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<\|BOS\|>Translate FR->EN: §9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un laminage à chaud, sont soumis à un laminage à froid 5 caractérisé en ce que le laminage à froid est réalisé en une ou plusieurs passes en assurant un écrouissage global de 5 à 10%.\n<CLM>\1\tProcédé selon 1 caractérisé en ce que Se matériau est soumis à un écrouissage à froid, dans une gamme de 5 à 10%, et à une température élevée de 100 à 400°C . 10\n<CLM>\1\tProcédé selon 1 caractérisé en ce que la matériau déformé à froid en ménageant un écrouissage de 5 à 10%, est soumis à un traitement de recuit à une température de 300 à 400°C. BAD ORIGINAL<\|EOS\|><\|BOS\|>§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcess of manufacture, starting from carbon steel and alloy steels, of sheets, bars and profiles with a high thickness, a high yield strength limit, and a Re/Rm ratio between 0.80 and 0.95, and which, after hot rolling, are subjected to a cold rolling process characterized in that the cold rolling is carried out in one or more passes ensuring a total elongation of 5 to 10%. \n<CLM>\1\tProcess according to 1 characterized in that the material is subjected to cold rolling, in a range of 5 to 10%, and at a high temperature of 100 to 400°C. 10\n<CLM>\1\tProcess according to 1 characterized in that the deformed material, with a cold rolling of 5 to 10%, is subjected to a recovery treatment at a temperature of 300 to 400°C. BAD ORIGINAL<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de sorte qutune sortie redressée puisse apparat- tre entre les plaques formant bornes quand les phases de l'alimen- tation sont reliées aux plaques de phase, ce redresseur étant caractérisé en ce que chaque diode comprend deux cuvettes conductrices entre lesquelles est disposée une pastille semi-conductrice, les cuvettes étant isolées l'une de l'autre, chaque diode étant supportée par et connectée à deux plaques grâce à des saillies sur les plaques qui s'engagent dans les parties creuses des cuvettes.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et thermique élevée, qui sert de plan d'alimentation et de source froide. 2 - Unité de circuit électrique selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat s'étend au delà des couches d'isolément et des conducteurs, de sorte qu'il peut être fixé à 10 tme conduite de fluide de refroidissement. 3 - Unité de circuit électrique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'isolement est une matière en verre-céramique. 4 - Unité de circuit électrique selon la revendication 3, 15 caractérisée en ce que le substrat porte les conduoteurs sur un côté et, sur l'autre, un plan d'alimentation auquel des connexions sont faites par l'intermédiaire de fils isolés par une matière en verre-céramique et traversant des trous dans le substrat. 5 - Procédé de fabrication d'une unité de cirouit électri-20 que selon la revendication 4, caractérisée en oe que le s«lsstr&t a une configuration de trous formés dedans,des fils protégés sont placés à travers les trous, l'ensemble est chauffé pour sceller les fils dans le substrat, les surfaces du substrat sont rendues plates par meulage, et les couches de conducteurs sont formées 25 sur le substrat.<\|EOS\|><\|BOS\|>69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Electrical unit of wire comprising several layers of mutually insulated conductors on a substrate for interconnecting multiple circuit components, characterized in that the substrate is a high electrical and thermal conductivity metal plate, serving as a power supply and cold source. 2 - Electrical unit according to claim 1, characterized in that the substrate extends beyond the insulation layers and conductors, so that it can be fixed to a 10 tme cooling fluid conduit. 3 - Electrical unit according to any one of the preceding claims, characterized in that the isolation is a glass-ceramic material. 4 - Electrical unit according to claim 3, 15 characterized in that the substrate carries the conductors on one side and, on the other, a power supply to which connections are made via insulated wires passing through holes in the substrate. 5 - Manufacturing method of an electrical circuit unit according to claim 4, characterized in that the substrate has a configuration of holes formed therein, protected wires are placed through the holes, the entire assembly is heated to seal the wires into the substrate, the substrate surfaces are made flat by grinding, and the conductive layers are formed on the substrate.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficielle, en plus du Si02, au moins une autre matière en concentration supérieure à 4 ppm et pouvant atteindre plusieurs centaines de ppm, ladite matière ne constituant pas 10 un poison semi-conducteur pour le composant traité à des températures supérieures à 1 200°C, notamment supérieures à 1 280°C, et/ou ayant une vitesse de diffusion dans le SiOg qui est faible par rapport à celle du sodium à des températures comprises entre environ 1 200 et 1 380°Co 15 2 - Elément de quartz selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite autre matière est répartie dans sa masse totale» 3 - Elément de quartz selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est formé d'une couche extérieure 20 superficielle contenant, en plus du SiOg* au moins une autre matière, et d'une couche en quartz très pur. 4 - Elément de quartz selon une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite autre matière est du silicium, ger-mâniun,carbone, étain et/ou leurs combinaisons telles que du 25 carbure ou du nitrure de silicium ou un sous-oxyde de Si02, un oxyde de germanium, un oxyde d'étain individuellement ou en combinaison. 5 - Verre de quartz selon une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que ladite autre matière est du bore, 30 de l'aluminium, du phosphore, de l'antimoine et/ou une combinaison de l'une de ces matières.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1 - A quartz element, for example tubular, used in the high-temperature fabrication of semiconductor components such as diodes, 5-layer diodes, transistors, integrated circuits, etc., characterized in that it contains, at least in its surface layer, in addition to SiO2, at least one other material with a concentration of at least 4 ppm and possibly reaching several hundred ppm, the said material not constituting a semiconductor poison for the treated component at temperatures above 1200°C, particularly above 1280°C, and/or having a diffusion rate in SiOg lower than that of sodium at temperatures between approximately 1200 and 1380°C. 15 2 - A quartz element according to claim 1, characterized in that the said other material is distributed in its total mass. 3 - A quartz element according to claim 1, characterized in that it comprises a surface layer containing, in addition to SiO2, at least one other material, and a very pure quartz layer. 4 - A quartz element according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said other material is silicon, germanium, carbon, tin, and/or combinations thereof such as silicon carbide or silicon nitride or a SiO2 suboxide, a germanium oxide, a tin oxide individually or in combination. 5 - A quartz glass according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said other material is boron, aluminum, phosphorus, antimony, and/or a combination of one of these materials.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au micron d'un matériau appartenant au groupe comprenant le carbure de silicium, le nitrure de silicium et l'étain. 2o - Dispositif selon revendication 1, dans lequel ladite zone est une sous-couche contigue au substrat mais d'épaisseur inférieure à celle de la couche épitaxiale. 10\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendication 1 dans lequel ladite zone est unè- sous-couche prise en sandwich entre les parties restantes de la couche épitaxiale qui ne renferment pas lesdites particules.\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendications 1, 2 ou 3, dans le- 15 quel la concentration desdites particules augmente quand la distance audit substrat diminue.\n<CLM>\1\t- Dispositif selon revendications 1, 2 ou 3, dans lequel la concentration desdites particules diminue quand la distance au substrat augmente* 20\n<CLM>\1\t- Dispositif semiconducteur selon une des revendications précédentes, dans lequel le bloc semiconducteur est un bloc de silicium»<\|EOS\|><\|BOS\|>69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Semiconductor device comprising a semiconductor block comprising a substrate and at least one epitaxial layer on the substrate, characterized in that at least one region of this epitaxial layer comprises particles of dimensions less than a micron of a material belonging to the group comprising silicon carbide, silicon nitride and tin. 2o - Semiconductor device according to claim 1, in which said region is a contiguous sub-layer on the substrate but of a thickness less than that of the epitaxial layer. 10\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claim 1 in which said region is a sub-layer taken in sandwich between the remaining parts of the epitaxial layer which do not contain said particles.\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claims 1, 2 or 3, in which the concentration of said particles increases when the distance from the substrate decreases.\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to claims 1, 2 or 3, in which the concentration of said particles decreases when the distance from the substrate increases* 20\n<CLM>\1\t- Semiconductor device according to one of the above claims, in which the semiconductor block is a silicon block.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pourvue à intervalles égaux d'évidements orientés perpendiculairement à son axe longitudinal et qui est cintrée sous forme d'une bande polygonale formant des compartiments» ce qui assure une économie dans 10 l'emploi du métal» 2° - Machine d'éclairage de véhicule pourvue d'un dispositif conforme au précédent»<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicularly to its longitudinal axis and which is bent in the form of a polygonal strip forming compartments, thereby ensuring a reduction in the use of metal in 10.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 dans laquelle E représente un reste alcoyle, alcényle, cyclo-alcoyle, aralcoyle ou aryle ayant 6 à 20 atomes de carbone, À un reste alcoylène ayant 2 à 10 atomes de carbone, X un atome d'oxygène ou 2 atomes d'hydrogène, n un nombre entier de 1 à 30, de préférence de 1 à 10, et B des restes de formules : 15 -0- ; -00C-ÎÏH-R'-NH-C00- ; -OOC-E'-COO- dans lesquelles R' représente un reste alcoylène éventuellement substitué ou un reste arylène ayant 2 à 20 atomes de carbone, en outre E représentant un groupe de formule générale : - D - R « 20 dans laquelle RM représente un groupe hydroxyle ou un groupe alcoxy ou aryloxy ayant 1 à 6 atomes de carbone et D le reste d'un polyéther à 30-100$ d'oxyde d'éthylène et à 0-70$ d'un autre monoépoxyde, de préférence de l'oxyde de propylène, ayant un poids moléculaire de 200 à 10.000, de préférence de 1000 à 25 3000.4 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : R"' -N-a-B-E 30 t R dans laquelle R, X, a, B et E ont la signification donnée plus haut et E'1' représente un reste alcoyle, alcényle, cycloalcoyle, aralcoyle ou aryle ayant 1 à 20 atomes de carbone.<\|EOS\|><\|BOS\|>claims 1.- Preparation method of cellular polyurethane materials from polyester, polyisocyanates, chain extenders, initiators and stabilizers of non-ionic foam, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 in which E represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloalkoxy, aralkoxy or aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a remaining alkoxy group having 2 to 10 carbon atoms, X an oxygen atom or two hydrogen atoms, n an integer from 1 to 30, preferably 1 to 10, and B the remaining parts of the formula: 15 -0- ; -00C-ÎÏH-R'-NH-C00- ; -OOC-E'-COO- in which R' represents an alkoxy or aryl group having 2 to 20 carbon atoms, in addition E representing a general formula group: - D - R « 20 in which RM represents a hydroxyl or alkoxy or aryloxy group having 1 to 6 carbon atoms and D the remaining part of a polyether having 30-100$ of ethylene oxide and 0-70$ of another monoepoxy, preferably propylene oxide, having a molecular weight of 200 to 10,000, preferably 1,000 to 25,300. 2.- Preparation method according to claim 1, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: R"' -N-a-B-E 30 t R in which R, X, a, B and E have the meanings given above and E'1' represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloalkoxy, aralkoxy or aryl group having 1 to 20 carbon atoms.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des bras pivotants oui sont prévus en tant que détecteurs cour la régulation de la vitesse des teurs de bobinage, qui palpent les boucles de fil et qui sont montés au-dessus des étages des têtes de bobinage, dispositif caractérisé par le fait que les bras pivotants sont montés les uns en dessous des autres de manière que le rouleau ou doigt du bras pivotant inférieur se trouve à l'intérieur de la boucle de fil formée par le passage de ce fil sur le rouleau ou doig du bras pivotant sus-jacent, les rouleaux ou doigts des bras pivotants se déplacent de préférence dans le même plan.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par 16 fait que pour le renvidage de plusieurs fils sur des bcbines séparées se trouvant sur un axe de bobinage commun, chacun des bras pivotants porte un nombre de rouleaux ou doigts correspondant au nombre des bobines, les rouleaux ou doigts étant montés sur un axe commun. 30 Dispositif suivant la revendication 1, caractéri- sé par le fait que pour le renvidage de plusieurs fils sur des bobines séparées se trouvant sur un axe de bobinage commun, chacun des bras pivotants porte un nombre de rouleaux ou doigts. correspondant au nombre de bobines, les rouleaux ou doigts éta@ montés sur des axes alignés.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les contactes, la formation d'un film en conducteur électrique sur cette couche et sur les parties de la surface de la structure exposées à travers les ouvertures, la formation d'une seconde couche diélectrique sur le film conducteur avec des ouvertures correspondant aux premières ouvertures, le dépôt électrolytique d'un métal sur le film métallique à travers les ouvert-ures pour former des contacts saillants et la suppression de la seconde couche diélectrique et du film métallique, sauf des parties du film métallique couvertes par les contacts déposés. 20- Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche diélectrique est formée par dépôt de verre à partir d'une phase vapeur suivi de la protection par une réserve photographique et d'une opération de gravure pour former des fenêtres aux endroits dans lesquels doivent être formés les contacts saillants. 30- Le procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la seconde couche diélectrique est une couche de réserve photographique. 4 - Le procedé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le film en conducteur électrique est une couche d'ors 5 - Le procédé selon la revendication 4, caractérisé par la suppression du film d'or par immersion de la structure dans une solution de cyanure. 6 - Le procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le film en conducteur électrique est utilisé comme cathode pour le dépôt électrolytique.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre étant équipée, dans la zone d'entrée des matières, d'une plaque de broyage de préférence symétrique à laquelle font suite des barres de recouvrement elles-mêmes de préférence symétriques, caractérisé en ce que les battes (1) montées dans des évidements du rotor (10) entre des cales (3, 4), sur une masse d'appui élastique (2), et dans la barre pivotante (13), de telle sorte que leurs arêtes antérieures soient orientées l'une vers l'autre, présentent sur leurs cotés antérieurs et sur leurs cotés postérieurs (en considérant le sens de déplacement du rotor) une inclinaison de 25 à 45'par rapport à leur axe, la paroi postérieure (16) du carter du broyeur étant reportée en arrière, une paroi d'appui, disposée sur le fond de ce carter, étant prévue pour retenir les matières broyées, qui sont limitées vers le haut par une plaque d'appui (18).<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENT: Impact crusher with rotor and impact plates fixed in the crusher housing, usable for crushing rocks down to the fineness of sand, comprising a oscillating bar mounted immediately below the last impact plate, this bar being equipped, at the entrance of the materials, with a crushing plate preferably symmetrical, followed by reinforcing bars themselves preferably symmetrical, characterized in that the blades (1) are mounted in the rotor's recesses (10) between the hoppers (3, 4), on an elastic support mass (2), and in the pivot bar (13), such that their front edges are oriented towards each other, presenting on their front and rear sides (considering the direction of rotation of the rotor) an inclination of 25 to 45 degrees relative to their axis, the rear wall (16) of the crusher housing being brought forward, a support wall, disposed on the base of this housing, being provided for retaining the crushed materials, which are limited upwards by a support plate (18).<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, dispositif caractérisé par une feuille malléable constituée d'une couche de plomb revêtue d'une couche de métal noble disposée entre l'élément semiconducteur et l'une ou chacune des électrodes de bornes, maintenue en contact avec cet élément semiconducteur par le dispositif d'application de pression. 2.- Dispositif selon revendication 1, caractérisé par le fait que les deux surfaces principales de cette ou de chaque couche de plomb sont revêtues d'une couche de métal noble. 