 1, characterized in that the two main surfaces of this or each layer of lead are coated with a layer of noble metal. 3.- Device according to claim 1 or 2, characterized in that the noble metal layer is composed of silver, gold, platinum, or palladium. 4.- Device according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the total thickness of this or each flexible layer is less than 0.125 mm, and that the thickness of the noble metal layer is 0.00025 to 0.0005 mm. 5.- Device according to one or the other of the foregoing claims, characterized in that the semiconductor element consists of a semiconductor sheet provided with a main electrode of support soldered to this or each surface of the sheet.
<<<ENDTR>>>
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FR2004346A1
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A1
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19691121
|
claim
|
claims
| 1
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69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase liquide à des températures d'environ -20°C à environ +50°C, de préférence en la présence d'un catalyseur et éventuellement en présence d*un gaz inerte»\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce 10 qu'on maintient un excès de 0,5 à 5 moles % de chlore dans la phase liquide.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'on utilise du trichlorure de phosphore comme catalyseur.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé 15 en ce qu'on l'exécute suivant un mode continu.
| 838
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69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase liquide à des températures d'environ -20°C à environ +50°C, de préférence en la présence d'un catalyseur et éventuellement en présence d*un gaz inerte»\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce 10 qu'on maintient un excès de 0,5 à 5 moles % de chlore dans la phase liquide.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'on utilise du trichlorure de phosphore comme catalyseur.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé 15 en ce qu'on l'exécute suivant un mode continu.
| 838
|
69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Production method of cyanogen chloride in the same time as cyanuric chloride and tetrameric cyanogen chloride, characterized in that one reacts in a liquid phase, under pressure, quantities of chlorine (5 less equivalent) with aqueous hydrocyanic acid, at temperatures of about -20°C to about +50°C, preferably in the presence of a catalyst and optionally in the presence of an inert gas\n<CLM>\1\tMethod according to claim 1, characterized in that one maintains an excess of 0.5 to 5% by weight of chlorine in the liquid phase.\n<CLM>\1\tMethod according to claims 1 and 2, characterized in that one uses phosphorus trichloride as a catalyst.\n<CLM>\1\tMethod according to claims 1 and 2, characterized in that one executes it continuously.
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69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase liquide à des températures d'environ -20°C à environ +50°C, de préférence en la présence d'un catalyseur et éventuellement en présence d*un gaz inerte»\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce 10 qu'on maintient un excès de 0,5 à 5 moles % de chlore dans la phase liquide.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'on utilise du trichlorure de phosphore comme catalyseur.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé 15 en ce qu'on l'exécute suivant un mode continu.
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69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Production method of cyanogen chloride in the same time as cyanuric chloride and tetrameric cyanogen chloride, characterized in that one reacts in a liquid phase, under pressure, quantities of chlorine (5 less equivalent) with aqueous hydrocyanic acid, at temperatures of about -20°C to about +50°C, preferably in the presence of a catalyst and optionally in the presence of an inert gas\n<CLM>\1\tMethod according to claim 1, characterized in that one maintains an excess of 0.5 to 5% by weight of chlorine in the liquid phase.\n<CLM>\1\tMethod according to claims 1 and 2, characterized in that one uses phosphorus trichloride as a catalyst.\n<CLM>\1\tMethod according to claims 1 and 2, characterized in that one executes it continuously.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase liquide à des températures d'environ -20°C à environ +50°C, de préférence en la présence d'un catalyseur et éventuellement en présence d*un gaz inerte»\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce 10 qu'on maintient un excès de 0,5 à 5 moles % de chlore dans la phase liquide.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'on utilise du trichlorure de phosphore comme catalyseur.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé 15 en ce qu'on l'exécute suivant un mode continu.<|EOS|><|BOS|>69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Production method of cyanogen chloride in the same time as cyanuric chloride and tetrameric cyanogen chloride, characterized in that one reacts in a liquid phase, under pressure, quantities of chlorine (5 less equivalent) with aqueous hydrocyanic acid, at temperatures of about -20°C to about +50°C, preferably in the presence of a catalyst and optionally in the presence of an inert gas\n<CLM>\1\tMethod according to claim 1, characterized in that one maintains an excess of 0.5 to 5% by weight of chlorine in the liquid phase.\n<CLM>\1\tMethod according to claims 1 and 2, characterized in that one uses phosphorus trichloride as a catalyst.\n<CLM>\1\tMethod according to claims 1 and 2, characterized in that one executes it continuously.<|EOS|>
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69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Production method of cyanogen chloride in the same time as cyanuric chloride and tetrameric cyanogen chloride, characterized in that one reacts in a liquid phase, under pressure, quantities of chlorine (5 less equivalent) with aqueous hydrocyanic acid, at temperatures of about -20°C to about +50°C, preferably in the presence of a catalyst and optionally in the presence of an inert gas\n<CLM>\1\tMethod according to claim 1, characterized in that one maintains an excess of 0.5 to 5% by weight of chlorine in the liquid phase.\n<CLM>\1\tMethod according to claims 1 and 2, characterized in that one uses phosphorus trichloride as a catalyst.\n<CLM>\1\tMethod according to claims 1 and 2, characterized in that one executes it continuously. <<<ENDTR>>>
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FR2005454A1
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A1
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19691212
|
claim
|
claims
| 1
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REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissipation de la chaleur. 2e) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel ledit -élément dissipant la chaleur se présente sous la forme d'un élément plat. 3°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel l'élément 10 dissipant la chaleur se présente sous la forme de grains répartis dans la couche vitreuse. 4°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel le matériau diélectrique dissipant la chaleur est de l'oxyde de béryllium. 5°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel ledit 15 matériau vitreux est du verre à bas point de fusion. 6°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 3 dans lequel le mélange du matériau vitreux et des grains contient environ 85 % de grains par volume.\n<CLM>\1\tUn dispositif semi-conducteur comme il est dit en 3 dans lequel le dia-20 mètre de chacun des grains est supérieur à 4,3/100 le m/m. BAD ORIGINAL1]
| 1,232
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REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissipation de la chaleur. 2e) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel ledit -élément dissipant la chaleur se présente sous la forme d'un élément plat. 3°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel l'élément 10 dissipant la chaleur se présente sous la forme de grains répartis dans la couche vitreuse. 4°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel le matériau diélectrique dissipant la chaleur est de l'oxyde de béryllium. 5°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel ledit 15 matériau vitreux est du verre à bas point de fusion. 6°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 3 dans lequel le mélange du matériau vitreux et des grains contient environ 85 % de grains par volume.\n<CLM>\1\tUn dispositif semi-conducteur comme il est dit en 3 dans lequel le dia-20 mètre de chacun des grains est supérieur à 4,3/100 le m/m. BAD ORIGINAL1]
| 1,232
|
REVENDICATIONS 1°) A semiconductor device comprising: - a dielectric support, - a glass layer disposed on this support. - a dielectric material cooled encapsulated in this glass layer, 5 - a semiconductor element disposed on the dielectric material ensuring the dissipation of heat. 2e) A semiconductor device as described in 1 in which the said heat-dissipating element is presented in the form of a flat element. 3°) A semiconductor device as described in 1 in which the said heat-dissipating element is presented in the form of particles distributed in the glass layer. 4°) A semiconductor device as described in 1 in which the dielectric material dissipating heat is beryllium oxide. 5°) A semiconductor device as described in 1 in which the said glass material is of low melting point glass. 6°) A semiconductor device as described in 3 in which the mixture of the glass material and the particles contains approximately 85% by volume of particles. <CLM>\1\tA semiconductor device as described in 3 in which the diameter of each particle is greater than 4,3/100 the m/m. BAD ORIGINAL1]