3.- Dispositif selon revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que cette couche de métal noble est constituée d'argent, d'or, de platine, ou de palladium. 4.- Dispositif selon revendication 1, 2 ou 3, caractérisé par le fait que l'épaisseur totale de cette ou de chaque couche malléable est inférieure à 0,125 mm, et que l'épaisseur de cette couche de métal noble est de 0,00025 àO,Ç005 mm. 5.- Dispositif selon l'une ou lSautre des précédentes revendications, caractérisé par le fait que l'élément semiconduc teur consiste en une plaquette de semiconducteur pourvue d'une principale électrode d'appui soudée à cette ou à chaque su: surfaceyde la pla- quette.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDESSIONS 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor element disposed between at least two electrode terminals, at least one of which is maintained in good thermal and electrical contact with the semiconductor element by a device applying pressure, the device characterized by a flexible sheet comprising a layer of lead coated with a layer of noble metal disposed between the semiconductor element and one or each of the electrode terminals, maintained in contact with the semiconductor element by the pressure application device. 2.- Device according to claim 1, characterized in that the two main surfaces of this or each layer of lead are coated with a layer of noble metal. 3.- Device according to claim 1 or 2, characterized in that the noble metal layer is composed of silver, gold, platinum, or palladium. 4.- Device according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the total thickness of this or each flexible layer is less than 0.125 mm, and that the thickness of the noble metal layer is 0.00025 to 0.0005 mm. 5.- Device according to one or the other of the foregoing claims, characterized in that the semiconductor element consists of a semiconductor sheet provided with a main electrode of support soldered to this or each surface of the sheet.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase liquide à des températures d'environ -20°C à environ +50°C, de préférence en la présence d'un catalyseur et éventuellement en présence d*un gaz inerte»\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce 10 qu'on maintient un excès de 0,5 à 5 moles % de chlore dans la phase liquide.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'on utilise du trichlorure de phosphore comme catalyseur.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé 15 en ce qu'on l'exécute suivant un mode continu.<\|EOS\|><\|BOS\|>69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Production method of cyanogen chloride in the same time as cyanuric chloride and tetrameric cyanogen chloride, characterized in that one reacts in a liquid phase, under pressure, quantities of chlorine (5 less equivalent) with aqueous hydrocyanic acid, at temperatures of about -20°C to about +50°C, preferably in the presence of a catalyst and optionally in the presence of an inert gas\n<CLM>\1\tMethod according to claim 1, characterized in that one maintains an excess of 0.5 to 5% by weight of chlorine in the liquid phase.\n<CLM>\1\tMethod according to claims 1 and 2, characterized in that one uses phosphorus trichloride as a catalyst.\n<CLM>\1\tMethod according to claims 1 and 2, characterized in that one executes it continuously.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissipation de la chaleur. 2e) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel ledit -élément dissipant la chaleur se présente sous la forme d'un élément plat. 3°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel l'élément 10 dissipant la chaleur se présente sous la forme de grains répartis dans la couche vitreuse. 4°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel le matériau diélectrique dissipant la chaleur est de l'oxyde de béryllium. 5°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 1 dans lequel ledit 15 matériau vitreux est du verre à bas point de fusion. 6°) Un dispositif semi-conducteur comme il est dit en 3 dans lequel le mélange du matériau vitreux et des grains contient environ 85 % de grains par volume.\n<CLM>\1\tUn dispositif semi-conducteur comme il est dit en 3 dans lequel le dia-20 mètre de chacun des grains est supérieur à 4,3/100 le m/m. BAD ORIGINAL1]<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1°) A semiconductor device comprising: - a dielectric support, - a glass layer disposed on this support. - a dielectric material cooled encapsulated in this glass layer, 5 - a semiconductor element disposed on the dielectric material ensuring the dissipation of heat. 2e) A semiconductor device as described in 1 in which the said heat-dissipating element is presented in the form of a flat element. 3°) A semiconductor device as described in 1 in which the said heat-dissipating element is presented in the form of particles distributed in the glass layer. 4°) A semiconductor device as described in 1 in which the dielectric material dissipating heat is beryllium oxide. 5°) A semiconductor device as described in 1 in which the said glass material is of low melting point glass. 6°) A semiconductor device as described in 3 in which the mixture of the glass material and the particles contains approximately 85% by volume of particles. <CLM>\1\tA semiconductor device as described in 3 in which the diameter of each particle is greater than 4,3/100 the m/m. BAD ORIGINAL1]<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support est électriquement isolant.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'après le bombardement, on effectue la morsure de la surface pour exposer un plan à forte concentration en ions implan-10 tés. 4» Procédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les ions de bombardement sont d'énergie relativement faible et qu'une 8outro£ d'électrons est fournie pour neutraliser la charge de surface sur ce support au cours du bombardement. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, caracté risé en ce que le métal déposé, non adhérent sur la zone non bombardée du support, est éliminé par lavage ou essuyage.\n<CLM>\1\tProcédé sslon les revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que le support est le verre. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1, 2, 3, § ou 6, caractérisé en ce que les ions sont choisis parmi le bore, l'étain, et l'oxygène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les ions sont choisis parmi l'hydrogène, le nickel 25 et le palladium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1,2,3,5, 6 ou 7, caractérisé en ce que la solution est une solution de placage d'argent.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, carac-30 térisé en ce que la solution de placage est une solution de placage de nickel.\n<CLM>\1\tSupport plaqué par uijéiétal, obtenu par un procédé selon l'une des revendications 1,2,3,5,6,7 ou\n<CLM>\1\t12)Support plaqué par un métal, obtenu par un procédé selon 35 l'une des revendications 4, 8 ou 10.<\|EOS\|><\|BOS\|>2005553<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de base, d'émetteur et de collecteur d'un transistor, et un bâti ou boîtier ayant une base métallique, ledit bloc comportant une quatrième zone du premier type de conductibilité dont une face est dans le même plan qu'une des grandes faces du bloc et formant une Jonction p-n avec la zone contiguë du deuxième type de conductibilité, le bloc étant fixé à la base métallique seulement le long de la surface de cette quatrième zone. 2.- Dispositif selon revendication 1, comprenant trois conducteurs électriques traversant la base et électriquement isolés de cette base, chacun de ces conducteurs étant électriquement connecté à une zone du transistor. 3.- Dispositif selon revendication 1 ou 2, dans lequel une pièce renfermant le bloc à l'intérieur de ses parois est fixée à la base métallique, de façon à isoler le bloc de l'atmosphère ambiante. 4.- Dispositif selon revendication 3, dans lequel la pièce est en céramique. 5.- Dispositif selon revendication 3 dans lequel la pièce est métallique. 6.- Dispositif selon reendication 1 dans lequel la première zone est du type -p de conductibilité.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a housing or case having a metallic base, said block comprising a fourth region of first type of conductivity, one face of which is in the same plane as one of the large faces of the block and forming a p-n junction with the contiguous region of second type of conductivity, said block being fixed to the metallic base only along the surface of this fourth region. 2.- A device according to claim 1, comprising three electrical conductors passing through the base and electrically insulated from this base, each of these conductors being electrically connected to a region of the transistor. 3.- A device according to claim 1 or 2, in which a piece containing the block within its walls is fixed to the metallic base, in order to isolate the block from the ambient atmosphere. 4.- A device according to claim 3, in which the piece is made of ceramic. 5.- A device according to claim 3 in which the piece is metallic. 6.- A device according to claim 1 in which the first region is of type -p conductivity.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classification périodique des Eléments. 2°- Procédé conforme à la revendication 1, dans lequel le métal est le nickel et le substrat une matière plastique. 10 3>°- Procédé conforme à la revendication 2, dans lequel la matière plastique est un polyprojylène . 4°- Procédé conforme à la revendication 2, dans lequel la matière plastique est un chlorure de polyvinyle. 5°- Article comprenant un substrat, un phosphure 15 métallique adhérent lié à sa surface et une composition de revêtement durcissable polymérisée adhérant au phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB et VIII de la Classification périodique des Eléments. 6°- Article cconforme à la revendication 5, dans lequel 20 le revêtement durcissable est une peinture. 7°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le revêtement durcissable est une laque» 8°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le revêtement durcissable est un émail. 25 9°- Article conforme à la revendication 5, dans lequel le substrat est une matière plastique et le métal est le nickel. 10°- Article conforme à la revendication 9, dans lequel la matière plastique est un polypropylène. Il0- Article conforme à la revendication 9» dans lequel 30 la matière plastique est un chlorure de polyvinyle.<\|EOS\|><\|BOS\|>69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which the metal is nickel and the substrate is a plastic material. 10 3°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polypropylene. 4°- Procedure in accordance with claim 2, in which the plastic material is polyvinyl chloride. 5°- Article comprising a substrate, an adherent metallic phosphate coating on its surface, and a hardening composition polymerized and adhering to the metallic phosphate, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 6°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a paint. 7°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is a lacquer. 8°- Article in accordance with claim 5, in which the hardening composition is an enamel. 25 9°- Article in accordance with claim 5, in which the substrate is a plastic material and the metal is nickel. 10°- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polypropylene. Il0- Article in accordance with claim 9, in which the plastic material is polyvinyl chloride.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surface.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1 caractérisé par le fait qu'une couche d'or est appliquée sur au moins une partie de la couche de tungstène. à3) Dispositif suivant la revendication 1, formant un dispositif/diode, caractérisé par le fait que la couche de tungstène sé- tend sur une couche isolante et traverse une couverture de celleci pour établir un contact redresseur avec la surface du substrat de manière à former une diode.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 5, caractérisé par le fait qu'une région de type de conductibilité n est ineluse dans le substrat en silicium et s'étend jusqu'à une partie de la surface sous-jacente à une couche de tungstène, cette région du type n présentant une résistivité de l'ordure d'environ 0,025 à environ 5 ohms-cm.\n<CLM>\1\tDispositif suivant l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait qu'un autre contact en tungstène est déposé sur la surface du substrat, cet autre contact établissant un contact ohmique avec le substrat en silicium.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par une région semi-conductrice ayant une résistivité d'environ 0,25 à en virion 5 ohms-cm dans le substrat en silicium, région qui s'étend jusqu'à une partie de la surface du substrat sous-jacente à un pre- mier contact en tungstène, et une région du type n ayant une ré- sistivité inférieure à environ 0,005 ohm-cm dans le substrat en 51 licium et s'étendant jusqu'à une partie de ladite surface sous-ja- vente à un autre contact en tungstène.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ce que sur le corps de base semiconducteur, fortement dopé, se comportant comme le substrat pour la position de la zone, on diffuse une zone fortement dopée d'un type de conductivité en opposition de celui du corps de base, en ce que la surfaoe semi-conductrice comportant la zono est recouverte avec une couoh.e épitaxiale du 10 m$me type de conductivité que la zone et d'épaisseur telle qu'au cours do la diffusion suivante d'une aone isolante, autour de la zone fortement dopée et d'une diffusion effectuée simultanément d'une autre zone de l'élément semiconducteur, la zone isolante se combine aveo la zone de diffusion qui s'est formée à l'extérieur du substrat au cours du prooédé épitaxial. 15 2°) Procédé selon la revendication 1°), caractérisé en ce qu'on effeotue la diffusion de la zone de base d'un transistor en mÊme temps que la diffusion d'une zone isolante.<\|EOS\|><\|BOS\|>13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ce que sur le corps de base semiconducteur, fortement dopé, se comportant comme le substrat pour la position de la zone, on diffuse une zone fortement dopée d'un type de conductivité en opposition de celui du corps de base, en ce que la surfaoe semi-conductrice comportant la zono est recouverte avec une couoh.e épitaxiale du 10 m$me type de conductivité que la zone et d'épaisseur telle qu'au cours do la diffusion suivante d'une aone isolante, autour de la zone fortement dopée et d'une diffusion effectuée simultanément d'une autre zone de l'élément semiconducteur, la zone isolante se combine aveo la zone de diffusion qui s'est formée à l'extérieur du substrat au cours du prooédé épitaxial. 15 2°) Procédé selon la revendication 1°), caractérisé en ce qu'on effeotue la diffusion de la zone de base d'un transistor en mÊme temps que la diffusion d'une zone isolante.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découvert des parties de circuits, caractérisé par des interconnexions à couches multiples disposées sur la couche isolante connectant électriquement certaines parties des éléments de circuit à travers les trous de la couche 10 isolante, au moins une couche de l'interconnexion à couches multiples étant composée de rhénium. 2 - Dispositif de connexion suivant la revendication 1 caractérisé en ce sur les interconnexions électriques comprennent une couche inférieure en rhénium et une couche métallique supé- 15 rieure, fortement conductrice. 3 - Dispositif suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la couche métallique fortement conductrice est en or. 4 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les interconnexions à couches multiples comprennent deux 20 couches de rhénium disposées de part et d'autre d'une couche métallique fortement conductrice. 5 - Dispositif suivant la revendication 4, caractérisé en ce que la couche fortement conductrice comprise entre les deux couches de rhénium est en or. 25 6 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'une seconde interconnexion à couches multiples est appliquée sur la première interconnexion à couches multiple mais en est isolée et en ce que la seconde interconnexion à couches multiples comprend une couche inférieure en rhénium et une couche 30 supérieure en métal fortement conducteur. 7 - Dispositif suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le métal fortement conducteur est de l'or.<\|EOS\|><\|BOS\|>Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections disposed on the insulating layer electrically connecting certain parts of the circuit elements through the holes of the insulating layer 10, at least one of the multiple-layer interconnections being composed of rhenium. 2 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the electrical interconnections include a lower layer of rhenium and a metal upper layer, highly conductive. 3 - Electrical connection device according to claim 2, characterized in that the highly conductive metal upper layer is made of gold. 4 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that the multiple-layer interconnections include two layers of rhenium disposed on either side of a highly conductive metal upper layer. 5 - Electrical connection device according to claim 4, characterized in that the highly conductive layer between the two rhenium layers is made of gold. 25 6 - Electrical connection device according to claim 1, characterized in that a second multiple-layer interconnection is applied on the first multiple-layer interconnection but is isolated and that the second multiple-layer interconnection comprises a lower layer of rhenium and an upper layer of highly conductive metal. 7 - Electrical connection device according to claim 6, characterized in that the highly conductive metal is made of gold.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corrosion plus grande que celle du tungstène. 2 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal modifié appartient au groupe constitué par le titane, le tantale, le chrome, le zirconium, l'hafnium 10 et le silicium. 3 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche métallique à haute conductibilité est appliquée à une partie au moins de la couche métallique. 4 - Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, 15 caractérisé en ce que la couche à haute conductibilité est en or.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1 - A semiconductor device comprising a metallic layer providing a resistive connection to a part of the semiconductor device's surface, characterized in that the metallic layer comprises a mixture of tungsten and a modified metal having a corrosion resistance higher than that of tungsten. 2 - A semiconductor device according to claim 1, characterized in that the modified metal belongs to the group consisting of titanium, tantalum, chromium, zirconium, hafnium, and silicon. 3 - A semiconductor device according to claim 1, characterized in that a high conductivity metallic layer is applied to at least a part of the metallic layer. 4 - A semiconductor device according to claim 2, characterized in that the high conductivity layer is made of gold.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1°/ Procédé pour graver , par attaque chimique et de fajon géométriquement limitée, une plaque semi-conductrice comportant une couche d'oxyde, du type dans lequel on enduit la plaque 5 semi-conductrice d'une laque photographique, on l^expose à la lumière à travers une plaque photographique, on la développe et on l'attaque ensuite chimiquement dans les zones de surfaces libérées lors du développement, procédé caractérisé par ce que, lors de l'exposition à la lumière de la laque photographique, on ménage une certai-10 ne distance entre la couche d'émulsion de la plaque photographique et la couche de laque photographique déposée sur la plaque semi-conductrice, ce qui évite toute détérioration de la laque photographique. 2°/ Procédé suivant la revendication 1, caracté-15 risé par ce que la distance entre la couche d'émulsion et la couche de laque photographique est inférieure à 300 microns et de préférence égale à 50 à 100 microns. 3°/ Procédé suivant la revendication 1, caractérisé par ce que, pour régler la distance voulue entre la couche 20 d'émulsion et la couche de laque photographique, on colle, à l'extérieur de la plaque semi-conductrice, sur le soubassement de la plaque semi-conductrice, une feuille dont l'épaisseur est déterminée en conséquence et, avant l'exposition à la lumière, on amène, cette feuille, par soulèvement du soubassement, en contact avec la 25 plaque photographique. 4°/ Procédé suivant la revendication 3, caractérisé par ce que la feuille collée sur le soubassement de la plaque semi-conductrice est en polytétrafluoréthylène.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1°/ Procedure for etching a semiconductor plate with a oxide layer of the type in which the semiconductor plate is coated with a photographic lacquer, the plate is exposed to light through a photographic plate, the plate is developed and then chemically attacked in the regions of the surfaces released during development, a procedure characterized by the fact that, during the exposure to light of the photographic lacquer, a certain distance is left between the emulsion layer of the photographic plate and the photographic lacquer layer deposited on the semiconductor plate, thereby preventing any deterioration of the photographic lacquer. 2°/ Procedure according to claim 1, characterized by the fact that the distance between the emulsion layer and the photographic lacquer layer is less than 300 microns and preferably equal to 50 to 100 microns. 3°/ Procedure according to claim 1, characterized by the fact that, in order to adjust the desired distance between the emulsion layer and the photographic lacquer layer, a sheet of thickness determined accordingly is adhered to the undercoat of the semiconductor plate, and before exposure to light, this sheet is raised by lifting the undercoat and brought into contact with the photographic plate. 4°/ Procedure according to claim 3, characterized by the fact that the sheet adhered to the undercoat of the semiconductor plate is made of polytetrafluoroethylene.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur ayant un nombre nécessaire de composants de circuit, des parties conductrices adhérant à la 5 surface du substrat et une partie isolante entourant ces parties conductrices, une des parties étant modifiée chimiquement par rapport aux autres. 2 - Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins une couche de film isolant est in- 10 terposée entre le substrat et les parties. 3 - Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la partie isolante est une couche, soumise à 1'anodisation, de la matière conductrice des parties conductrices et la couche de câblage se composant essentiellement des 15 parties conductrice et isolante a une surface sensiblement parallèle à la surface du substrat. 4 - Procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur selon les revendications 1-3, caractérisé en ce qu'il consiste à déposer des particules métalliques sur un substrat semi-con- 20 ducteur ayant un nombre nécessaire de composants de circuit pour former un film métallique sur le substrat et à oxyder sélectivement à l'anode cette feuille .afin de former des canaux conducteurs isolés les uns des autres par la matière d'oxyde.<\|EOS\|><\|BOS\|>69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Semiconductor device comprising a semiconductor substrate having a necessary number of circuit components, conductive parts adhering to the 5 surface of the substrate, and an insulating part surrounding these conductive parts, one of which is chemically modified compared to the others. 2 - Semiconductor device according to claim 1, characterized in that at least one insulating film layer is interposed between the substrate and the conductive parts. 3 - Semiconductor device according to claim 1, characterized in that the insulating part is a layer of conductive material, subjected to anodization, and the conductive and insulating layers consist essentially of the conductive parts and the insulating layer, with a surface substantially parallel to the surface of the substrate. 4 - Manufacturing method of the semiconductor device according to claims 1-3, characterized in that it consists of depositing metallic particles on a semiconductor substrate having a necessary number of circuit components to form a metallic film on the substrate and selectively oxidizing the film at the anode to form isolated conductive channels by the oxide material.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un produit intermédiaire pour circuits intégrés, suivant lequel on produit une couche de silicium polycristalline par dépôt de silicium sur ion support, ensem- 5 ble avec de minimes quantités d'impuretés qui influencent la structure cristalline du silicium déposé, caractérisé en ce que l'on utilise des impuretés qui sont insolubles dans le silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on dépose le silicium polycristallin ensemble avec au moins deux 10 impuretés.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on dépose du carbone comme impureté.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 2 et 3>- caractérisé en ce que l'on dépose du carbone et du bioxyde de silicium comme im- 15 puretés.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4-, caractérisé en ce que l'on dépose de 0,010 à 0,022 mole pour cent, de préférence 0,016 mole pour cent, de carbone, et de 0,008 à 0,016 mole pour cent, de préférence 0,012 mole pour cent, de bioxyde de silicium, cal- 20 culé sur le silicium polycristallin pur déposé.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5» caractérisé en ce que l'on utilise du tétraéthoxysilane comme matière de départ pour le dépôt de bioxyde de silicium, du toluène comme matière de départ pour le dépôt de carbone et du silicochloroforme comme matière de 25 départ pour le dépôt de silicium polycristallin, dans les quantités qui sont au moins approximativement nécessaires à l'obtention des concentrations précitées dans la couche déposée.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour former une couche métallique sur un substrat par production de vapeurgfaétalliques et condensation desdites vapeurs métalliques sur ledit substrat, caractérisé en ce qu'il 5 consiste à déposer à une vitesse suffisamment rapide une couche de métal d'épaisseur suffisante pour ensemencer la surface du substrat de manière homogène et à continuer le dépôt de métal à une vitesse beaucoup plus faible pour produire une pellicule métallique d'épaisseur désirée . 10\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit dépôt à vitesse lente est poursuivi pendant un temps beaucoup plus long que ledit dépôt à vitesse rapide .\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt de métal aux deux vitesses est effectué avec un métal de 15 même composition .\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt de métal est effectué avea. un métal de composition différente à chacune des vitesses .\n<CLM>\1\tProcédé suivant les revendications 1 à 4, caractérisé en 20 ce que le métal devant être déposé sur la surface est soumis au rayonnement d'une source d'électrons et en ce que l'Intensité du rayonnement électronique est modifiée en vue de faire varier la vitesse de production des vapeurs métalliques .\n<CLM>\1\tProcédé suivant les revendications 1 à 5, caractérisé en 25 ce que la première vitesse est appliquée pendant un Intervalle de temps compris entre 0 et 30 secondes environ et en ce que ladite-seconde vitesse est appliquée pendant un intervalle de temps compris entre 10 et 100 minutes .\n<CLM>\1\tPellicule métalline formée par le procédé suivant l'une 30 quelconque des revendications précédentes^caractérisée en ce qu'elle comporte une couche de métal déposée à une première vitesse pendant un premier intervalle de temps prédéterminé et une seoonde couche de métal déposée à une vitesse beaucoup plus lente pendant un second intervalle de temps considérablement plus long .<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1-Dispositif semiconducteur dans lequel des contacts et/ou des couches métalliques conductrices sont mis en contact avec la surface du dispositif semiconducteur où sont formés sur un matériau Isolant disposé à la surface, caractérisé en ce que des contacts connectés ohmiquement à la surface semiconductrice ou aux couches métalliques recouvrant le matériau isolant disposé sur la surface semiconductrice comprennent un mélange de molybdène et d'un métal modificateur ayant une résistance à la corrosion plus grande que le molybdène . 2-DispositIf suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le modificateur peut être du titane, du tantale, du chrome, du zirconium, de l'hafnium, ou du silicium. 3-DlsposItif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche métallique de conductivité plus grande est formée sur une partie au moins de la couche métallique . 4-Dispositif suivait la revendication 3, caractérisé éa ce que la couche plus fortement conductrice est en or .<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1- A semiconductor device in which contacts and/or conductive metal layers are brought into contact with the surface of the semiconductor device where conductive layers are formed on an insulating material disposed on the surface, characterized in that contacts connected ohmically to the semiconductor surface or to the conductive metal layers covering the insulating material disposed on the semiconductor surface comprise a mixture of molybdenum and a modifier metal having a corrosion resistance higher than molybdenum. 2- Device according to claim 1, characterized in that the modifier may be titanium, tantalum, chromium, zirconium, hafnium, or silicon. 3- Device according to claim 1, characterized in that a conductive metal layer of higher conductivity is formed on at least a part of the conductive metal layer. 4- Device according to claim 3, characterized in that the more conductive layer is gold.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 1977 6 2011945 HEYENDICATIOffS 1 - Dispositif à jonction P-N, caractérisé en ce qu'il comprend une base ayant un type de matière semi-conductrice et une couche mince ayant un autre type de matière semi-conductrice, une 5 matière d'impureté, déterminant le type de semi-conductibilité de la couche mince, ayant une concentration inférieure à celle de la base et étant partiellement compensée par une matière d'impureté, de type opposé, qui diffuse à partir d'une surface de la couche mince. 10 2 - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la base de la couche mince se compose essentiellement de silicium. 3 - Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la base a une semi-conductibilité de type P et la couche mince 15 a une semi-conductibilité de type N. 4 - Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que la matière d'impureté de type opposé est de l'aluminium. 5 - Procédé de fabrication d'un dispositif à jonction P-N, caractérisé en ce qu'il consiste à prévoir une base d'une matière 20 semi-conductrice ayant un premier type de semi-conductibilité, sur une surface, avec une couche mince d'une matière semi-conductrice ayant un autre type de semi-conductibilité, cette matière semi-conductrice de la couche mince ayant une matière d'impureté, déterminant le type de semi-conductibilité, en concentration in- 25 férieure à celle de la base, et à traiter cette couche mince avec une diffusion d'une matière d'impureté ayant une semi-conductibi-lité opposée à celle de la couche mince, à partir d'une surface de cette couche mince.<\|EOS\|><\|BOS\|>69 1977 6 2011945 HEYENDICATIOFFS 1 - Junction P-N device comprising a base comprising a semiconductor material and a thin layer comprising a different semiconductor material, a doping material, determining the type of semiconductor conductivity of the thin layer, having a concentration lower than that of the base and partially compensated by a doping material of opposite type which diffuses from the surface of the thin layer. 10 2 - Junction P-N device according to claim 1, characterized in that the base of the thin layer is essentially composed of silicon. 3 - Junction P-N device according to claim 2, characterized in that the base has a P-type semiconductor conductivity and the thin layer has an N-type semiconductor conductivity. 4 - Junction P-N device according to claim 3, characterized in that the opposite type doping material is aluminum. 5 - Manufacturing method of a junction P-N device comprising providing a base of a semiconductor material having a first type of semiconductor conductivity, on a surface, with a thin layer of a semiconductor material having a different type of semiconductor conductivity, this semiconductor material of the thin layer comprising a doping material, determining the type of semiconductor conductivity, in concentration lower than that of the base, and treating this thin layer with diffusion of an impurity material having an opposite semiconductor conductivity to that of the thin layer, from the surface of this thin layer.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé pour revêtir une surface semiconductrice limitée caractérisé en ce qu'elle comprend les étapes d'appliquer une substance de revêtement sur une partie de cette surface et de distribuer cette substance par une diffusion de surface. 2.- Procédé suivant la revendication 1 caractérisé en ce qu'on applique la substance à travers un masque dont l'ouverture est plus petite que la surface limitée 3.- Procédé suivant la revendication 2 pour revêtir d'or ou d'alliages d'or une région d'électrode d'un semiconducteur au silicium, caractérisé en ce qu' on dépose par vaporisation l'or sur la surface de silicium à travers l'ouverture du masque et que l'on chauffe le simiconducteur pour permettre la diffusion de l'or sur cette surface. BAD OftlGWMAL<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1.- Procedure for coating a semiconductor surface with a coating material comprising the steps of applying the coating material to a portion of this surface and distributing the coating material by surface diffusion. 2.- Procedure according to claim 1 characterized in that the coating material is applied through a mask having an opening smaller than the limited surface. 3.