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REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissipation de la chaleur. 2e) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel ledit -élément dissipant la chaleur se présente sous la forme d'un élément plat. 3°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel l'élément 10 dissipant la chaleur se présente sous la forme de grains répartis dans la couche vitreuse. 4°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel le matériau diélectrique dissipant la chaleur est de l'oxyde de béryllium. 5°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel ledit 15 matériau vitreux est du verre à bas point de fusion. 6°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 3 dans lequel le mélange du matériau vitreux et des grains contient environ 85 % de grains par volume.\n<CLM>\1\tUn dispositif semi-conducteur comme il est dit en 3 dans lequel le dia-20 mètre de chacun des grains est supérieur à 4,3/100 le m/m. BAD ORIGINAL1]
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REVENDICATIONS 1°) A semiconductor device comprising: - a dielectric support, - a glass layer disposed on this support. - a dielectric material cooled encapsulated in this glass layer, 5 - a semiconductor element disposed on the dielectric material ensuring the dissipation of heat. 2e) A semiconductor device as described in 1 in which the said heat-dissipating element is presented in the form of a flat element. 3°) A semiconductor device as described in 1 in which the said heat-dissipating element is presented in the form of particles distributed in the glass layer. 4°) A semiconductor device as described in 1 in which the dielectric material dissipating heat is beryllium oxide. 5°) A semiconductor device as described in 1 in which the said glass material is of low melting point glass. 6°) A semiconductor device as described in 3 in which the mixture of the glass material and the particles contains approximately 85% by volume of particles. <CLM>\1\tA semiconductor device as described in 3 in which the diameter of each particle is greater than 4,3/100 the m/m. BAD ORIGINAL1]
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<|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissipation de la chaleur. 2e) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel ledit -élément dissipant la chaleur se présente sous la forme d'un élément plat. 3°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel l'élément 10 dissipant la chaleur se présente sous la forme de grains répartis dans la couche vitreuse. 4°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel le matériau diélectrique dissipant la chaleur est de l'oxyde de béryllium. 5°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel ledit 15 matériau vitreux est du verre à bas point de fusion. 6°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 3 dans lequel le mélange du matériau vitreux et des grains contient environ 85 % de grains par volume.\n<CLM>\1\tUn dispositif semi-conducteur comme il est dit en 3 dans lequel le dia-20 mètre de chacun des grains est supérieur à 4,3/100 le m/m. BAD ORIGINAL1]<|EOS|><|BOS|>REVENDICATIONS 1°) A semiconductor device comprising: - a dielectric support, - a glass layer disposed on this support. - a dielectric material cooled encapsulated in this glass layer, 5 - a semiconductor element disposed on the dielectric material ensuring the dissipation of heat. 2e) A semiconductor device as described in 1 in which the said heat-dissipating element is presented in the form of a flat element. 3°) A semiconductor device as described in 1 in which the said heat-dissipating element is presented in the form of particles distributed in the glass layer. 4°) A semiconductor device as described in 1 in which the dielectric material dissipating heat is beryllium oxide. 5°) A semiconductor device as described in 1 in which the said glass material is of low melting point glass. 6°) A semiconductor device as described in 3 in which the mixture of the glass material and the particles contains approximately 85% by volume of particles. <CLM>\1\tA semiconductor device as described in 3 in which the diameter of each particle is greater than 4,3/100 the m/m. BAD ORIGINAL1]<|EOS|>
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REVENDICATIONS 1°) A semiconductor device comprising: - a dielectric support, - a glass layer disposed on this support. - a dielectric material cooled encapsulated in this glass layer, 5 - a semiconductor element disposed on the dielectric material ensuring the dissipation of heat. 2e) A semiconductor device as described in 1 in which the said heat-dissipating element is presented in the form of a flat element. 3°) A semiconductor device as described in 1 in which the said heat-dissipating element is presented in the form of particles distributed in the glass layer. 4°) A semiconductor device as described in 1 in which the dielectric material dissipating heat is beryllium oxide. 5°) A semiconductor device as described in 1 in which the said glass material is of low melting point glass. 6°) A semiconductor device as described in 3 in which the mixture of the glass material and the particles contains approximately 85% by volume of particles. <CLM>\1\tA semiconductor device as described in 3 in which the diameter of each particle is greater than 4,3/100 the m/m. BAD ORIGINAL1]
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FR2005553A1
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A1
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19691212
|
claim
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claims
| 1
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revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support est électriquement isolant.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'après le bombardement, on effectue la morsure de la surface pour exposer un plan à forte concentration en ions implan-10 tés. 4» Procédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les ions de bombardement sont d'énergie relativement faible et qu'une 8outro£ d'électrons est fournie pour neutraliser la charge de surface sur ce support au cours du bombardement. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, caracté risé en ce que le métal déposé, non adhérent sur la zone non bombardée du support, est éliminé par lavage ou essuyage.\n<CLM>\1\tProcédé sslon les revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que le support est le verre. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1, 2, 3, § ou 6, caractérisé en ce que les ions sont choisis parmi le bore, l'étain, et l'oxygène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les ions sont choisis parmi l'hydrogène, le nickel 25 et le palladium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1,2,3,5, 6 ou 7, caractérisé en ce que la solution est une solution de placage d'argent.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, carac-30 térisé en ce que la solution de placage est une solution de placage de nickel.\n<CLM>\1\tSupport plaqué par uijéiétal, obtenu par un procédé selon l'une des revendications 1,2,3,5,6,7 ou\n<CLM>\1\t12)Support plaqué par un métal, obtenu par un procédé selon 35 l'une des revendications 4, 8 ou 10.
| 1,877
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revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support est électriquement isolant.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'après le bombardement, on effectue la morsure de la surface pour exposer un plan à forte concentration en ions implan-10 tés. 4» Procédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les ions de bombardement sont d'énergie relativement faible et qu'une 8outro£ d'électrons est fournie pour neutraliser la charge de surface sur ce support au cours du bombardement. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, caracté risé en ce que le métal déposé, non adhérent sur la zone non bombardée du support, est éliminé par lavage ou essuyage.\n<CLM>\1\tProcédé sslon les revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que le support est le verre. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1, 2, 3, § ou 6, caractérisé en ce que les ions sont choisis parmi le bore, l'étain, et l'oxygène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les ions sont choisis parmi l'hydrogène, le nickel 25 et le palladium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1,2,3,5, 6 ou 7, caractérisé en ce que la solution est une solution de placage d'argent.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, carac-30 térisé en ce que la solution de placage est une solution de placage de nickel.\n<CLM>\1\tSupport plaqué par uijéiétal, obtenu par un procédé selon l'une des revendications 1,2,3,5,6,7 ou\n<CLM>\1\t12)Support plaqué par un métal, obtenu par un procédé selon 35 l'une des revendications 4, 8 ou 10.
| 1,877
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2005553
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Translate FR->EN:
revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support est électriquement isolant.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'après le bombardement, on effectue la morsure de la surface pour exposer un plan à forte concentration en ions implan-10 tés. 4» Procédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les ions de bombardement sont d'énergie relativement faible et qu'une 8outro£ d'électrons est fournie pour neutraliser la charge de surface sur ce support au cours du bombardement. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, caracté risé en ce que le métal déposé, non adhérent sur la zone non bombardée du support, est éliminé par lavage ou essuyage.\n<CLM>\1\tProcédé sslon les revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que le support est le verre. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1, 2, 3, § ou 6, caractérisé en ce que les ions sont choisis parmi le bore, l'étain, et l'oxygène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les ions sont choisis parmi l'hydrogène, le nickel 25 et le palladium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1,2,3,5, 6 ou 7, caractérisé en ce que la solution est une solution de placage d'argent.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, carac-30 térisé en ce que la solution de placage est une solution de placage de nickel.\n<CLM>\1\tSupport plaqué par uijéiétal, obtenu par un procédé selon l'une des revendications 1,2,3,5,6,7 ou\n<CLM>\1\t12)Support plaqué par un métal, obtenu par un procédé selon 35 l'une des revendications 4, 8 ou 10.