- Procedure according to claim 2 for coating an area of a silicon semiconductor electrode with gold or gold alloys, characterized in that gold is deposited by vaporization on the silicon surface through the mask opening and the silicon semiconductor is heated to allow the diffusion of gold on this surface. BAD OftlGWMAL<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseuses et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame pour obtenir la pres-5 sion de contact» est disposée à l'intérieur d'un godet, ouvert d'ua côté et scellée par surmoulage, caractérisé par le fait que les pastilles et les tôles de contact sont agencées parallèlement au fond du godet, les cosses recourbées à angle droit sortant de la masse de moulage le long du bord de l'ouverture du godet et 10 par le fait que le ressert à lame précité est fixé par ancrage sur les parois latérales du godet\n<CLM>\1\tRedresseur à semiconducteurs salfmat la revendication 1, caractérisé par le fait que le ressort à lama comporte des griffes qui s'incrustent dans les parois latézales 15 du godet 3* Redresseur à semiosnt&eteurs suivait la revendication 1, earactérimi par la fait qaa des jguULas sent prévus d'office dans les parois du godet alla de pézm«tr as positionnement exact des cosses* BAD ORIGINAL<\|EOS\|><\|BOS\|>69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseurs et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame pour obtenir la pres-5 sion de contact» est disposée à l'intérieur d'un godet, ouvert d'ua côté et scellée par surmoulage, caractérisé par le fait que les pastilles et les tôles de contact sont agencées parallèlement au fond du godet, les cosses recourbées à angle droit sortant de la masse de moulage le long du bord de l'ouverture du godet et 10 par le fait que le ressert à lame précité est fixé par ancrage sur les parois latérales du godet\n<CLM>\1\tRedresseur à semiconducteurs salfmat la revendication 1, caractérisé par le fait que le ressort à lama comporte des griffes qui s'incrustent dans les parois latézales 15 du godet 3* Redresseur à semiosnt&eteurs suivait la revendication 1, earactérimi par la fait qaa des jguULas sent prévus d'office dans les parois du godet alla de pézm«tr as positionnement exact des cosses* BAD ORIGINAL<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tEnsemble de redressement gui comprend tin réceptacle tubulaire, un certain nombre de diodes de redressement montées dans ce réceptacle et une matière diélectrique entourant lesdites diodes, caractérisé par le fait que les diodes sont montées élec— 5 triquement en série et sont disposées de façon à présenter la forme d'un enroulement inductif, et par le fait que le nombre des diodes de l'ensemble est sensiblement supérieur à celui nécessaire pour une tension de fonctionnement en régime permanent donnée. 10\n<CLM>\1\tEnsemble selon la revendication 1, caractérisé par le fait que les diodes sont des diodes au silicium disposées en groupes de façon qu'un effet capacitif existe entre les diodes adjacentes de chaque groupe et par le fait que l'espacement entre les diodes est suffisant pour soulager les contraintes électri— 15 ques. 3» Ensemble selon la revendication 2, caractérisé par le fait que chaque groupe se compose de trois diodes* 4* Ensemble selon la reTendication 3, caractérisé par le fait que les diodes sont disposées dans trois plans, ces plans 20 formant en coupe, un triangle équilatéral, une diode de chaque groupe étant située dans l'un des plans, tandis que les axes longitudinaux de toutes les diodes situées dans un même plan sont parallèles.\n<CLM>\1\tEnsemble selon la revendication 4, caractérisé par 25 le fait que les diodes sont montées sur une charpente composée de trois tiges parallèles dont les axes sont disposés au sommet respectif d'un triangle équilatéral.\n<CLM>\1\tEnsemble selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le nombre des diodes est. au*»ins le double de celui 30 nécessaire pour ladite tension donnée.\n<CLM>\1\tEnsemble selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le nombre des diodes est au moins le triple de celui nécessaire pour ladite tension donnée.\n<CLM>\1\tEnsemble selon la revendication 1 dans lequel la ma— 35 tière diélectrique est une résine époxyde.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de décapage du nitrure de silicium caractérisé essentiellement en ce que: 5 - on met en contact le nitrure de silicium avec un hydrophosphate d'ammonium fondu - on maintient le nitrure de silicium en contact avec 1'hydrophosphate d'ammonium fondu suffisamment de temps pour décaper le nitrure de silicium - et on élimine le nitrure de silicium de 1'hydrophosphate d'ammonium fon- 10 du. 2.- Procédé selon la revendication 1 dans lequel un photorésistant masque le nitrure de silicium avant que ce dernier soit mis en contact avec 1'hydrophosphate d'ammonium fondu. 3.- Procédé selon la revendication 1 dans lequel le taux des ions ammonium aux ions phosphate est compris entre environ 0,8 et 1,5. 4.- Procédé selon la revendication 1 dans lequel le substrat de nitrure 20 de silicium est sn contact avec 1'hydrophosphate d'ammonium fondu à une température comprise entre environ 190 et 235°C. 15 5.- Procédé selon la revendication 1 dans lequel 1'hydrophosphate d'ammonium contient un agent actif de surface.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Process of silicon nitride etching characterized essentially in that: 5 - the silicon nitride is contacted with a molten ammonium hydrophosphate - the silicon nitride is kept in contact with the molten ammonium hydrophosphate for a sufficient time to etch the silicon nitride - and the silicon nitride is removed from the molten ammonium hydrophosphate. 2.- Process according to claim 1 in which a photoreactive mask masks the silicon nitride before the latter is contacted with the molten ammonium hydrophosphate. 3.- Process according to claim 1 in which the ratio of ammonium ions to phosphate ions is between about 0.8 and 1.5. 4.- Process according to claim 1 in which the silicon nitride substrate is contacted with the molten ammonium hydrophosphate at a temperature between about 190 and 235°C. 15 5.- Process according to claim 1 in which the molten ammonium hydrophosphate contains a surface active agent.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 24961 20147 27\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer un tube d'enregistrement d'images, du type dans lequel l'élément d'enregistrement comprend un cristal semi-conducteur dont la masse est d'un premier type de conduc 5 tivité et dont une surface comprend un réseau d'îlots distincts de type de conductivité opposé, cette surface étant recouverte par une couche isolante continue qui n'est ouverte qu'au-dessus des îlots, et un îlot conducteur séparé étant connecté à chacun des îlots semi-conducteurs et étant isolé de la masse du cristal 10 par la couche isolante, procédé caractérisé en ce que les îlots conducteurs sont formés.sélectivement soit par un dépôt électrolytique, soit par ion dépôt chimique sur les îlots semi-conducteur\n<CLM>\1\tProcédé suivant la Revendication 1, caractérisé en ce que la masse du cristal est connectée à la cathode dans un bain de 15 dépôt électrolytique d'or.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la Revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt est poursuivi jusqu'à ce qu'au moins la surface de dépôt de chaque région soit supérieure à la surface mise à découvert par la couche isolante. 20\n<CLM>\1\tProcédé suivant la Revendication 1, caractérisé en ce qu'une partie de chacune des régions mises à découvert est attaquée chimiquement avant le dépôt.<\|EOS\|><\|BOS\|>69 24961 20147 27<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS. 1.- Dispositif à semi-conducteur comprenant une plaquette de semi-conducteur et une couche conductrice formant avec la plaquette un contact à couche diarrét de Schottky, caractérisé en ce que la couche comprend au moins deux métaux différents dans des proportions choisies en sorte de procurer à la couche arrêt de Schottky une hauteur voulue. 2.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le semi-conducteur est du silicium et en co que la couche de métal composit-e est un siliciure mixte de métaux. 3.- Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche de métal composite contient au moins deux métaux choisis dans le groupe comprenant Ti, V, Cr, Dito, W, Ni, Cu, Au et les métaux du groupe du platine. 4.- Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche de métal composite est un mélange de titane et de rhodium. 5.- Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche de métal composite est un mélange de zirconium et de rhodium.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS. 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor substrate and a conductive layer forming a Schottky contact with the semiconductor substrate, characterized in that the conductive layer comprises at least two different metals in selected proportions in order to provide the Schottky contact with a desired height. 2.- Semiconductor device according to claim 1, characterized in that the semiconductor is silicon and that the conductive composite layer is a mixed silicon carbide of metals. 3.- Semiconductor device according to claim 2, characterized in that the conductive composite layer comprises at least two metals selected from the group comprising Ti, V, Cr, Mo, W, Ni, Cu, Au and the platinum group metals. 4.- Semiconductor device according to claim 3, characterized in that the conductive composite layer is a mixture of titanium and rhodium. 5.- Semiconductor device according to claim 3, characterized in that the conductive composite layer is a mixture of zirconium and rhodium.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATION Procédé pour réaliser une connexion électrique avec un dispositif semi-conducteur, du genre dans lequel on dispose la tête d'une 5 pièce de liaison conductrice au contact de la face du dispositif avec laquelle on désire établir la connexion, puis on soude la tête de cette pièce à ladite face, caractérisé en ce que la tête de la pièce de liaison présente une surface convexe au droit de la face intéressée du dispositif semi-conducteur, de manière que cette tête ne réa-10 lise avec ladite face qu'un contact ponctuel en définissant entre la tête et la face précitées un espace annulaire intermédiaire dans lequel la soudure fondue coule pour souder la pièce de liaison au dispositif. BAD ORIGINAL<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 27002 2015355 REVEND ICA ï I Q S S lo Procédé pour l'inversion du sens d'écoulement de l'énergie dans les couplages de réseaux triphasés asynchrones, en particulier dans les couplages courts équipés de soupapes à 5 semi-conducteurs pour transmission de l'énergie en courant continu à haute tension, caractérisé en ce que l'inversion s'effectue à l'aide d'appareils de manoeuvre (disjoncteurs ou section-neurs), disposés du côté triphasé et dimensionnés pour le courant triphasé, en permutant entre elles l'entrée et la sortie du dis-10 positif de couplage du réseau à courant continu.\n<CLM>\1\tDispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que chacun des systèmes de réseaux à courant triphasé (A, B) peut être relié respectivement à l'entrée ou à la sortie du circuit intermédiaire à 15 courant continu à l'aide d'un appareil de manoeuvre pour courant triphasé ou , de sorte que, pour la transmission de l'énergie dans un sens donné (par exemple de A vers B), ce sont les appareils de manoeuvre réunissant respectivement le système (A) avec l'entrée et le système B avec la sortie du cir-20 cuit à courant continu qui sont fermés, alors que les deux autres appareils de manoeuvre (Sg_^) sont ouverts, tandis que, pour inverser le sens d'écoulement de l'énergie, on ouvre les appareils de manoeuvre qui précédemment étaient fermés e"t Ç^e l'on ferme ceux qui étaient précédemment ouverts (sg_A) • 3« Dispositif selon la revendication 2 dans lequel sont prévus des circuits de filtrage pour la compensation des harmoniques de courant et de l'énergie réactive, caractérisé en ce<\|EOS\|><\|BOS\|>69 27002 2015355 REVEND ICA ï I Q S S lo Procédé pour l'inversion du sens d'écoulement de l'énergie dans les couplages de réseaux triphasés asynchrones, en particulier dans les couplages courts équipés de soupapes à 5 semi-conducteurs pour transmission de l'énergie en courant continu à haute tension, caractérisé en ce que l'inversion s'effectue à l'aide d'appareils de manoeuvre (disjoncteurs ou section-neurs), disposés du côté triphasé et dimensionnés pour le courant triphasé, en permutant entre elles l'entrée et la sortie du dis-10 positif de couplage du réseau à courant continu.\n<CLM>\1\tDispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que chacun des systèmes de réseaux à courant triphasé (A, B) peut être relié respectivement à l'entrée ou à la sortie du circuit intermédiaire à 15 courant continu à l'aide d'un appareil de manoeuvre pour courant triphasé ou , de sorte que, pour la transmission de l'énergie dans un sens donné (par exemple de A vers B), ce sont les appareils de manoeuvre réunissant respectivement le système (A) avec l'entrée et le système B avec la sortie du cir-20 cuit à courant continu qui sont fermés, alors que les deux autres appareils de manoeuvre (Sg_^) sont ouverts, tandis que, pour inverser le sens d'écoulement de l'énergie, on ouvre les appareils de manoeuvre qui précédemment étaient fermés e"t Ç^e l'on ferme ceux qui étaient précédemment ouverts (sg_A) • 3« Dispositif selon la revendication 2 dans lequel sont prévus des circuits de filtrage pour la compensation des harmoniques de courant et de l'énergie réactive, caractérisé en ce<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication de circuits imprimés comprenant des bandes conductrices à plusieurs couches isolées les unes des autres par des couches de verre, caractérisé en ce que, afin d'empêcher que les conducteurs de cuivre, ne 5 soient décapés ou ne soient dissous dans le verre, les conducteurs, avant l'application de la couche de verre, sont recouverts électrolytiquement d'une mince couche de nickel puis d'une mince couche d'or. 2.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que les couches de verre isolantes ont une épaisseur de 20 vu et les couches d'or ont une épais- 10 seur de 3 y. 3.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que, avant l'application d'une couche de cuivre ultérieure la couche de verre isolante est décapée par de l'acide fluorydrique en vue d'assurer une adhésion satisfaisante de la couche de cuivre.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Method of manufacturing printed circuit boards comprising conductive bands with multiple isolated layers separated by glass layers, characterized in that, in order to prevent the copper conductors from being etched or dissolved in the glass, the conductors, before the application of the glass layer, are electroplated with a thin layer of nickel followed by a thin layer of gold. 2.- Method according to claim 1 characterized in that the insulating glass layers have a thickness of 20 nm and the gold layers have a thickness of 3 y. 3.- Method according to any one of claims 1 and 2 characterized in that, before the application of a subsequent copper layer, the insulating glass layer is etched with hydrofluoric acid in order to ensure a satisfactory adhesion of the copper layer.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour doper une région d'une matière semi-conductrice, caractérisé en ce qu'il consiste à bombarder la région,dans une mesure prédéterminée,avec des ions de la matière 5 de dopage, et de plus à bombarder la région avec des ions non dopants, le bombardement étant accompagné ou suivi par un chauffage afin de recuire la-région.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la dose et l'énergie des ions non dopants sont choisies 10 de telle sorte qu'en combinaison avec le bombardement effectué avec les ions dopants,/agissent, en l'absence de tout recuit, de façon à former une phase à peu près complètement amorphe dans la région de la surface du semiconducteur qui est pénétrée par les ions."1 15\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la dose et l'énergie des ions non dopants sont telles que la région de surface amorphe formée présente une étendue suffisante pour contenir entièrement les ions dopants qui. sont implantés.1 20 4? Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la matière semiconductrice est du silicium? 5.1 Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que les ions dopants sont des ions de bore? 25\n<CLM>\1\tMatière semiconductrice caractérisée en ce qu'elle comporte une région dopée formée par le procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes? #<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: ch 28918 -9- 7016299 ë_5„ï_5_iL2_ï_2_è_ï I 0 1-- Dispositif résonant comprenait un bloc solide limité par des faces parallèles planes et sur lequel est placé au moins un élément électronique et un résonateur piézoélectrique composé 5 d'une couche d'un matériau piézoélectrique placée entre deux électrodes parallèles supportées par une face du bloc, dans lequel l'épaisseur acoustique du bloc solide est -un multiple entier de l'épaisseur de la couche piézoélectrique. 2.- Dispositif selor la revendication 1, dans lequel le Vice 10 solide est ^n un matériau semi-conducteur. 3«- Dispositif srlon la revendication 2, dans lequel un circuit -intégr: est fcvre à la surface du b_oc du matériau semi-'-on-ducteur. 4-.- Dispositif selon la revendication 3 dans lequex j.e bloc 15 solide est \n bloc en un matériau céramique ayant au moins un élément électronique à film mince placé sur sa surface. 5«- Dispositif selon la revendication 4, dans lequel ce matériau céramique est du verre. 6. Dispositif selon une des revendications 1 à 5 dans le«-20 quel le bloc solide est monté sur un support solide en désaccord acoustique avec lui. 7«- Dispositif selon la revendication 6 dans lequel le bloc solide est fixé à ce support par une couche métallique ayant une épaisseur créant un désaccord acoustique entre ce bloc et ce 2$ support.. S.- Dispositif selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel au moins un élément électronique est couplé électriquement à au moins une des électrodes de façon à accorder cet élément sur la fréquence de résonance de la couche piézoélectrique. 30 9«- Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel il est prévu un dispositif permettant d'appliquer un signal alternatif entre les électrodes. 10.— Dispositif selon la revendication 9, dans lequel la fréquence du signal est telle que la longueur d'onde acoustique 35 daiis le matériau piézoélectrique soit 2n fois l'épaisseur de la couche piézoélectrique, n étant un nombre entier.<\|EOS\|><\|BOS\|>28918-9-7016299_5„ï_5_iL2_ï_2_è_ï I 0 1-- Resonant device comprising a solid block limited by parallel plane faces on which at least one electronic element and a piezoelectric resonator composed of a piezoelectric layer placed between two parallel electrodes supported by a face of the block, in which the acoustic thickness of the solid block is an integer multiple of the thickness of the piezoelectric layer. 