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2005553
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<|BOS|>Translate FR->EN:
revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support est électriquement isolant.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'après le bombardement, on effectue la morsure de la surface pour exposer un plan à forte concentration en ions implan-10 tés. 4» Procédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les ions de bombardement sont d'énergie relativement faible et qu'une 8outro£ d'électrons est fournie pour neutraliser la charge de surface sur ce support au cours du bombardement. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, caracté risé en ce que le métal déposé, non adhérent sur la zone non bombardée du support, est éliminé par lavage ou essuyage.\n<CLM>\1\tProcédé sslon les revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que le support est le verre. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1, 2, 3, § ou 6, caractérisé en ce que les ions sont choisis parmi le bore, l'étain, et l'oxygène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les ions sont choisis parmi l'hydrogène, le nickel 25 et le palladium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1,2,3,5, 6 ou 7, caractérisé en ce que la solution est une solution de placage d'argent.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, carac-30 térisé en ce que la solution de placage est une solution de placage de nickel.\n<CLM>\1\tSupport plaqué par uijéiétal, obtenu par un procédé selon l'une des revendications 1,2,3,5,6,7 ou\n<CLM>\1\t12)Support plaqué par un métal, obtenu par un procédé selon 35 l'une des revendications 4, 8 ou 10.<|EOS|><|BOS|>2005553<|EOS|>
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2005553
<CLM>1
Process for the non-electric plating of a support, characterized in that the surface of the support is bombarded with ions, prior to the plating treatment of this surface by a non-electric plating solution. 5 2, Process according to claim 1, characterized in that the support is electrically insulating.
<CLM>1
Process according to claims 1 or 2, characterized in that after the bombardment, the surface is etched to expose a plan with a high concentration of implanted ions. 4» Process according to claims 1 or 2, characterized in that the bombardment ions are of relatively low energy and that an 8outro£ of electrons is provided to neutralize the surface charge on the support during the bombardment. 15
<CLM>1
Process according to one of claims 1 to 3, characterized in that the metal deposited, not adherent on the non-bombarded area of the support, is removed by washing or drying.
<CLM>1
Process according to claims 2 or 3, characterized in that the support is glass. 20
<CLM>1
Process according to one of claims 1, 2, 3, § or 6, characterized in that the ions are selected from boron, tin, and oxygen.
<CLM>1
Process according to one of claims 1 to 6, characterized in that the ions are selected from hydrogen, nickel, and palladium.
<CLM>1
Process according to one of claims 1, 2, 3, 5, 6 or 7, characterized in that the solution is a plating solution of silver.
<CLM>1
Process according to one of claims 1 to 8, characterized in that the plating solution is a plating solution of nickel.
<CLM>1
Plated metal support, obtained by a process according to one of claims 1, 2, 3, 5, 6, 7 or
<CLM>1
12) Plated metal support, obtained by a process according to claims 4, 8 or 10. <<<ENDTR>>>
<<<TR>>>
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FR2006001A1
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A1
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19691219
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claim
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claims
| 1
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REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de base, d'émetteur et de collecteur d'un transistor, et un bâti ou boîtier ayant une base métallique, ledit bloc comportant une quatrième zone du premier type de conductibilité dont une face est dans le même plan qu'une des grandes faces du bloc et formant une Jonction p-n avec la zone contiguë du deuxième type de conductibilité, le bloc étant fixé à la base métallique seulement le long de la surface de cette quatrième zone. 2.- Dispositif selon revendication 1, comprenant trois conducteurs électriques traversant la base et électriquement isolés de cette base, chacun de ces conducteurs étant électriquement connecté à une zone du transistor. 3.- Dispositif selon revendication 1 ou 2, dans lequel une pièce renfermant le bloc à l'intérieur de ses parois est fixée à la base métallique, de façon à isoler le bloc de l'atmosphère ambiante. 4.- Dispositif selon revendication 3, dans lequel la pièce est en céramique. 5.- Dispositif selon revendication 3 dans lequel la pièce est métallique. 6.- Dispositif selon reendication 1 dans lequel la première zone est du type -p de conductibilité.
| 1,395
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REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de base, d'émetteur et de collecteur d'un transistor, et un bâti ou boîtier ayant une base métallique, ledit bloc comportant une quatrième zone du premier type de conductibilité dont une face est dans le même plan qu'une des grandes faces du bloc et formant une Jonction p-n avec la zone contiguë du deuxième type de conductibilité, le bloc étant fixé à la base métallique seulement le long de la surface de cette quatrième zone. 2.- Dispositif selon revendication 1, comprenant trois conducteurs électriques traversant la base et électriquement isolés de cette base, chacun de ces conducteurs étant électriquement connecté à une zone du transistor. 3.- Dispositif selon revendication 1 ou 2, dans lequel une pièce renfermant le bloc à l'intérieur de ses parois est fixée à la base métallique, de façon à isoler le bloc de l'atmosphère ambiante. 4.- Dispositif selon revendication 3, dans lequel la pièce est en céramique. 5.- Dispositif selon revendication 3 dans lequel la pièce est métallique. 6.- Dispositif selon reendication 1 dans lequel la première zone est du type -p de conductibilité.
| 1,395
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REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a housing or case having a metallic base, said block comprising a fourth region of first type of conductivity, one face of which is in the same plane as one of the large faces of the block and forming a p-n junction with the contiguous region of second type of conductivity, said block being fixed to the metallic base only along the surface of this fourth region. 2.- A device according to claim 1, comprising three electrical conductors passing through the base and electrically insulated from this base, each of these conductors being electrically connected to a region of the transistor. 3.- A device according to claim 1 or 2, in which a piece containing the block within its walls is fixed to the metallic base, in order to isolate the block from the ambient atmosphere. 4.- A device according to claim 3, in which the piece is made of ceramic. 5.- A device according to claim 3 in which the piece is metallic. 6.- A device according to claim 1 in which the first region is of type -p conductivity.
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REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de base, d'émetteur et de collecteur d'un transistor, et un bâti ou boîtier ayant une base métallique, ledit bloc comportant une quatrième zone du premier type de conductibilité dont une face est dans le même plan qu'une des grandes faces du bloc et formant une Jonction p-n avec la zone contiguë du deuxième type de conductibilité, le bloc étant fixé à la base métallique seulement le long de la surface de cette quatrième zone. 2.- Dispositif selon revendication 1, comprenant trois conducteurs électriques traversant la base et électriquement isolés de cette base, chacun de ces conducteurs étant électriquement connecté à une zone du transistor. 3.- Dispositif selon revendication 1 ou 2, dans lequel une pièce renfermant le bloc à l'intérieur de ses parois est fixée à la base métallique, de façon à isoler le bloc de l'atmosphère ambiante. 4.- Dispositif selon revendication 3, dans lequel la pièce est en céramique. 5.- Dispositif selon revendication 3 dans lequel la pièce est métallique. 6.- Dispositif selon reendication 1 dans lequel la première zone est du type -p de conductibilité.
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REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a housing or case having a metallic base, said block comprising a fourth region of first type of conductivity, one face of which is in the same plane as one of the large faces of the block and forming a p-n junction with the contiguous region of second type of conductivity, said block being fixed to the metallic base only along the surface of this fourth region. 2.- A device according to claim 1, comprising three electrical conductors passing through the base and electrically insulated from this base, each of these conductors being electrically connected to a region of the transistor. 3.- A device according to claim 1 or 2, in which a piece containing the block within its walls is fixed to the metallic base, in order to isolate the block from the ambient atmosphere. 4.- A device according to claim 3, in which the piece is made of ceramic. 5.- A device according to claim 3 in which the piece is metallic. 6.- A device according to claim 1 in which the first region is of type -p conductivity.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de base, d'émetteur et de collecteur d'un transistor, et un bâti ou boîtier ayant une base métallique, ledit bloc comportant une quatrième zone du premier type de conductibilité dont une face est dans le même plan qu'une des grandes faces du bloc et formant une Jonction p-n avec la zone contiguë du deuxième type de conductibilité, le bloc étant fixé à la base métallique seulement le long de la surface de cette quatrième zone. 2.- Dispositif selon revendication 1, comprenant trois conducteurs électriques traversant la base et électriquement isolés de cette base, chacun de ces conducteurs étant électriquement connecté à une zone du transistor. 3.- Dispositif selon revendication 1 ou 2, dans lequel une pièce renfermant le bloc à l'intérieur de ses parois est fixée à la base métallique, de façon à isoler le bloc de l'atmosphère ambiante. 4.- Dispositif selon revendication 3, dans lequel la pièce est en céramique. 5.- Dispositif selon revendication 3 dans lequel la pièce est métallique. 6.- Dispositif selon reendication 1 dans lequel la première zone est du type -p de conductibilité.<|EOS|><|BOS|>REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a housing or case having a metallic base, said block comprising a fourth region of first type of conductivity, one face of which is in the same plane as one of the large faces of the block and forming a p-n junction with the contiguous region of second type of conductivity, said block being fixed to the metallic base only along the surface of this fourth region. 2.- A device according to claim 1, comprising three electrical conductors passing through the base and electrically insulated from this base, each of these conductors being electrically connected to a region of the transistor. 3.- A device according to claim 1 or 2, in which a piece containing the block within its walls is fixed to the metallic base, in order to isolate the block from the ambient atmosphere. 4.- A device according to claim 3, in which the piece is made of ceramic. 5.- A device according to claim 3 in which the piece is metallic. 6.- A device according to claim 1 in which the first region is of type -p conductivity.<|EOS|>
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REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a housing or case having a metallic base, said block comprising a fourth region of first type of conductivity, one face of which is in the same plane as one of the large faces of the block and forming a p-n junction with the contiguous region of second type of conductivity, said block being fixed to the metallic base only along the surface of this fourth region. 2.- A device according to claim 1, comprising three electrical conductors passing through the base and electrically insulated from this base, each of these conductors being electrically connected to a region of the transistor. 3.- A device according to claim 1 or 2, in which a piece containing the block within its walls is fixed to the metallic base, in order to isolate the block from the ambient atmosphere. 4.- A device according to claim 3, in which the piece is made of ceramic. 5.- A device according to claim 3 in which the piece is metallic. 6.- A device according to claim 1 in which the first region is of type -p conductivity. <<<ENDTR>>>
REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a housing or case having a metallic base, said block comprising a fourth region of first type of conductivity, one face of which is in the same plane as one of the large faces of the block and forming a p-n junction with the contiguous region of second type of conductivity, said block being fixed to the metallic base only along the surface of this fourth region. 2.- A device according to claim 1, comprising three electrical conductors passing through the base and electrically insulated from this base, each of these conductors being electrically connected to a region of the transistor. 3.- A device according to claim 1 or 2, in which a piece containing the block within its walls is fixed to the metallic base, in order to isolate the block from the ambient atmosphere. 4.- A device according to claim 3, in which the piece is made of ceramic. 5.- A device according to claim 3 in which the piece is metallic. 6.- A device according to claim 1 in which the first region is of type -p conductivity. <<<ENDTR>>>
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FR2006538A1
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A1
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19691226
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claim
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claims
| 1
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69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classification périodique des Eléments. 2°- Procédé conforme à la revendication 1, dans lequel le métal est le nickel et le substrat une matière plastique. 10 3>°- Procédé conforme à la revendication 2, dans lequel la matière plastique est un polyprojylène . 4°- Procédé conforme à la revendication 2, dans lequel la matière plastique est un chlorure de polyvinyle. 5°- Article comprenant un substrat, un phosphure 15 métallique adhérent lié à sa surface et une composition de revêtement durcissable polymérisée adhérant au phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB et VIII de la Classification périodique des Eléments. 6°- Article cconforme à la revendication 5, dans lequel 20 le revêtement durcissable est une peinture. 7°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le revêtement durcissable est une laque» 8°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le revêtement durcissable est un émail. 25 9°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le substrat est une matière plastique et le métal est le nickel. 10°- Article conforme à la revendication 9, dans lequel la matière plastique est un polypropylène. Il0- Article conforme à la revendication 9» dans lequel 30 la matière plastique est un chlorure de polyvinyle.
| 1,586
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69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classification périodique des Eléments. 2°- Procédé conforme à la revendication 1, dans lequel le métal est le nickel et le substrat une matière plastique. 10 3>°- Procédé conforme à la revendication 2, dans lequel la matière plastique est un polyprojylène . 4°- Procédé conforme à la revendication 2, dans lequel la matière plastique est un chlorure de polyvinyle. 5°- Article comprenant un substrat, un phosphure 15 métallique adhérent lié à sa surface et une composition de revêtement durcissable polymérisée adhérant au phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB et VIII de la Classification périodique des Eléments. 6°- Article cconforme à la revendication 5, dans lequel 20 le revêtement durcissable est une peinture. 7°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le revêtement durcissable est une laque» 8°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le revêtement durcissable est un émail. 25 9°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le substrat est une matière plastique et le métal est le nickel. 10°- Article conforme à la revendication 9, dans lequel la matière plastique est un polypropylène. Il0- Article conforme à la revendication 9» dans lequel 30 la matière plastique est un chlorure de polyvinyle.
| 1,586
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69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which the metal is nickel and the substrate is a plastic material. 10 3°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polypropylene. 4°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polyvinyl chloride. 5°- Article comprising a substrate, an adherent metallic phosphate coating on its surface, and a hardening composition polymerized and adhering to the metallic phosphate, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 6°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a paint. 7°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a lacquer. 8°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is an enamel. 25 9°- Article in accordance with claim 5, in which the substrate is a plastic material and the metal is nickel. 10°- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polypropylene. Il0- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polyvinyl chloride.
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69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classification périodique des Eléments. 2°- Procédé conforme à la revendication 1, dans lequel le métal est le nickel et le substrat une matière plastique. 10 3>°- Procédé conforme à la revendication 2, dans lequel la matière plastique est un polyprojylène . 4°- Procédé conforme à la revendication 2, dans lequel la matière plastique est un chlorure de polyvinyle. 5°- Article comprenant un substrat, un phosphure 15 métallique adhérent lié à sa surface et une composition de revêtement durcissable polymérisée adhérant au phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB et VIII de la Classification périodique des Eléments. 6°- Article cconforme à la revendication 5, dans lequel 20 le revêtement durcissable est une peinture. 7°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le revêtement durcissable est une laque» 8°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le revêtement durcissable est un émail. 25 9°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le substrat est une matière plastique et le métal est le nickel. 10°- Article conforme à la revendication 9, dans lequel la matière plastique est un polypropylène. Il0- Article conforme à la revendication 9» dans lequel 30 la matière plastique est un chlorure de polyvinyle.