2.- Resonant device according to claim 1, in which the solid block is made of a semiconductor. 3.- Resonant device according to claim 2, in which a circuit is integrated on the surface of the semiconductor material. 4.- Resonant device according to claim 3, in which the solid block is a ceramic block having at least one thin film electronic element placed on its surface. 5.- Resonant device according to claim 4, in which the ceramic material is glass. 6. Resonant device according to one of claims 1 to 5, in which the solid block is mounted on a solid support with acoustic mismatch. 7.- Resonant device according to claim 6, in which the solid block is fixed to the support by a metallic layer having a thickness creating an acoustic mismatch between the block and the support. 8.- Resonant device according to one of claims 1 to 8, in which at least one electronic element is electrically coupled to at least one of the electrodes in order to tune the element to the resonant frequency of the piezoelectric layer. 30 9.- Resonant device according to one of claims 1 to 9, in which a signal alternating is applied between the electrodes. 10.— Resonant device according to claim 9, in which the frequency of the signal is such that the acoustic wavelength in the piezoelectric material is 2n times the thickness of the piezoelectric layer, n being an integer.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour réduire la résistance de contact entre deux couches conductrices, superposées, d'un micro-circu.it électronique à plusieurs couches, caractérisé en ce que l'on 5 transmet aux deux couches conductrices, de l'énergie électrique.\n<CLM>\1\t- Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'on utilise comme source d'énergie un condensateur électrique chargé.\n<CLM>\1\t- Procédé suivant la revendication 1 ou la revendication 10 2, caractérisé par le fait que l'on applique une tension dont la valeur est comprise dans la gamme qui va de 1 à 20 Volts. BAQ ORIGINAL<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 23503 s 2016792 BEVEHDICATIOITS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositff soni-conductcur caractérisé on oe qu'il oonsiste : - A foraor une région électriquoraont active dans une plaquotto de matériau soni-conductour nionosriatr._lin ayant une épaisseur supérieure à environ cinquante 5 nierons - A réduire l'épaisseur do la plaquette à moins de vingt microns de manière quo ladite plaquotto réduite n'ait pas de support et soit floxible,\n<CLM>\1\tProcédé selon la' revendication 1^caractérisé on oo quo préalablement est à la réduction de l'épaisseur de la plaquotto, cello-oi/tomporairement fixée à 1C un support rigide dont elle est séparée après réduotion do son épaisseur.\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositif semi- conducteur,caractérisé ; on ce qu'il comporte 3Les stades suivants t - Dépôt épitaxial d'une couche monocristalline de matériau semi-conducteur sur un substrat cristallin constituant un support approprié « 15 - Formation d'une région électriquement active dans ladite couche et.élimina— ^ tion du substrat ot de la portion do ladite couche nécessaire pour l'obtention d'une coucho monooristallino sans support ayant une épaisseur inférieure à vingt microns.\n<CLM>\1\tProcédé selon la rovendication l,oaractprisé en 00 qu'après l'opération 20 de réduction, la couche sans support est collée directement à un autre substrat dont les propriétés s'aocordent à la fonction prévue pour ledit dispositif. 5« Procédé selon la rovendication 3, oaractérisé on >ce qu'après l'opéra— ^ tion do réduction, la couoho sans support est collée directement à un autro subetr-1 doté des propriétés voulues pour la fonction assignée audit dispositif. COPY<\|EOS\|><\|BOS\|>69 23503 s 2016792 BEVEHDICATIOITS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS.\n<CLM>\1\tDispositif à effet de Hall, intégré, dans lequel une partie d'un corps semi—conducteur remplit la fonction d elément de Hall, alors que dans la partie restante de ce corps serai-conducteur est 5 intégré un circuit auxiliaire associé à l'élément de Hall, ce dispositif étant caractérisé en ce que le corps semi-conducteur est fixé sur un support faisant partie d'une grille de conducteurs, des plages de contact du corps semi-conducteurs étant reliées électriquement aux extrémités de ces conducteurs, alors que la grille et 10 l'élément semi-conducteur sont disposés dans une enveloppe en matière synthétique dans laquelle sont prévus, à l'endroit respectivement de la partie inférieure et de la partie supérieure de l'élément de Hall, des évidements qui s'étendent jusqu'à proximité du corps semi-conducteur. !5\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur intégré suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les évidements sont coniques et convergent en direction de l'élément de Hall. Dispositif semi-conducteur intégré suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'on place dans les évidements des pe-20 tits morceaux de matériau ferromagnétique qui sont incorporés à l'enveloppe en matière synthétique, de manière qu'ils forment des pièces polaires permettant d'obtenir le champ magnétique pour l'élément de Hall.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATONS I Un procédé pour la fabrication d'un revêtement imperméable à l'humidité sur un composant électronique, caractérisé en ce qubn plonge sous vide-, dans de la paraffine ou de la cire fondue, le composant éleetroni-que miuli de raccords électriques. 2 - Un recédé selon la revendication 1, pour la fabricatio d'un ravêtement imperméable à l'hamidité sur une photo-résistance au sulfure de cadmium, caractérisé en ce que la température de la paraffine ou de la clre liquide vaut au moins å pen prés 100 C. 3 - Precédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce quon réduit la température de la paraffine ou de la cire liquide avant l'extraction du composant électronique. 4 - Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé e ce qu'on recouvre ensuite le composant électronique avec une cauche de laque. 5 - Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'on slonge le composant électronique dans une laque et qu'on ie sèche sous vide.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS I A process for the fabrication of an impermeable coating on an electronic component, characterized in that the component is plunged into a vacuum, in paraffin or melted wax, the electronic component of the electrical connections. 2 - A coating according to claim 1 for the fabrication of an impermeable coating on a cadmium sulfide photoresist, characterized in that the temperature of the paraffin or liquid wax is at least 100 C. 3 - A coating according to claim 1 or 2, characterized in that the temperature of the paraffin or melted wax is reduced before the extraction of the electronic component. 4 - A coating according to claim 1 or 2, characterized in that the electronic component is then coated with a lacquer. 5 - A coating according to claim 4, characterized in that the electronic component is elongated in a lacquer and dried under vacuum.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé pour le traitement d'un élément à semi-con-ducteur constitué par plusieurs couches ayant des conductivirés de types alternés , dans lequel l'une des couches située sous la couche cathode traverse cette dernière jusqu'à sa sur-face ext4 -5 rieure par des pcats ponctuels, et le coté anode de l ' élésient à semi-conducteur est pourvu d'un corps fixateur ( getter ) , ca -ractérisé en ce que le getter est appliqué aussi sur le côté cathode , sur une zone annulaire , en dehors de la partie compor -tant des ponts traversants . 10 2 - Utilisation comme getter d'un produit de dopage phosphoreux pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication\n<CLM>\1\tBAD ORIGINAL<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1 - Procedure for the treatment of a semiconductor element comprising multiple layers with alternating conductivities, in which one of the layers located below the cathode layer traverses this latter layer until its outer surface by means of point contacts, and the anode side of the semiconductor element is provided with a fixed body (getter), characterized in that the getter is also applied on the cathode side, on an annular zone, outside the part comprising the bridging elements. 10 2 - Use of a phosphorus-doped product as a getter for the implementation of the procedure according to the above revendication <CLM>\1\tBAD ORIGINAL<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 30828 n 2017808 E_E_V_EJ2_D_I_C_A_T_I_OJ[ 3\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate, comportant un disque de matériau semiconducteur disposé dans une isolation annulaire électrique, et prévu pour être refroidi de chaque côté au moyen d'électrodes métalliques fixées respective-5 ment de chaque côté caractérisé en ce qu'il comprend un "bloc métallique solide de support se répartissant sur chacune desdites électrodes métalliques précitées de chaque côté du disque semiconducteur , et un container placé de manière à être détaché: pour recouvrir la surface externe de chacun desdits blocs 1 n lu de support et pour engendrer la circulation du moyen réfrigérant au travers d'un espace formé entre ce dernier et ledit bloc de support, la force de contact par compression exercée sur ledit bloc de support ne pouvant se transmettre au container associé.\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate selon 1 pr 3 la revendication 1, caractérisé en ce que chacun desdits blocs métalliques et en forme de cône tronqué comportant une surface de diamètre supérieure en regard de l'électrode métallique associée et une surface de diamètre inférieur comportant une saillie, par laquelle ladite force de contact de compression s'applique à ladite 20 électrode métallique.\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite saillie dudit bloc de support, est filetée, pour venir coopérer avec un écrou fileté du container associé, et fait légèrement saillie dudit container. 25\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate selon la revendication 2, caractérisé en ce que le,dit bloc de support, est muni sur la périphérie du cône#d'une pluralité de crêtes des circonférence pour accroître son aiie de réfrigération.<\|EOS\|><\|BOS\|>30828 n 2017808 E_E_V_EJ2_D_I_C_A_T_I_OJ[ 3\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate, comportant un disque de matériau semiconducteur disposé dans une isolation annulaire électrique, et prévu pour être refroidi de chaque côté au moyen d'électrodes métalliques fixées respective-5 ment de chaque côté caractérisé en ce qu'il comprend un "bloc métallique solide de support se répartissant sur chacune desdites électrodes métalliques précitées de chaque côté du disque semiconducteur , et un container placé de manière à être détaché: pour recouvrir la surface externe de chacun desdits blocs 1 n lu de support et pour engendrer la circulation du moyen réfrigérant au travers d'un espace formé entre ce dernier et ledit bloc de support, la force de contact par compression exercée sur ledit bloc de support ne pouvant se transmettre au container associé.\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate selon 1 pr 3 la revendication 1, caractérisé en ce que chacun desdits blocs métalliques et en forme de cône tronqué comportant une surface de diamètre supérieure en regard de l'électrode métallique associée et une surface de diamètre inférieur comportant une saillie, par laquelle ladite force de contact de compression s'applique à ladite 20 électrode métallique.\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite saillie dudit bloc de support, est filetée, pour venir coopérer avec un écrou fileté du container associé, et fait légèrement saillie dudit container. 25\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate selon la revendication 2, caractérisé en ce que le,dit bloc de support, est muni sur la périphérie du cône#d'une pluralité de crêtes des circonférence pour accroître son aiie de réfrigération.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tAgencement Üe protection pour une génératrice à courant alternatif sans balais ayant un enroulement polyphasé 'excitatriceS un enroulement principal cie champ et une diode pour chaque phase de l'enroulement polyphasé, caractérisé en ce qu'il comprend une résis- tance pour chaque phase de l'enroulement polyphasé, un moyen de eircuit pour connecter une résistance en série entre chaque phase ae l'enroulement polyphasé et l'enroulement principal de champ, et un moyen comprenant une pluralité cie liaisons fusibles pour connecter chaque diode en shunt sur chacune des résistances.\n<CLM>\1\tagencement de protection selon la revendication 1, caractérisé en ce que les résistances et les diodes sont montées sur une plaque ue montage fixée à un empilage feuilleté sur lequel est bobiné l'enroulement polyphasé.\n<CLM>\1\tAgencement de protection selon la revendication 2, caractérisé en ce que les résistances et les diodes sont logées aans des découpes ménagées dans l'empilage feuilleté.\n<CLM>\1\tAgencement de protection selon la revendication 2, caractérisé en ce que la plaque de montage constitue une partie du moyen de circuit.\n<CLM>\1\tAgencement de protection selon la revendication 1, caractérisé en ce oue les liaisons fusibles sont réalisées en bronze phosphoreux.\n<CLM>\1\tAgencement de protection selon la reventication 1, caractérisé en ce que les liaisons fusibles sont soumises à une torsion de\n<CLM>\1\t7. Agencement ce protection selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque liaison fusible posède trois trous également espacés situés longitudinalement dans la région centrale de la liaison.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS lo Procédé pour la réalisation d'une gorge en creux dans la partie de la surface extérieure d'un composant à semiconducteurs qui n'est pas utilisée pour établir les contacts, 5 ce composant comportant plus d'une surface de jonction pn à 1'intérieur "de la pastille de semi-conducteur, caractérisé en ce que la gorge en creux (5) est réalisée par suite d'opérations successives de meulage à l'aide de fils à meuler de différents diamètres (1,2,3), ou avec des tôles à meuler de différentes 10 épaisseurs»\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'on utilise un fil préformé (6) dont le profil correspond au profil de la gorge qu'il s'agit de meuler.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé 15 en ce que l'on utilise une tôle préformée dont le profil correspond à celui de la gorge qu'il s'agit de meuler.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, 2 ou 3 caractérisé en ce que l'on utilise des additifs abrasifs de différentes granulations.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 29910 14 2019397 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tBoutons de soudure convenant pour fixer une galette de semi-conducteur à des conducteurs électriques, chaque bouton de soudure étant placé sur une portion correspondante d'une couche métallique de contact fixée à la galette de matière semi- 5 conductrice, chaque bouton de soudure étant caractérisé par le fait qu'une couche de métal conducteur est placée sur une zone choisie de la couche métallique de contact, qu'urne première couche de nickel est placée par-dessus la couche de métal conducteur et que plusieurs métaux choisis 30.vrfc placés par-des-10 sus la première couche de nickel, ua nombre choisi ds ess multiples couches constituant la soudure.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication des boutons de soudure selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on dépose sous vide la couche de métal conducteur sur la zone choisie de 15 la eouehe métallique de contact, qu'immédiatement après on dépose sous vide la première eouche de nickel par-dessus la couche de métal conducteur de manière à former une liaison entre la première couche de métal conducteur et la première eouehe de niekel, la liaison présentant une faible résistance électrique, 20 que l'on nettoie la eouehe de nickel et que sur cette première couche de niekel déposée sous vide et nettoyée, on applique par dépôt électrolytique les multiples couches de métaux choisisa BAD ORIGINAL f ■<\|EOS\|><\|BOS\|>69 29910 14 2019397 - CLAIMS -\n<CLM>\1\tWelding buttons suitable for fixing a semiconductor substrate to electrical conductors, each welding button being placed on a corresponding portion of a contact metal layer fixed to the semiconductor substrate, each welding button being characterized by the fact that a conductive metal layer is placed on a selected area of the contact metal layer, that a first layer of nickel is placed over the conductive metal layer, and that multiple selected metals are placed on top of the first layer of nickel, with a number chosen from multiple layers constituting the welding. \n<CLM>\1\tManufacturing method of welding buttons according to claim 1, characterized by the fact that the conductive metal layer is deposited under vacuum on the selected area of the contact metal layer, that immediately after, the first layer of nickel is deposited under vacuum on the conductive metal layer in order to form a bond between the first conductive metal layer and the first layer of nickel, the bond presenting a low electrical resistance, that the nickel layer is cleaned, and that on the first layer of nickel deposited under vacuum and cleaned, multiple layers of selected metals are applied by electrolytic deposition.