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69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which the metal is nickel and the substrate is a plastic material. 10 3°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polypropylene. 4°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polyvinyl chloride. 5°- Article comprising a substrate, an adherent metallic phosphate coating on its surface, and a hardening composition polymerized and adhering to the metallic phosphate, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 6°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a paint. 7°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a lacquer. 8°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is an enamel. 25 9°- Article in accordance with claim 5, in which the substrate is a plastic material and the metal is nickel. 10°- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polypropylene. Il0- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polyvinyl chloride.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classification périodique des Eléments. 2°- Procédé conforme à la revendication 1, dans lequel le métal est le nickel et le substrat une matière plastique. 10 3>°- Procédé conforme à la revendication 2, dans lequel la matière plastique est un polyprojylène . 4°- Procédé conforme à la revendication 2, dans lequel la matière plastique est un chlorure de polyvinyle. 5°- Article comprenant un substrat, un phosphure 15 métallique adhérent lié à sa surface et une composition de revêtement durcissable polymérisée adhérant au phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB et VIII de la Classification périodique des Eléments. 6°- Article cconforme à la revendication 5, dans lequel 20 le revêtement durcissable est une peinture. 7°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le revêtement durcissable est une laque» 8°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le revêtement durcissable est un émail. 25 9°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le substrat est une matière plastique et le métal est le nickel. 10°- Article conforme à la revendication 9, dans lequel la matière plastique est un polypropylène. Il0- Article conforme à la revendication 9» dans lequel 30 la matière plastique est un chlorure de polyvinyle.<|EOS|><|BOS|>69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which the metal is nickel and the substrate is a plastic material. 10 3°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polypropylene. 4°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polyvinyl chloride. 5°- Article comprising a substrate, an adherent metallic phosphate coating on its surface, and a hardening composition polymerized and adhering to the metallic phosphate, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 6°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a paint. 7°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a lacquer. 8°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is an enamel. 25 9°- Article in accordance with claim 5, in which the substrate is a plastic material and the metal is nickel. 10°- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polypropylene. Il0- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polyvinyl chloride.<|EOS|>
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69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which the metal is nickel and the substrate is a plastic material. 10 3°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polypropylene. 4°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polyvinyl chloride. 5°- Article comprising a substrate, an adherent metallic phosphate coating on its surface, and a hardening composition polymerized and adhering to the metallic phosphate, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 6°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a paint. 7°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a lacquer. 8°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is an enamel. 25 9°- Article in accordance with claim 5, in which the substrate is a plastic material and the metal is nickel. 10°- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polypropylene. Il0- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polyvinyl chloride. <<<ENDTR>>>
69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which the metal is nickel and the substrate is a plastic material. 10 3°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polypropylene. 4°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polyvinyl chloride. 5°- Article comprising a substrate, an adherent metallic phosphate coating on its surface, and a hardening composition polymerized and adhering to the metallic phosphate, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 6°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a paint. 7°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a lacquer. 8°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is an enamel. 25 9°- Article in accordance with claim 5, in which the substrate is a plastic material and the metal is nickel. 10°- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polypropylene. Il0- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polyvinyl chloride. <<<ENDTR>>>
69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which the metal is nickel and the substrate is a plastic material. 10 3°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polypropylene. 4°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polyvinyl chloride. 5°- Article comprising a substrate, an adherent metallic phosphate coating on its surface, and a hardening composition polymerized and adhering to the metallic phosphate, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 6°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a paint. 7°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a lacquer. 8°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is an enamel. 25 9°- Article in accordance with claim 5, in which the substrate is a plastic material and the metal is nickel. 10°- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polypropylene. Il0- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polyvinyl chloride. <<<ENDTR>>>
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FR2006708A1
|
A1
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19700102
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claim
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claims
| 1
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R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surface.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1 caractérisé par le fait qu'une couche d'or est appliquée sur au moins une partie de la couche de tungstène. à3) Dispositif suivant la revendication 1, formant un dispositif/diode, caractérisé par le fait que la couche de tungstène sé- tend sur une couche isolante et traverse une couverture de celleci pour établir un contact redresseur avec la surface du substrat de manière à former une diode.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 5, caractérisé par le fait qu'une région de type de conductibilité n est ineluse dans le substrat en silicium et s'étend jusqu'à une partie de la surface sous-jacente à une couche de tungstène, cette région du type n présentant une résistivité de l'ordure d'environ 0,025 à environ 5 ohms-cm.\n<CLM>\1\tDispositif suivant l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait qu'un autre contact en tungstène est déposé sur la surface du substrat, cet autre contact établissant un contact ohmique avec le substrat en silicium.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par une région semi-conductrice ayant une résistivité d'environ 0,25 à en virion 5 ohms-cm dans le substrat en silicium, région qui s'étend jusqu'à une partie de la surface du substrat sous-jacente à un pre- mier contact en tungstène, et une région du type n ayant une ré- sistivité inférieure à environ 0,005 ohm-cm dans le substrat en 51 licium et s'étendant jusqu'à une partie de ladite surface sous-ja- vente à un autre contact en tungstène.
| 1,842
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R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surface.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1 caractérisé par le fait qu'une couche d'or est appliquée sur au moins une partie de la couche de tungstène. à3) Dispositif suivant la revendication 1, formant un dispositif/diode, caractérisé par le fait que la couche de tungstène sé- tend sur une couche isolante et traverse une couverture de celleci pour établir un contact redresseur avec la surface du substrat de manière à former une diode.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 5, caractérisé par le fait qu'une région de type de conductibilité n est ineluse dans le substrat en silicium et s'étend jusqu'à une partie de la surface sous-jacente à une couche de tungstène, cette région du type n présentant une résistivité de l'ordure d'environ 0,025 à environ 5 ohms-cm.\n<CLM>\1\tDispositif suivant l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait qu'un autre contact en tungstène est déposé sur la surface du substrat, cet autre contact établissant un contact ohmique avec le substrat en silicium.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par une région semi-conductrice ayant une résistivité d'environ 0,25 à en virion 5 ohms-cm dans le substrat en silicium, région qui s'étend jusqu'à une partie de la surface du substrat sous-jacente à un pre- mier contact en tungstène, et une région du type n ayant une ré- sistivité inférieure à environ 0,005 ohm-cm dans le substrat en 51 licium et s'étendant jusqu'à une partie de ladite surface sous-ja- vente à un autre contact en tungstène.
| 1,842
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Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surface.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1 caractérisé par le fait qu'une couche d'or est appliquée sur au moins une partie de la couche de tungstène. à3) Dispositif suivant la revendication 1, formant un dispositif/diode, caractérisé par le fait que la couche de tungstène sé- tend sur une couche isolante et traverse une couverture de celleci pour établir un contact redresseur avec la surface du substrat de manière à former une diode.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 5, caractérisé par le fait qu'une région de type de conductibilité n est ineluse dans le substrat en silicium et s'étend jusqu'à une partie de la surface sous-jacente à une couche de tungstène, cette région du type n présentant une résistivité de l'ordure d'environ 0,025 à environ 5 ohms-cm.\n<CLM>\1\tDispositif suivant l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait qu'un autre contact en tungstène est déposé sur la surface du substrat, cet autre contact établissant un contact ohmique avec le substrat en silicium.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par une région semi-conductrice ayant une résistivité d'environ 0,25 à en virion 5 ohms-cm dans le substrat en silicium, région qui s'étend jusqu'à une partie de la surface du substrat sous-jacente à un pre- mier contact en tungstène, et une région du type n ayant une ré- sistivité inférieure à environ 0,005 ohm-cm dans le substrat en 51 licium et s'étendant jusqu'à une partie de ladite surface sous-ja- vente à un autre contact en tungstène.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surface.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1 caractérisé par le fait qu'une couche d'or est appliquée sur au moins une partie de la couche de tungstène. à3) Dispositif suivant la revendication 1, formant un dispositif/diode, caractérisé par le fait que la couche de tungstène sé- tend sur une couche isolante et traverse une couverture de celleci pour établir un contact redresseur avec la surface du substrat de manière à former une diode.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 5, caractérisé par le fait qu'une région de type de conductibilité n est ineluse dans le substrat en silicium et s'étend jusqu'à une partie de la surface sous-jacente à une couche de tungstène, cette région du type n présentant une résistivité de l'ordure d'environ 0,025 à environ 5 ohms-cm.\n<CLM>\1\tDispositif suivant l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait qu'un autre contact en tungstène est déposé sur la surface du substrat, cet autre contact établissant un contact ohmique avec le substrat en silicium.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par une région semi-conductrice ayant une résistivité d'environ 0,25 à en virion 5 ohms-cm dans le substrat en silicium, région qui s'étend jusqu'à une partie de la surface du substrat sous-jacente à un pre- mier contact en tungstène, et une région du type n ayant une ré- sistivité inférieure à environ 0,005 ohm-cm dans le substrat en 51 licium et s'étendant jusqu'à une partie de ladite surface sous-ja- vente à un autre contact en tungstène.<|EOS|><|BOS|><|EOS|>
| |||
FR2007542A1
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A1
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19700109
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claim
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claims
| 1
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13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ce que sur le corps de base semiconducteur, fortement dopé, se comportant comme le substrat pour la position de la zone, on diffuse une zone fortement dopée d'un type de conductivité en opposition de celui du corps de base, en ce que la surfaoe semi-conductrice comportant la zono est recouverte avec une couoh.e épitaxiale du 10 m$me type de conductivité que la zone et d'épaisseur telle qu'au cours do la diffusion suivante d'une aone isolante, autour de la zone fortement dopée et d'une diffusion effectuée simultanément d'une autre zone de l'élément semiconducteur, la zone isolante se combine aveo la zone de diffusion qui s'est formée à l'extérieur du substrat au cours du prooédé épitaxial. 15 2°) Procédé selon la revendication 1°), caractérisé en ce qu'on effeotue la diffusion de la zone de base d'un transistor en mÊme temps que la diffusion d'une zone isolante.
| 1,193
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13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ce que sur le corps de base semiconducteur, fortement dopé, se comportant comme le substrat pour la position de la zone, on diffuse une zone fortement dopée d'un type de conductivité en opposition de celui du corps de base, en ce que la surfaoe semi-conductrice comportant la zono est recouverte avec une couoh.e épitaxiale du 10 m$me type de conductivité que la zone et d'épaisseur telle qu'au cours do la diffusion suivante d'une aone isolante, autour de la zone fortement dopée et d'une diffusion effectuée simultanément d'une autre zone de l'élément semiconducteur, la zone isolante se combine aveo la zone de diffusion qui s'est formée à l'extérieur du substrat au cours du prooédé épitaxial. 15 2°) Procédé selon la revendication 1°), caractérisé en ce qu'on effeotue la diffusion de la zone de base d'un transistor en mÊme temps que la diffusion d'une zone isolante.
| 1,193
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13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ce que sur le corps de base semiconducteur, fortement dopé, se comportant comme le substrat pour la position de la zone, on diffuse une zone fortement dopée d'un type de conductivité en opposition de celui du corps de base, en ce que la surfaoe semi-conductrice comportant la zono est recouverte avec une couoh.e épitaxiale du 10 m$me type de conductivité que la zone et d'épaisseur telle qu'au cours do la diffusion suivante d'une aone isolante, autour de la zone fortement dopée et d'une diffusion effectuée simultanément d'une autre zone de l'élément semiconducteur, la zone isolante se combine aveo la zone de diffusion qui s'est formée à l'extérieur du substrat au cours du prooédé épitaxial. 15 2°) Procédé selon la revendication 1°), caractérisé en ce qu'on effeotue la diffusion de la zone de base d'un transistor en mÊme temps que la diffusion d'une zone isolante.
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13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ce que sur le corps de base semiconducteur, fortement dopé, se comportant comme le substrat pour la position de la zone, on diffuse une zone fortement dopée d'un type de conductivité en opposition de celui du corps de base, en ce que la surfaoe semi-conductrice comportant la zono est recouverte avec une couoh.e épitaxiale du 10 m$me type de conductivité que la zone et d'épaisseur telle qu'au cours do la diffusion suivante d'une aone isolante, autour de la zone fortement dopée et d'une diffusion effectuée simultanément d'une autre zone de l'élément semiconducteur, la zone isolante se combine aveo la zone de diffusion qui s'est formée à l'extérieur du substrat au cours du prooédé épitaxial. 15 2°) Procédé selon la revendication 1°), caractérisé en ce qu'on effeotue la diffusion de la zone de base d'un transistor en mÊme temps que la diffusion d'une zone isolante.
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13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ce que sur le corps de base semiconducteur, fortement dopé, se comportant comme le substrat pour la position de la zone, on diffuse une zone fortement dopée d'un type de conductivité en opposition de celui du corps de base, en ce que la surfaoe semi-conductrice comportant la zono est recouverte avec une couoh.e épitaxiale du 10 m$me type de conductivité que la zone et d'épaisseur telle qu'au cours do la diffusion suivante d'une aone isolante, autour de la zone fortement dopée et d'une diffusion effectuée simultanément d'une autre zone de l'élément semiconducteur, la zone isolante se combine aveo la zone de diffusion qui s'est formée à l'extérieur du substrat au cours du prooédé épitaxial. 15 2°) Procédé selon la revendication 1°), caractérisé en ce qu'on effeotue la diffusion de la zone de base d'un transistor en mÊme temps que la diffusion d'une zone isolante.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ce que sur le corps de base semiconducteur, fortement dopé, se comportant comme le substrat pour la position de la zone, on diffuse une zone fortement dopée d'un type de conductivité en opposition de celui du corps de base, en ce que la surfaoe semi-conductrice comportant la zono est recouverte avec une couoh.e épitaxiale du 10 m$me type de conductivité que la zone et d'épaisseur telle qu'au cours do la diffusion suivante d'une aone isolante, autour de la zone fortement dopée et d'une diffusion effectuée simultanément d'une autre zone de l'élément semiconducteur, la zone isolante se combine aveo la zone de diffusion qui s'est formée à l'extérieur du substrat au cours du prooédé épitaxial. 15 2°) Procédé selon la revendication 1°), caractérisé en ce qu'on effeotue la diffusion de la zone de base d'un transistor en mÊme temps que la diffusion d'une zone isolante.<|EOS|><|BOS|>13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ce que sur le corps de base semiconducteur, fortement dopé, se comportant comme le substrat pour la position de la zone, on diffuse une zone fortement dopée d'un type de conductivité en opposition de celui du corps de base, en ce que la surfaoe semi-conductrice comportant la zono est recouverte avec une couoh.e épitaxiale du 10 m$me type de conductivité que la zone et d'épaisseur telle qu'au cours do la diffusion suivante d'une aone isolante, autour de la zone fortement dopée et d'une diffusion effectuée simultanément d'une autre zone de l'élément semiconducteur, la zone isolante se combine aveo la zone de diffusion qui s'est formée à l'extérieur du substrat au cours du prooédé épitaxial. 15 2°) Procédé selon la revendication 1°), caractérisé en ce qu'on effeotue la diffusion de la zone de base d'un transistor en mÊme temps que la diffusion d'une zone isolante.<|EOS|>
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13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ce que sur le corps de base semiconducteur, fortement dopé, se comportant comme le substrat pour la position de la zone, on diffuse une zone fortement dopée d'un type de conductivité en opposition de celui du corps de base, en ce que la surfaoe semi-conductrice comportant la zono est recouverte avec une couoh.e épitaxiale du 10 m$me type de conductivité que la zone et d'épaisseur telle qu'au cours do la diffusion suivante d'une aone isolante, autour de la zone fortement dopée et d'une diffusion effectuée simultanément d'une autre zone de l'élément semiconducteur, la zone isolante se combine aveo la zone de diffusion qui s'est formée à l'extérieur du substrat au cours du prooédé épitaxial. 15 2°) Procédé selon la revendication 1°), caractérisé en ce qu'on effeotue la diffusion de la zone de base d'un transistor en mÊme temps que la diffusion d'une zone isolante. <<<ENDTR>>>
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FR2008236A1
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A1
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19700116
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claim
|
claims
| 1
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Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découvert des parties de circuits, caractérisé par des interconnexions à couches multiples disposées sur la couche isolante connectant électriquement certaines parties des éléments de circuit à travers les trous de la couche 10 isolante, au moins une couche de l'interconnexion à couches multiples étant composée de rhénium. 2 - Dispositif de connexion suivant la revendication 1 caractérisé en ce sur les interconnexions électriques comprennent une couche inférieure en rhénium et une couche métallique supé- 15 rieure, fortement conductrice. 3 - Dispositif suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la couche métallique fortement conductrice est en or. 4 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les interconnexions à couches multiples comprennent deux 20 couches de rhénium disposées de part et d'autre d'une couche métallique fortement conductrice. 5 - Dispositif suivant la revendication 4, caractérisé en ce que la couche fortement conductrice comprise entre les deux couches de rhénium est en or. 25 6 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'une seconde interconnexion à couches multiples est appliquée sur la première interconnexion à couches multiple mais en est isolée et en ce que la seconde interconnexion à couches multiples comprend une couche inférieure en rhénium et une couche 30 supérieure en métal fortement conducteur. 7 - Dispositif suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le métal fortement conducteur est de l'or.