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Canal de répartition pour l'air de soufflage des installations à air, plus particulièrement des fours de cuisson ou de séchage et qui est muni d'une ouverture d'expulsion allongée qui est équipée d'aubes de déviation disposées transversalement aux parois longitudinales de la dite ouverture, caractérisé en ce que les aubes de déviation sont formées par des plaques rectangulaires planes en une matière élastique qui sont insérées, en étant tendues, dans des découpes prévues les unes en face des autres dans les parois longitudinales de l'ouverture, l'écartement entre les extrémités, entrant en contact avec les bords opposés de la plaque, des découpes étant inférieur à la longueur, mesurée dans le plan, de la plaque.\n<CLM>\1\t- Canal de répartition suivant la revendication 1, caractérisé en ce que chaque découpe présente une ouverture destinée à l'insertion de la plaque et qui est orientée vers le "bord, opposé au canal de répartition, des parois longitudinales.\n<CLM>\1\t- Canal de répartition suivant les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que chaque découpe est munie d'extrémités en forme de V qui entrent en contact avec les bords opoosés de la plaque, tandis que le long de la délimitation orientée vers le côté convexe de l'aube de déviation, elle est plus fortement courbée que la dite aube de déviation.\n<CLM>\1\t- Canal de répartition suivant la revendication ls caractérisé en ce que la largeur des plaques rectangulaires planes en matière élastique est supérieure à l'écartement entre les parois longitudinales de l'ouverture d'expulsion.\n<CLM>\1\t- Canal de répartition suivant les revendications 1 ou 4s caractérisé en ce que les plaques rectangulaires sont formées en un acier à ressort d'une épaisseur de 0,1 à 0,5 mm, de préférence de 032 mm. j^AD ORIGINAL<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement, lors de la formation d'un évidement attaqué sur une surface d'un support 5 semiconducteur au travers d'une fenêtre triangulaire ou hexagonale ménagée dans un masque constitué par une pellicule isolante, à former ladite fenêtre de façon telle qu'un de ses côtés soit parallèle à l'axe cristallographique , et à attaquer la surface du support au travers de la fenêtre 10 ainsi orientée.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on ajuste le masque de façon telle que 1'évidement attaqué puisse être attaqué latéralement sous la périphérie de la fenêtre ménagée dans la pellicule isolante, et on forme une barrière 15 de Schottky entre le semiconducteur et le métal en déposant par évaporation un métal sur la portion inférieure constituant le fond dudit évidement creusé par attaque.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'on utilise une solution aqueuse d'éthylènediamine et de 20 pyrocatéchol comme solution d'attaque.\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur caractérisé en ce qu'il comporte une barrière de Schottky réalisée par mise en oeuvre d'un procédé selon 2 entre un semiconducteur et du molybdène. BAD ORIGINAL<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 35218 d 202O9OÎ REVEND I C AT IONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour fabriquer un composant à semiconducteurs, comportant une pastille de silicium, sur une face plane de laquelle se trouvent au moins deux zones de types de 5 conductivité différente, et un support métallique, notamment en tungstène ou en molybdène, fixé à ladite face, caractérisé par le fait que l'on recouvre la face plane du disque comportant des zones de types de conductivité différente, avec une pellicule d'aluminium, et la face de fixation du support avec 10 un alliage de silicium et d'aluminium, que l'on met ensuite la face plane du disque de silicium et la face de fixation du support en contact l'une avec l'autre et, que l'on chauffe enfin le disque de silicium et le support à une température au moins égale à la température entectique de l'alliage de silicium et 15 d'aluminium, et atteignant au plus 600 C°.\n<CLM>\1\t- Procédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on fixe une feuille d'un alliage de silicium et d'aluminium, par alliage, sur la face de fixation du support. 20\n<CLM>\1\t- Procédé suivant la revendication 1, carac térisé par le fait que l'on dépose une couche de silicium en supplément sur la pellicule d'alliage de silicium et d'aluminium, placée sur le support.\n<CLM>\1\t- Procédé suivant la revendication 1, carac-25 térisé par le fait que l'on munit les zones conductrices du type n, qui sont situées sur la face plane de la pastille de silicium, comportant les zones de types de conductivité différente, d'une pellicule superficielle d'un donneur, notamment d'antimoine, avant le dépôt de la pellicule d'aluminium.<\|EOS\|><\|BOS\|>69 35218 d 202O9OÎ REVEND I C AT IONS\n<CLM>\1\t- Procedure for manufacturing a semiconductor component comprising a silicon paste, on a flat face of which at least two regions of different conductivity types are present, and a metallic support, such as tungsten or molybdenum, fixed to said face, characterized in that the flat face of the disc comprising different conductivity regions is covered with an aluminum film, and the fixing face of the support is coated with a silicon-aluminum alloy, and then the flat face of the silicon disc and the fixing face of the support are brought into contact with each other, and finally the silicon disc and the support are heated to a temperature at least equal to the melting point of the silicon-aluminum alloy and 15 degrees Celsius, and reaching a maximum of 600°C.\n<CLM>\1\t- Procedure according to claim 1, characterized in that a silicon-aluminum alloy sheet is fixed to the fixing face of the support by alloying.\n<CLM>\1\t- Procedure according to claim 1, characterized in that a silicon layer is deposited on top of the silicon-aluminum alloy film placed on the support.\n<CLM>\1\t- Procedure according to claim 1, characterized in that the conductive regions of type N, which are located on the flat face of the silicon paste, comprising different conductivity regions, are coated with a surface film of a donor, such as antimony, before the deposition of the aluminum film.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 35707 5 2021025 REVEND ICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur du type comprenant un corps de matière semi-conductrice comportant une zone de contact recouverte d'une couche d'aluminium et une autre zone de contact non recouverte d'une couche d'aluminium, ledit procédé étant caractérisé 5 en ce qu'il consiste à déposer simultanément sur les deux surfaces de contact et par voie chimique une couche stratifiée de nickel en au moins trois passages séparés de dépôt, à fritter le nickel à environ 400°C après chaque passage de dépôt sauf le dernier, puis à terminer en déposant une couche de soudure sur les surfaces de nickel. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière semi-conductrice est le silicium et en ce que l'épaisseur de O la couche de nickel stratifiée est d'environ 23 A.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le frittage s'effectue sous atmosphère d'azote pendant une durée de 15 12 à 18 minutes.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la plaquette est nettoyée avec une solution tamponnée de décapage d'oxyde après chaque opération de dépôt d'une couche de nickel; - -----<\|EOS\|><\|BOS\|>69 35707 5 2021025 RESELLING\n<CLM>\1\tManufacturing method of a semiconductor device comprising a semiconductor body comprising a contact area covered with an aluminum layer and another contact area not covered with an aluminum layer, said method being characterized in that it consists in depositing a layered nickel coating on both contact surfaces by chemical means in at least three separate deposition steps, the nickel being then annealed at about 400°C after each deposition step except the last one, and then a weld layer is deposited on the nickel surfaces. 10\n<CLM>\1\tMethod according to claim 1, characterized in that the semiconductor material is silicon and that the thickness of the layered nickel coating is about 23 A.\n<CLM>\1\tMethod according to claim 2, characterized in that the annealing is carried out under nitrogen atmosphere for a duration of 15 to 18 minutes.\n<CLM>\1\tMethod according to claim 1, characterized in that the sheet is cleaned with a buffered oxide etching solution after each nickel coating deposition operation; - -----<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S 1.- Module de construction à semi-conducteurs, pour -mon- tage dans des cadres pivotants ou dans des structures d'appareils analogues enfichables, comportant des thyristors et/ou des diodes, des radiateurs et les composants accessoires nécessaires caractérisé en ce que le radiateur (i) a une forme essentiellement allon- gée, avec des ailettes de refroidissement (2) disposées dans le sens longitudinal, et présente sur se deux faces frontales (4) des dispositifs (6) pour recevoir des éléments à semi-conducteurs; que plusieurs radiateurs (1) sont maintenus par leurs faces frontales (4) à l'aide de plaques isolante de montage (IO) reliées par des entretoises (11) ; et qu il a été prévu des dispositions (28) pour la fixation d'autres composants (29,30) du montage éleôtrique 2.- Module de construction à semi-conducteur selon la revendication 1 caractérisé en ce que sur les faces frontales (4), les radiateurs (1) sont pourvus de bossages qui font saillie à travers des orifices prévus à cet effet dans les plaques de montage (10), servant ainsi à la fixation des radiateurs (1), et qu'à l'intérieur d'un module ces radiateurs sont disposés les uns audessus des autres. 3.- Module de construction à semi-conducteurs selon les revendications t ou 2 caractérisé en ce que les plaques de montage (IO) sont pourvues de bornes de raccordement (I3 à\n<CLM>\1\tpour les interconnexions intérieures et extérieures, toutes les connexions extérieures étant raccordées sur une seule et même plaque de montage (IO) 4.- Module de construction à semi-conducteurs selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que d'autres plots de raccordement (7) sont prévus par construction sur le radiateur (1) .<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Diode à avalanche par impact et à temps de tra" comprenant : a) un substrat semi-conducteur à faible résistivité d'un 5 premier type de conductivité b) une couche épitaxiale semi-conductrice de résistivité formée sur ledit substrat et de type de conductivité c à celui dudit substrat c) une première couche diffusée cylindrique du premier ty-10 conductivité qui s'étend depuis une région limitée sur surface de la couche épitaxiale jusqu'au substrat, et d) une seconde couche diffusée en forme d'assiette du typ opposé de conductivité qui englobe l'aire superficiell, la première couche diffusée, de sorte que la partie de- 15 tion noyée plane formée entre les deux couches diffuse une tension de claquage plus faible que le reste de 1& tion et qu'un claquage par avalanche se produit surtou la partie de jonction plane et noyée. 2.- Diode à avalanche par impact et à temps de tra: 20 suivant la revendication 1, comprenant : a) un substrat semi-conducteur de type N de faible ré sis t:' b) une couche épitaxiale du type P de résistivité élevée formée sur ledit substrat c) une première couche diffusée cylindrique de type N qui 25 s'étend depuis une région limitée sur la surface de la couche épitaxiale jusqu'au substrat, et d) une seconde couche diffusée de type P en forme de plat englobe l'aire superficielle de la première couche dif 3.- Diode à avalanche par impact et à temps de tra: 30 conforme à la revendication 1, où ledit substrat semi-condue est en silicium.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Avalanche diode by impact and time: including: a) a low resistivity semiconductor substrate of type 5 conductivity b) an epitaxial semiconductor layer of resistivity formed on said substrate and of conductivity type c to that of said substrate c) a first diffused cylindrical layer of type 10 conductivity extending from a limited region on the surface of the epitaxial layer to the substrate, and d) a second diffused layer in the form of a plate of opposite conductivity that encompasses the surface area, the first diffused layer, so that the submerged plane formed between the two diffused layers has a breakdown voltage lower than the rest of the layer and a breakdown by avalanche occurs on the plane and submerged junction. 2.- Avalanche diode by impact and time: 20 according to claim 1, including: a) a low resistivity semiconductor substrate of type N b) an epitaxial layer of type P of high resistivity formed on said substrate c) a first diffused cylindrical layer of type N extending from a limited region on the surface of the epitaxial layer to the substrate, and d) a second diffused layer of type P in the form of a plate encompassing the surface area of the first diffused layer 3.- Avalanche diode by impact and time: 30 conforming to claim 1, where said semiconductor substrate is silicon.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS: 1 , Procédé permettant la fabrication de cristaux de carbure de silicium par recristallisation et/ou par condensation dans une atmosphère de gaz protecteur sur la paroi d'une enceinte entourée de carbure de sili— 5 cium à des températures comprises entre 2300 et 2600°C, caractérisé en ce que pour la formation de cristaux de \|3>-SiC la croissance est effectuée à une pression d'azote supérieure â 1 atmosphère.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en œ.que la crois sance est effectuée sous une pression d'azote d'au moins 2 atmosphères. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la croissance est effectuée dans un mélange gazeux qui, outre l'azote, comporte un gaz inerte\n<CLM>\1\tCristaux de jfr-SiC, obtenus suivant une des revendications 1 à\n<CLM>\1\t5. Dispositifs semiconducteurs comportant des cristaux selon la 15 revendication 4.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tStructure de semi-conducteur, caractérisée par le fait que trois unités semi-conductrices MESA au moins sont formées à distance régulière les unes des autres sur un substrat unique et 5 qu'un dissipateur thermique est fixé au contact de la surface de chacune des unités MESA.\n<CLM>\1\tStructure de semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisée par le fait que trois unités semi-conductrices MESA sont disposées de façon à être situées aux sommets d'un triangle 10 équilatéral tracé à la surface du substrat.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure de semi-conducteur, caractérisé par le fait que trois unités semi-conductrices MESA sont formées aux sommets d'un triangle équilatéral tracé sur la surface d'un substrat unique, l'un des côtés au moins de ce 15 triangle équilatéral étant parallèle à l'un des plans de clivage du substrat.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif à couche d'arrêt comportant un substrat semiconducteur avec une surface, plane et une barrière redresseuse co-planaire réalisée dans ledit substrat au-dessous de la surface 5 plarie, ce dispositif étant caractérisé par une région isolante formée dans le substrat semi-conducteur de manière qu'un pourtour en matière isolante entoure essentiellement la barrière, cette dernière étant en totalité dans un plan unique.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qae 10 la région isolante est constituée par un oxyde, nitrure ou carbure du semi-conducteur constituant le substrat. 3o Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le semi-conducteur est du silicium»\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1, 2 et 3 15 caractérisé en ce que la barrière est une barrière Schottky. 5o Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'un contact métallique est placé au-dessus du siliciure métallique .\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que 20 le métal du siliciure métallique est du nickel, du zirconium, du titane, de l'hafnium ou l'un des six métaux du groupe du platine.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 5 et 6, caractérisé par la présence d'une couche isolante sur la surface plane dans laquelle est ménagée une ouverture qui entoure la région 25 contenant le siliciure métallique; par un contact métallique situé dans la région de ladite ouverture mais espacé des bords de cette dernière en laissant à découvert une partie de la région contenant le siliciure (anneau) et par une région isolante pénétrant dans le siliciure métallique à découvert et dans une partie de la sur-30 face du silicium, au-dessous du siliciure métallique, de manière à former un contour en matière isolante entourant essentiellement la barrière.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant au moins deux substrats semiconducteurs dont chacun contient au mo-ins-un élément de circuit discret et/ou un circuit intégré, caractérisé en ce que dans chaque substrat semiconducteur au moins une région semiconductrice ou métallisée d'au moins un élément de circuit discret et/ou au moins un circuit intégré, s'étend jusqu'à la surface du substrat semiconducteur et lesdites régions semiconductrices ou métallisées des substrats semiconducteurs correspondants sont connectés directement les unes aux autres. X,- Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que chacune des régions semiconductrices est en contact électrique avec des connexions métallisées et en ce que les connexions métallisées des substrats semiconducteurs correspondants sont connectés directement les unes aux autres. 3.- Dispositif suivant l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les connexions métallisées comportent des plots de liaison sur leurs surfaces, éloignés des régions semiconductrices des substrats semiconducteurs, les plots de liaison des substrats semiconducteurs correspondants étant connectés les uns aux autres. 4.- Dispositif suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins deux substrats semiconducteurs sont montés sur un support commun qui est un troisième substrat semiconducteur. 5.