| 1,792
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Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découvert des parties de circuits, caractérisé par des interconnexions à couches multiples disposées sur la couche isolante connectant électriquement certaines parties des éléments de circuit à travers les trous de la couche 10 isolante, au moins une couche de l'interconnexion à couches multiples étant composée de rhénium. 2 - Dispositif de connexion suivant la revendication 1 caractérisé en ce sur les interconnexions électriques comprennent une couche inférieure en rhénium et une couche métallique supé- 15 rieure, fortement conductrice. 3 - Dispositif suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la couche métallique fortement conductrice est en or. 4 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les interconnexions à couches multiples comprennent deux 20 couches de rhénium disposées de part et d'autre d'une couche métallique fortement conductrice. 5 - Dispositif suivant la revendication 4, caractérisé en ce que la couche fortement conductrice comprise entre les deux couches de rhénium est en or. 25 6 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'une seconde interconnexion à couches multiples est appliquée sur la première interconnexion à couches multiple mais en est isolée et en ce que la seconde interconnexion à couches multiples comprend une couche inférieure en rhénium et une couche 30 supérieure en métal fortement conducteur. 7 - Dispositif suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le métal fortement conducteur est de l'or.
| 1,792
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Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections disposed on the insulating layer electrically connecting certain parts of the circuit elements through the holes of the insulating layer 10, at least one of the multiple-layer interconnections being composed of rhenium. 2 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the electrical interconnections include a lower layer of rhenium and a metal upper layer, highly conductive. 3 - Electrical connection device according to claim 2, characterized in that the highly conductive metal upper layer is made of gold. 4 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the multiple-layer interconnections include two layers of rhenium disposed on either side of a highly conductive metal upper layer. 5 - Electrical connection device according to claim 4, characterized in that the highly conductive layer between the two rhenium layers is made of gold. 25 6 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that a second multiple-layer interconnection is applied on the first multiple-layer interconnection but is isolated and that the second multiple-layer interconnection comprises a lower layer of rhenium and an upper layer of highly conductive metal. 7 - Electrical connection device according to claim 6, characterized in that the highly conductive metal is made of gold.
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Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découvert des parties de circuits, caractérisé par des interconnexions à couches multiples disposées sur la couche isolante connectant électriquement certaines parties des éléments de circuit à travers les trous de la couche 10 isolante, au moins une couche de l'interconnexion à couches multiples étant composée de rhénium. 2 - Dispositif de connexion suivant la revendication 1 caractérisé en ce sur les interconnexions électriques comprennent une couche inférieure en rhénium et une couche métallique supé- 15 rieure, fortement conductrice. 3 - Dispositif suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la couche métallique fortement conductrice est en or. 4 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les interconnexions à couches multiples comprennent deux 20 couches de rhénium disposées de part et d'autre d'une couche métallique fortement conductrice. 5 - Dispositif suivant la revendication 4, caractérisé en ce que la couche fortement conductrice comprise entre les deux couches de rhénium est en or. 25 6 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'une seconde interconnexion à couches multiples est appliquée sur la première interconnexion à couches multiple mais en est isolée et en ce que la seconde interconnexion à couches multiples comprend une couche inférieure en rhénium et une couche 30 supérieure en métal fortement conducteur. 7 - Dispositif suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le métal fortement conducteur est de l'or.