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'au moins un des substrats semiconducteurs contient un transistor qui est un élément de circuit discret et/ ou une partie d'un circuit intégré.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising at least two semiconductor substrates each containing at least one discrete circuit element or a integrated circuit, characterized in that in each semiconductor substrate at least one semiconductor or metallic region of at least one discrete circuit element or at least one integrated circuit extends to the surface of the semiconductor substrate and the corresponding regions of the semiconductor substrates are directly connected to each other. X,- A device according to claim 1, characterized in that each of the semiconductor regions is electrically connected to metallic connections and the corresponding metallic connections of the semiconductor substrates are directly connected to each other. 3.- A device according to any one of claims 1 and 2, characterized in that the metallic connections contain bonding pads on their surfaces, away from the semiconductor regions of the semiconductor substrates, the corresponding bonding pads of the semiconductor substrates being directly connected to each other. 4.- A device according to any one of the foregoing claims, characterized in that at least two semiconductor substrates are mounted on a common support which is a third semiconductor substrate. 5.- A device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that at least one of the semiconductor substrates contains a transistor which is a discrete circuit element or a part of an integrated circuit.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransducteur électro-mécanique à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un corps semi-conducteur présentant une région où on exerce une pression et une aiguille, pour exercer une pression sur ladite région du corps semi-conducteur, fixée sur cette région par adhérence de métal.\n<CLM>\1\tTransducteur électro-mécanique à semi-conducteur, selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'aiguille et la région de contact sont revêtues d'une pellicule de métal adhérant fortement sur l'aiguille et sur le corps semi-conducteur et d'une pellicule de métal fusible, et ces pellicules de métal fusible, disposées sur l'aiguille et sur le corps semi-conducteur, sont mises en contact l'une avec l'autre, puis soudées ensemble par fusion.\n<CLM>\1\tTransducteur électro-mécanique à semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce qûe la pellicule de métal adhérente est réalisée en un métal choisi dans le groupe comprenant le chrome, le nickel et l'aluminium, que la pellicule de métal fusible recouvrant l'aiguille est réalisée en un alliage d'étain et de plomb, et que la pellicule de métal fusible recouvrant le corps semi-conducteur est réalisée en or.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 41675 2025396 HEVENDICATTONS 1°/- Procédé d'établissement d'un trajet résistif à l'intérieur d'un corps semiconducteur dans un circuit intégré monolithique, comportant l'opération de diffusion d'une zone de résistance dans le corps, la dite zone de résistance étant du type opposé à celui du corps semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comporte les opérations supplémentaires suivantes : - on forme une zone supplémentaire à l'intérieur de la zone de résistance pour établir une jonction PN entre elles, la jonction s'étendant à la surface du corps l'autre zone étant de type de conductivité opposé à celui de la zone de résistance ; - on réalise des contacts superficiels à chaque extrémité de la zone de résistance, les contacts s'étendant sur la jonction PN pour connecter électriquement la zone de résistance à l'autre zone. 2°/~ Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le corps semi— conducteur est du silicium de type N,' et en ce que les électrodes de contact superficielles sont en aluminium. 3°/- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte les opérations supplémentaires suivantes : - on forme la zone isolante sur la surface entre les contacts ; - on forme une arrivée de conducteur sur la couche isolante, l'arrivée croisant le trajet résistif.. 4°/- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone de résistance est diffusée simultanément avec une région de base d'un transistor planaire, sur une plaquette de circuit intégré, et en ce que la zone supplémentaire est diffusée simultanément avec une région d'émetteur du transistor.<\|EOS\|><\|BOS\|>41675 2025396 HEVENDICATTONS 1°/- Procedure for establishing a resistive path within a semiconductor body in an integrated circuit monolithic structure, comprising the operation of diffusion of a resistive region within the body, the said resistive region being of the type opposite to that of the semiconductor body, characterized in that it comprises the following additional operations: - a supplementary region is formed within the resistive region to establish a PN junction between them, the junction extending to the surface of the body, the other region being of the opposite conductivity type to that of the resistive region; - contacts are formed at each end of the resistive region, the contacts extending over the PN junction to electrically connect the resistive region to the other region. 2°/~ Procedure according to claim 1, characterized in that the semiconductor body is of silicon type N, and the surface contact electrodes are made of aluminum. 3°/- Procedure according to claim 1, characterized in that it comprises the following additional operations: - an insulating layer is formed on the surface between the contacts; - a conductor arrival is formed on the insulating layer, the arrival crossing the resistive path. 4°/- Procedure according to claim 1, characterized in that the resistive region is diffused simultaneously with a base region of a planar transistor, on a integrated circuit substrate, and in that the supplementary region is diffused simultaneously with an emitter region of the transistor.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Diode à semi-conducteur servant de capacité variable en fonction de 3a tension, à structure p n n ou n p p, dans laquelle la concentration du dopape déterminant le type de conduc- • * "T 5 tivitê de la zone moyenne n ou p , décroît, au moins dans une partie de cette zone, suivant une fonction monotone pour des distances croissantes à partir de la jonction du type pn, et dans laquelle la zone extérieure p ou n est dopée si fortement que la zone de charge d'espace de la jonction du type pn s'étend, 10 au moins pour une partie importante, dans les zones n+n ou p+p, caractérisée par le fait que le dopage des zones nn ou p+p est ajusté de telle manière que leur concentration N(x), en fonction de la distance x à la jonction du type pn de la diode, satisfasse la relation N(x}>- J 15 2.- Diode suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que la jonction de type pn est réalisée par diffusion de deux substances de dopage à action inverse dans un cristal de base d'un type de conductivité, et que la concentration de la zone médiane à la jonction de type pn et la concentration Ng 20 du cristal de base satisfasse à la relation Nt. , ^->6,11 . 10"-5<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1.- Semiconductor diode serving as a variable capacitance in function of 3a voltage, with structure p-n-n or n-p-p, in which the concentration of the dopant determines the type of conductivity • "T 5 tivitê de la zone moyenne n ou p , décroît, au moins dans une partie de cette zone, suivant une fonction monotone pour des distances croissantes à partir de la jonction du type pn, et dans laquelle la zone extérieure p ou n est dopée si fortement que la zone de charge d'espace de la jonction du type pn s'étend, 10 au moins pour une partie importante, dans les zones n+n ou p+p, caractérisée par le fait que le dopage des zones n*n ou p+p est ajusté de telle manière que leur concentration N(x), en fonction de la distance x à la jonction du type pn de la diode, satisfasse la relation N(x}>- J 15 2.- Diode suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que la jonction de type pn est réalisée par diffusion de deux substances de dopage à action inverse dans un cristal de base d'un type de conductivité, et que la concentration de la zone médiane à la jonction de type pn et la concentration Ng 20 du cristal de base satisfasse à la relation Nt. , ^->6,11 . 10"-5<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs en germanium, caractérisé en ce qu'il consiste à former sur un substrat de germanium un film de bioxyde de silicium pour recouvrir 5 une ou plusieurs surfaces afin de devenir xme ou plusieurs surfaces mésa, et à attaquer le substrat de germanium par utilisation du film de bioxyde de silicium comme masque d'attaque pour que la surface exposée hors du film de bioxyde de silicum soit attaquée sous la forme mésa. 10 2 -Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que le film de bioxyde O o de silicium a me épaisseur comprise entre 1.000 A et 7.000 A. 3 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'attaque est réa- 15 lisée au moyen d'une attaque chimique,en employant une solution d'eau oxygénée. 4 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs selon la revendication >, caractérisé en ce que la solution d'eau oxygénée est maintenue à une température comprise entre 50°C et95#C 20 5 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'attaque est réalisée dans un système d'attaque électrolytique où le substrat de germanium est connecté à l'anode. 6 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs 25 selon la revendication 5j caractérisé en ce que l'attaque électrolytique est réalisée en employant une solution de soude à une température- inférieure à 30°C, comme électrolyte. 7 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs selon la revendication 3> caractérisé en ce que la solution d'atta- 30 que est de l'eau oxygénée ayant une concentration de 10 à 30 % en poids. 8 - Dispositifs semi-conducteurs en germanium du type mésa obtenus à titre de produits industriels nouveaux.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1 - Method of manufacturing semiconductor devices comprising germanium, characterized in that it consists in forming a silicon dioxide film on a germanium substrate to cover one or more surfaces in order to become a mesa or several mesa surfaces, and in attacking the germanium substrate by using the silicon dioxide film as an attack mask so that the surface exposed outside the silicon dioxide film is attacked in the form of mesa. 10 2 - Method of manufacturing semiconductor devices according to claim 1, characterized in that the silicon dioxide film has a thickness between 1,000 and 7,000 A. 3 - Method of manufacturing semiconductor devices according to claim 1, characterized in that the attack is carried out by chemical attack, using an aqueous oxygenated solution. 4 - Method of manufacturing semiconductor devices according to claim 1, characterized in that the aqueous oxygenated solution is maintained at a temperature between 50°C and 95°C. 20 5 - Method of manufacturing semiconductor devices according to claim 1, characterized in that the attack is carried out in an electrolytic attack system where the germanium substrate is connected to the anode. 6 - Method of manufacturing semiconductor devices according to claim 5, characterized in that the electrolytic attack is carried out by using a sodium solution at a temperature below 30°C, as an electrolyte. 7 - Method of manufacturing semiconductor devices according to claim 3, characterized in that the attack solution is aqueous oxygenated having a concentration of 10 to 30% by weight. 8 - Semiconductor devices comprising germanium of the type mesa obtained as new industrial products.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1-Procédé de fabrication d'un composant dans un fragement de matériau semi-conducteur , caractérisé en ce qu'il consiste à préparer une surface de ce fragment en lui donnant une orientation 5 cristalline (110), à former sur cette surface un masque présentant des ouvertures dont la configuration définit sur ladite surface (110) des lignes parallèles à'des lignes définies par l'intersection de plans (lll) avec ladite surface (110) et à éliminer par décapage une quantité prédéterminée du matériau semi- 10 conducteur à travers les ouvertures avec une solution de décapage qui décape les plans (lll) plus lentement que d'autres plans . 2-Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ladite surface est recouverte par un masque présentant une configuration telle qu'un mesa est formé lorsque le matériau semi-con- 15 ducteur est décapé, ce mesa ayant des parois perpendiculaires à la surface (110). 3-Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les ouvertures du masque exposent ladite surface de façon que des t alvéoles soient formés dans le fragment lors du décapage du ma- 20 tériau semi-conducteur, les parois de cet alvéole étant perpendiculaires à la surface (110) de ce matériau . 4-Substrat semi-conducteur obtenu au moyen du procédé suivant les revendications là), caractérisé en ce que l'orientation cristalline de ce substrat est (110),ledit substrat présen- 25 tant une partie évidée délimitée par des plans (lll) qui forment des parois perpendiculaires aux plans (110). 5-Substrat semi-conducteur suivant la revendication 4, caractérisé en ce que ledit évidement est délimité par quatre plans (lll) qui se coupent entre eux de manière à former des angles 30 intérieurs de 70°3l'48" et 109°28'12". 6-Substrat suivant la revendication 4, caractérisé en ce que ledit évidement est formé autour d'un mesa comportant quatre parois se coupant entre elles en formant des angles intérieurs de 70°31'48" et 109°28'12".<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1-Method of manufacturing a component in a semiconductor material fragment, characterized in that it consists in preparing a surface of said fragment by giving it a 5 crystallographic orientation (110), forming on said surface a mask presenting openings whose configuration defines on said surface (110) parallel lines to lines defined by the intersection of planes (lll) with said surface (110), and removing a predetermined quantity of semiconductor material through the openings with a stripping solution which strips the planes (lll) more slowly than other planes. 2-Method according to claim 1, characterized in that said surface is covered by a mask presenting a configuration such that a mesa is formed when the semiconductor material is stripped, said mesa having walls perpendicular to said surface (110). 3-Method according to claim 1, characterized in that the openings of the mask expose said surface such that a plurality of cavities are formed in the fragment during the stripping of the semiconductor material, the walls of said cavity being perpendicular to the surface (110) of said material. 4-Semiconductor substrate obtained by the method according to claims 1-4, characterized in that the crystallographic orientation of said substrate is (110), said substrate presenting an exposed portion delimited by planes (lll) which form walls perpendicular to the planes (110). 5-Semiconductor substrate according to claim 4, characterized in that said exposed portion is delimited by four planes (lll) which intersect each other in a manner to form internal angles of 70°31'48" and 109°28'12". 6-Semiconductor substrate according to claim 4, characterized in that said exposed portion is formed around a mesa comprising four walls which intersect each other to form internal angles of 70°31'48" and 109°28'12".<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 70 01505 5 2028859 EEVEHDICATIOHS\n<CLM>\1\tProcédé pour l'application d'un revêtement de polymère sur une surface d'un corps, d'une pièce ou d'un objet, caractérisé en ce qu'on applique une couche d'une solution de matière polymère sur cette surface et on polymérise la couche sous une 5 pression supérieure à la pression atmosphérique, à une température élevée, afin de former un revêtement de polymère, de sorte que les produits de condensation chimique de la matière polymère ne déforment pas le revêtement lors de leur évaporation à partir de celui-ci. 10\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la pression supérieure à la pression atmosphérique est comprise entre 3,5 et 70 kg/cm2 au manomètre.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la température élevée correspond à une température com-15 prise dans une gamme allant de 50 à 270°C. 4o Procédé suivant la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que l'atmosphère utilisée est de l'air, de l'azote ou de l'argon.\n<CLM>\1\tProcédé suivant l'une quelconque des revendications pré-20 cédentes, caractérisé en ce que l'atmosphère est formée par un courant de gaz inerte maintenu à une pression supérieure à la pression atmosphérique. 6„ Procédé pour le revêtement d'une surface d'un corps, d'une pièce ou d'un objet suivant l'une des revendications pré-25 cédentes, caractérisé en ce que ce corps est en matériau semiconducteur.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le corps en matériau semi-conducteur présente une jonction qui s'étend jusqu'à la surface dudit corps. 50\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur muni- d'un revêtement par le procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes.<\|EOS\|><\|BOS\|>70 01505 5 2028859 EEVEHDICATIOHS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: r REVENDICATIONS -i 1 - Support de redresseur haute tension, produisant I la tension anodique, avec un corps cylindrique qui contient un contact relié à la ligne haute tensionS ledit support étant carac- térisé en ce que la ligne de branchement est une ligne haute tension ne présentant pas d'effet de couronne et placée autour du contact support après sa sortie sur la face extérieure du corps 2 - Support selon revendication 1, caractérisé en ce que la face extérieure du corps comporte des nervures de guidage el de fixation de la ligne haute tension. 