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Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections disposed on the insulating layer electrically connecting certain parts of the circuit elements through the holes of the insulating layer 10, at least one of the multiple-layer interconnections being composed of rhenium. 2 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the electrical interconnections include a lower layer of rhenium and a metal upper layer, highly conductive. 3 - Electrical connection device according to claim 2, characterized in that the highly conductive metal upper layer is made of gold. 4 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the multiple-layer interconnections include two layers of rhenium disposed on either side of a highly conductive metal upper layer. 5 - Electrical connection device according to claim 4, characterized in that the highly conductive layer between the two rhenium layers is made of gold. 25 6 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that a second multiple-layer interconnection is applied on the first multiple-layer interconnection but is isolated and that the second multiple-layer interconnection comprises a lower layer of rhenium and an upper layer of highly conductive metal. 7 - Electrical connection device according to claim 6, characterized in that the highly conductive metal is made of gold.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découvert des parties de circuits, caractérisé par des interconnexions à couches multiples disposées sur la couche isolante connectant électriquement certaines parties des éléments de circuit à travers les trous de la couche 10 isolante, au moins une couche de l'interconnexion à couches multiples étant composée de rhénium. 2 - Dispositif de connexion suivant la revendication 1 caractérisé en ce sur les interconnexions électriques comprennent une couche inférieure en rhénium et une couche métallique supé- 15 rieure, fortement conductrice. 3 - Dispositif suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la couche métallique fortement conductrice est en or. 4 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les interconnexions à couches multiples comprennent deux 20 couches de rhénium disposées de part et d'autre d'une couche métallique fortement conductrice. 5 - Dispositif suivant la revendication 4, caractérisé en ce que la couche fortement conductrice comprise entre les deux couches de rhénium est en or. 25 6 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'une seconde interconnexion à couches multiples est appliquée sur la première interconnexion à couches multiple mais en est isolée et en ce que la seconde interconnexion à couches multiples comprend une couche inférieure en rhénium et une couche 30 supérieure en métal fortement conducteur. 7 - Dispositif suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le métal fortement conducteur est de l'or.<|EOS|><|BOS|>Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections disposed on the insulating layer electrically connecting certain parts of the circuit elements through the holes of the insulating layer 10, at least one of the multiple-layer interconnections being composed of rhenium. 2 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the electrical interconnections include a lower layer of rhenium and a metal upper layer, highly conductive. 3 - Electrical connection device according to claim 2, characterized in that the highly conductive metal upper layer is made of gold. 4 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the multiple-layer interconnections include two layers of rhenium disposed on either side of a highly conductive metal upper layer. 5 - Electrical connection device according to claim 4, characterized in that the highly conductive layer between the two rhenium layers is made of gold. 25 6 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that a second multiple-layer interconnection is applied on the first multiple-layer interconnection but is isolated and that the second multiple-layer interconnection comprises a lower layer of rhenium and an upper layer of highly conductive metal. 7 - Electrical connection device according to claim 6, characterized in that the highly conductive metal is made of gold.<|EOS|>
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Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections disposed on the insulating layer electrically connecting certain parts of the circuit elements through the holes of the insulating layer 10, at least one of the multiple-layer interconnections being composed of rhenium. 2 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the electrical interconnections include a lower layer of rhenium and a metal upper layer, highly conductive. 3 - Electrical connection device according to claim 2, characterized in that the highly conductive metal upper layer is made of gold. 4 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the multiple-layer interconnections include two layers of rhenium disposed on either side of a highly conductive metal upper layer. 5 - Electrical connection device according to claim 4, characterized in that the highly conductive layer between the two rhenium layers is made of gold. 25 6 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that a second multiple-layer interconnection is applied on the first multiple-layer interconnection but is isolated and that the second multiple-layer interconnection comprises a lower layer of rhenium and an upper layer of highly conductive metal. 7 - Electrical connection device according to claim 6, characterized in that the highly conductive metal is made of gold. <<<ENDTR>>>
Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections disposed on the insulating layer electrically connecting certain parts of the circuit elements through the holes of the insulating layer 10, at least one of the multiple-layer interconnections being composed of rhenium. 2 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the electrical interconnections include a lower layer of rhenium and a metal upper layer, highly conductive. 3 - Electrical connection device according to claim 2, characterized in that the highly conductive metal upper layer is made of gold. 4 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the multiple-layer interconnections include two layers of rhenium disposed on either side of a highly conductive metal upper layer. 5 - Electrical connection device according to claim 4, characterized in that the highly conductive layer between the two rhenium layers is made of gold. 25 6 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that a second multiple-layer interconnection is applied on the first multiple-layer interconnection but is isolated and that the second multiple-layer interconnection comprises a lower layer of rhenium and an upper layer of highly conductive metal. 7 - Electrical connection device according to claim 6, characterized in that the highly conductive metal is made of gold. <<<ENDTR>>>
Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections disposed on the insulating layer electrically connecting certain parts of the circuit elements through the holes of the insulating layer 10, at least one of the multiple-layer interconnections being composed of rhenium. 2 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the electrical interconnections include a lower layer of rhenium and a metal upper layer, highly conductive. 3 - Electrical connection device according to claim 2, characterized in that the highly conductive metal upper layer is made of gold. 4 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the multiple-layer interconnections include two layers of rhenium disposed on either side of a highly conductive metal upper layer. 5 - Electrical connection device according to claim 4, characterized in that the highly conductive layer between the two rhenium layers is made of gold. 25 6 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that a second multiple-layer interconnection is applied on the first multiple-layer interconnection but is isolated and that the second multiple-layer interconnection comprises a lower layer of rhenium and an upper layer of highly conductive metal. 7 - Electrical connection device according to claim 6, characterized in that the highly conductive metal is made of gold. <<<ENDTR>>>
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FR2008771A1
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A1
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19700123
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claim
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claims
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REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corrosion plus grande que celle du tungstène. 2 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal modifié appartient au groupe constitué par le titane, le tantale, le chrome, le zirconium, l'hafnium 10 et le silicium. 3 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche métallique à haute conductibilité est appliquée à une partie au moins de la couche métallique. 4 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, 15 caractérisé en ce que la couche à haute conductibilité est en or.
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REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corrosion plus grande que celle du tungstène. 2 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal modifié appartient au groupe constitué par le titane, le tantale, le chrome, le zirconium, l'hafnium 10 et le silicium. 3 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche métallique à haute conductibilité est appliquée à une partie au moins de la couche métallique. 4 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, 15 caractérisé en ce que la couche à haute conductibilité est en or.
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REQUIREMENTS 1 - A semiconductor device comprising a metallic layer providing a resistive connection to a part of the semiconductor device's surface, characterized in that the metallic layer comprises a mixture of tungsten and a modified metal having a corrosion resistance higher than that of tungsten. 2 - A semiconductor device according to claim 1, characterized in that the modified metal belongs to the group consisting of titanium, tantalum, chromium, zirconium, hafnium, and silicon. 3 - A semiconductor device according to claim 1, characterized in that a high conductivity metallic layer is applied to at least a part of the metallic layer. 4 - A semiconductor device according to claim 2, characterized in that the high conductivity layer is made of gold.
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REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corrosion plus grande que celle du tungstène. 2 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal modifié appartient au groupe constitué par le titane, le tantale, le chrome, le zirconium, l'hafnium 10 et le silicium. 3 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche métallique à haute conductibilité est appliquée à une partie au moins de la couche métallique. 4 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, 15 caractérisé en ce que la couche à haute conductibilité est en or.
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REQUIREMENTS 1 - A semiconductor device comprising a metallic layer providing a resistive connection to a part of the semiconductor device's surface, characterized in that the metallic layer comprises a mixture of tungsten and a modified metal having a corrosion resistance higher than that of tungsten. 2 - A semiconductor device according to claim 1, characterized in that the modified metal belongs to the group consisting of titanium, tantalum, chromium, zirconium, hafnium, and silicon. 3 - A semiconductor device according to claim 1, characterized in that a high conductivity metallic layer is applied to at least a part of the metallic layer. 4 - A semiconductor device according to claim 2, characterized in that the high conductivity layer is made of gold.
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<|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corrosion plus grande que celle du tungstène. 2 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal modifié appartient au groupe constitué par le titane, le tantale, le chrome, le zirconium, l'hafnium 10 et le silicium. 3 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche métallique à haute conductibilité est appliquée à une partie au moins de la couche métallique. 4 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, 15 caractérisé en ce que la couche à haute conductibilité est en or.<|EOS|><|BOS|>REQUIREMENTS 1 - A semiconductor device comprising a metallic layer providing a resistive connection to a part of the semiconductor device's surface, characterized in that the metallic layer comprises a mixture of tungsten and a modified metal having a corrosion resistance higher than that of tungsten. 2 - A semiconductor device according to claim 1, characterized in that the modified metal belongs to the group consisting of titanium, tantalum, chromium, zirconium, hafnium, and silicon. 3 - A semiconductor device according to claim 1, characterized in that a high conductivity metallic layer is applied to at least a part of the metallic layer. 4 - A semiconductor device according to claim 2, characterized in that the high conductivity layer is made of gold.<|EOS|>
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REQUIREMENTS 1 - A semiconductor device comprising a metallic layer providing a resistive connection to a part of the semiconductor device's surface, characterized in that the metallic layer comprises a mixture of tungsten and a modified metal having a corrosion resistance higher than that of tungsten. 2 - A semiconductor device according to claim 1, characterized in that the modified metal belongs to the group consisting of titanium, tantalum, chromium, zirconium, hafnium, and silicon. 3 - A semiconductor device according to claim 1, characterized in that a high conductivity metallic layer is applied to at least a part of the metallic layer. 4 - A semiconductor device according to claim 2, characterized in that the high conductivity layer is made of gold. <<<ENDTR>>>
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