3 - Support selon revendication 1 ou 2, caractérisé ei ce que la paroi extérieure du corps comporte une entaille par laqut la ligne haute tension sort du corps, puis est repliée en U et placée autour du contact de support, sur la face extérieure du corps. 4 - Support selon une des revendications 1 à 3, carac térisé en ce que le corps est une pièce en matière plastique injectée.<\|EOS\|><\|BOS\|>r REVENDICATIONS -i 1 - Support de redresseur haute tension, produisant I la tension anodique, avec un corps cylindrique qui contient un contact relié à la ligne haute tensionS ledit support étant carac- térisé en ce que la ligne de branchement est une ligne haute tension ne présentant pas d'effet de couronne et placée autour du contact support après sa sortie sur la face extérieure du corps 2 - Support selon revendication 1, caractérisé en ce que la face extérieure du corps comporte des nervures de guidage el de fixation de la ligne haute tension. 3 - Support selon revendication 1 ou 2, caractérisé ei ce que la paroi extérieure du corps comporte une entaille par laqut la ligne haute tension sort du corps, puis est repliée en U et placée autour du contact de support, sur la face extérieure du corps. 4 - Support selon une des revendications 1 à 3, carac térisé en ce que le corps est une pièce en matière plastique injectée.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1« Procédé pour accroître l'amplification en courant et la résistance aux radiations de transistors au silicium à une couche superficielle d'oxyde de silicium, caractérisé par le fait qu'on 5 expose les transistors tout d'abord à un rayonnement ionisant constitué par des rayons X, des rayons gamma ou des électrons et possédant une énergie telle que la couche superficielle en oxyde de silicium soit traversée au moins par une partie du rayonnement) 4 9 la dose de rayonnement absorbée variant entre 10 et 10 x-ads, qu'on soumet ensuite ces transistors à une sollicitation électrique sans irradiation simultanée, la couche d'arrêt étant portée au cours de cette sollicitation électrique à une température variant entre 50 et 250SC et par le fait qu'on répète au moins encore une fois le cycle d'une irradiation suivie d'une sollicitation électrique 1,5 sans irradiations\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on utilise une dose de rayonnement variant entre 10^ et 108 rads.\n<CLM>\1\tProcédé st&rant la revendication 1 ou 2 caractérisé 20 par le fait qu'on choisit la sollicitation électrique de façon que le passage du courant porte la couche d'arrêt à une tempéra» ture variant entre environ 80 et 16O*C0 4» Procédé suivant l'une quelconque revendications 1 à 3, caractérisé par le fait que la sollicitation électrique d'un' 25 transistor planar au silicium consiste à appliquer une tension électrique directe entre l'émetteur et la base et une autre tension électrique entre l'émetteur et le collecteur eu encore la base et le collecteur» 5o Procédé suivant la revendication 4, caractérisé par le 30 fait que la jonction collecteur-base de type pn est sollicitée en inverse.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 70 07119 5 2032470 BZTOiPICAEEOBS\n<CLM>\1\tTube à décharge comportant une électrode dont la partie assurant l'émission d'électrons est constituée par un semiconducteur à type de conduction £, formé par des cristaux mixtes 5 d'un composé AIII-BV et activé à l'aide d'une couche extérieure dont le travail de sortie est inférieur ou au maximum égal â la distance entre le niveau de Fermi et la partie inférieure de la bande de conduction, caractérisé en ce que le composé semiconducteur utilisé est en arséniure et phosphure de gallium, le 10 composé renfermant, en moles, au moins 60% d'arsenic, alors que le dopage destiné à assurer la conduction £ est obtenu de préférence par du manganèse, du silicium ou du germanium, la concen- yfO tration de cet élément étant de l'ordre de 10 atomes /cm3.\n<CLM>\1\tTube à décharge selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément qui assure le dopage pour obtenir la con- 18 18 duction p à une concentration comprise entre 1.10 et 2.10 atomes/cm^.\n<CLM>\1\tTube à décharge selon la revendication 1 ou'2, caractérisé en ce que le composé semiconducteur est formé par une couche épi- 20 taxi aie monocristalline.\n<CLM>\1\tTube à décharge selon la revendication 1, 2 ou 3 caractérisé en ce que l'électrode émettant les électrons est une cathode d'injection pourvue d'un contact d'injection.\n<CLM>\1\tTube à décharge selon la revendication 1, 2 ou 3 carac-25 térisé en ce que la cathode émettant les électrons est une photo cathode transparente.\n<CLM>\1\tTube à décharge selon la revendication 5, caractérisé en ce que le composé semiconducteur répond à la formule GaAsQ Pn la concentration caractérisant le dopage étant environ » ' 18 / -5 30 1,7 x 10 atomes/cnr , alors que l'epaisseur de la couche est égale à 5000 A environ.\n<CLM>\1\tTube à décharge selon la revendication 1, 2 ou 3 caractérisé en ce qu'une couche isolante très mince sépare la couche semiconductrice d'une couche semiconductrice transparente à fai- 35 ble écartement de bandes.<\|EOS\|><\|BOS\|>70 07119 5 2032470 BZTOiPICAEEOBS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S 1- Elément tracteur élastique, comprenant un organe d'arrêt susceptible de limiter la course de Il élongation en transmettant la force partielle qui résulte de la différence entre la force à transmettre et la réaction élastique, caractérisé par un accouplement de plusieurs ressorts (1, 2, 3 ; 9, 33 ; 12, 13 ; 18, 34 ; 23f 24, 25 ;\n<CLM>\1\tet l'association à chacun d'eux d'un organe (7 ; 10 15, 16 ; 21, 35 ; 26, 27, 28 ;\n<CLM>\1\tsusceptible d'arrêter son élongation. 2- Elément selon la revendication t, caractérisé en ce que les ressorts (1, 2, 3 ; 9, 33 ; 12, 13 ; 18, 34 ; 23, 24, 25 ;\n<CLM>\1\tpossèdent des caractéristiques élastiques différentes. 3- Elément selon la revendication t, caractérisé en ce que les ressorts (1, 2, 3 ; 18, 34 ; 23, 24, 25 ;\n<CLM>\1\tsont disposés les uns au bout des autres. 4- Elément selon la revendication 1, caractérisé en ce que les ressorts (9, 33 ; 12, 13), accouplés les uns aux autres, sont disposés les uns dans les autres.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDEMENTS 1- Elément tracteur élastique, comprenant un organe d'arrêt susceptible de limiter la course de Il élongation en transmettant la force partielle qui résulte de la différence entre la force à transmettre et la réaction élastique, caractérisé par un accouplement de plusieurs ressorts (1, 2, 3 ; 9, 33 ; 12, 13 ; 18, 34 ; 23f 24, 25 ;\n<CLM>\1\tet l'association à chacun d'eux d'un organe (7 ; 10 15, 16 ; 21, 35 ; 26, 27, 28 ;\n<CLM>\1\tsusceptible d'arrêter son élongation. 2- Elément selon la revendication t, caractérisé en ce que les ressorts (1, 2, 3 ; 9, 33 ; 12, 13 ; 18, 34 ; 23, 24, 25 ;\n<CLM>\1\tpossèdent des caractéristiques élastiques différentes. 3- Elément selon la revendication t, caractérisé en ce que les ressorts (1, 2, 3 ; 18, 34 ; 23, 24, 25 ;\n<CLM>\1\tsont disposés les uns au bout des autres. 4- Elément selon la revendication 1, caractérisé en ce que les ressorts (9, 33 ; 12, 13), accouplés les uns aux autres, sont disposés les uns dans les autres.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tBoite de montre étanche avec glace en matière dure retenue dans un logement de la lunette, dont la paroi est au moins approximativement parallèle à l'axe de la boite, caractérisée par un anneau en matière tendre qui prend place au fond du logement de la lunette prévu pour la glace et qui est inséré entre celle-ci et la paroi de ce logement.\n<CLM>\1\tBoite selon la revendication 1, caractérisée en ce que le dit anneau présente lui-même un logement ajusté à la glace et a des dimensions externes légèrement supérieures à celles de la paroi du logement correspond de la lunette.\n<CLM>\1\tBote selon la revendication 2, caractérisée en ce que le bord externe de la glace est incliné et en ce que le logement du dit anneau a une forme correspondante.\n<CLM>\1\tBoite selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisée en ce que le dit anneau a une partie qui s'étend au-dessous de son logement pour la glace et dont la hauteur correspond à celle des aiguilles.\n<CLM>\1\tBoite selon la revendication 1, caractérisée en ce que le dit anneau est fait en verre organique et est métallisé.\n<CLM>\1\tBoTte selon l'une ou l'autre des revend-ications 1, 2, 3 ou 5, caractérisée en ce que le dit anneau est camouflé par une fausse lunette.\n<CLM>\1\tBoite selon l'une ou l'autre des revendications 1, 2, 3 ou 5, caractérisée en ce que le dit anneau est camouflé par un re bord due la glace.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransistor,planar haute fréquence caractérisé par le fait'que la base, dopée au bore, a une résistance de surface comprise entre 200 et 19 400 îj et une concentration en substance de dopage d'environ 10 atomes 3 d'impureté/cm -, que la largeur de base est au plus égale à 0,5 ^ , que l'émet-5 teur, dopé au phosphore, a une concentration en substance de dopage au plus égale à 5 x 20 atomes d'impureté/cm , et que la largeur d'émetteur est inférieure, à 0,5 y • 2)Procédé de fabrication d'un transistor conforme à la revendication 1 caractérisé par le fait que la diffusion de l'émetteur se poursuit jusqu'à 10 ce que le front de diffusion de l'émetteur ccmmence à faire avancer le front de diffusion de la base dans là région de collecteur existant après la fin de la diffusion de base.\n<CLM>\1\tProcédé conforme à la revendication 2 caractérisé par le fait que le dopage de la base est prévu à une valeur telle que la largeur de base 15 qu'on obtient après la diffusion de l'émetteur, qui suit la diffusion de la base, est réduite au plus à 0,5y , avant que le front de diffusion de l'émetteur commence à faire avancer le front de diffusion de base dans la région de collecteur existant après la fin de la diffusion de base.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé pour la préparation de jonctions métal/semiconducteur à barrière de potentiel lors de la fabrication de composants à couche mince de structure polycristalline à configuration en sandwich ou à clivage dans lequel ie contact à barrière se compose d'un métal appliqué sur le substrat aval. le semi-conducteur et le contact injecteur est réalisé de façon connue en soi, caractérisé en ce que le contact à barrière et le semi-conducteur sont soumis à un traitement thermique commun. 2 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise l'or comme métal pour le contact à barrire et, comme semi-conducteur, le sulfure de cadmium métallisé sous vide, l'opération de requit s'effectuant immédiatement après la mise en place de la couche de semi-conducteur sous vende poussé à une température d'environ 500 C pendant une durée d'au moins 5 minutes. 3 - Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que l'opération de recuit s'effectue sous atmosphère de gaz inerte. 4 - Procédé suivant l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il est mis en oeuvre pour la préparation de jonctions à barrières dans des circuits intégrés avec composants à couche mince et/ou diodes à couche mince.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1 - Process for the preparation of metal-semiconductor junctions with potential barrier during the fabrication of thin-film integrated circuit components in which the barrier contact consists of a metal applied on the substrate. The semiconductor and the injecting contact are realized in a known manner, characterized in that the barrier contact and the semiconductor are subjected to a common thermal treatment. 2 - Process according to claim 1, characterized in that gold is used as the metal for the barrier contact and, as the semiconductor, the sputtered cadmium sulfide, the process of heating is carried out immediately after the deposition of the semiconductor layer under vacuum at a temperature of about 500°C for a duration of at least 5 minutes. 3 - Process according to claim 2, characterized in that the heating process is carried out under an inert gas atmosphere. 4 - Process according to one of the claims 1 to 3, characterized in that it is implemented for the preparation of barrier junctions in integrated circuits with thin-film components and/or thin-film diodes.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de production d'un matériau mousse de construction caractérisé en ce qu'il comprend l'aspersion ou l'imprégnation d'une couche constituée par une nappe fibreuse, dans laquelle les fibres ne sont pas liées entre elles, avec un mélange comprenant une résine thermodurcissable et un agent moussant qui dégage un gaz par chauffage, la pénétration dudit mélange s'effectuant dans la totalité de la nappe fibreuse et en ce qu'on soumet ensuite lesdites nappes ou plusieurs desdites nappes superposées à un traitement thermique poir transformer en mousse ledit mélange ayant pénétré dans la nappe et le durcir en même temps de façon que la nappe fibreuse se dilate et que la résine thermodurcissable transformée en mousse remplisse les espaces dilatés.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que plusieurs desdites nappes sont superposées et préformées de façon à obtenir une nappe fibreuse en appliquant une pression suffisante à l'ensemble à une température inférieure à celle de transformation en mousse et à la température de durcissement du mélange à base de résine, avant ledit traitement thermique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération d'application de matériau de revêtement sur plusieurs desdites nappes superposées si bien qu'après lesdits traitements thermiques, la masse fibreuse obtenue adhère audit matériau de revêtement.\n<CLM>\1\tUn matériau mousse de construction préparé par un procédé selon l'une des revendications 1 à 3 ci-dessus.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur à circuit intégré qui comporte : une couche de matériau semiconducteur avec plusieurs jonctions entre des régions de types 5 conductivitê différents, une couche de matériau d'oxyde thermique adjacente à ladite couche de matériau semiconducteur, ledit oxyde thermique ayant une tendance inhérente à transporter les charges mobiles qui produisent des effets d'inversion de type de conductivitê non désirés si elles atteignent la couche de semiconducteur j 10 des moyens de conduction localisés sur ladite couche d'oxyde thermique pour amener les tensions de fonctionnement, dont une au moins est une tension négative, vers ledit dispositif semiconducteur à circuit intégré -, une coucha de recouvrement d'oxyde dudit semiconducteur qui recouvre les dits moyens de conduction; et 15 des bornes adaptées pour assurer la liaison électrique avec les dits moyens de conduction, l'amélioration due à la présente invention étant caractérisée en ce qu'elle comprends ta) une électrode conductrice déposée sur ladite couche de recouvrement et s'étendant au-dessus des dites jonctions, et 2Q tbî des moyens de connexion pour connecter électriquement ladite tension négative à ladite électrode conductrice, ladite électrode conductrice attire ainsi les dites charges mobiles vers une partie du dispositif à circuit intégré éloigné de la couche de semiconducteur évitant ainsi l'inversion. 25 2.- Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que ledit oxyde thermique est un phosphosilicate et ledit conducteur est du silicium. 3,- Dispositif selon la revendication jî caractérisé en ce que les dits moyens de connexion présentent une résistance suffisamment grande pour permettre 30 une compensation des effets capacitifs dûs à l'intéraction entre ladite électrode et les dites jonctions.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1.- A semiconductor integrated circuit comprising: a semiconductor material layer with multiple junctions between regions of different conductivity types, an adjacent thermal oxide layer to the semiconductor material layer, the said thermal oxide layer having an inherent tendency to transport mobile charges that produce undesired inversion-type conductivity effects if they reach the semiconductor layer, localized conduction means on said thermal oxide layer for bringing the operating voltage, at least one of which is a negative voltage, to the semiconductor integrated circuit device, a layer of said thermal oxide covering the said conduction means; and 15 connection means for electrically connecting said negative voltage to said conductive electrode, said conductive electrode attracting thus said mobile charges toward a part of the integrated circuit device away from the semiconductor layer, thereby avoiding the inversion. 25 2.- Integrated circuit according to claim 1 characterized in that said thermal oxide is a phosphosilicate and said conductor is silicon. 3,- Integrated circuit according to claim 1 characterized in that said connection means have a sufficiently high resistance to permit compensation of the capacitive effects due to the interaction between said electrode and said junctions.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de transistors à effet de champ dans lequel on produit, dans un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivitê, deux zones séparées, fortement 5 dopées d'un second type de conductivitê, destinées à constituer les électrodes de source et de drain et dans lequel on recouvre la surface de la source, du drain et la zone du substrat semiconducteur comprise entre ces deux électrodes, d'une couche d'oxyde, caractérisé en ce qu'immédiatement après l'application de la 10 couche d'oxyde, on dépose sur cette dernière une couche métallique et en ce que l'on procède, ensuite, par décapage, à l'aménagement des fenêtres des contacts et à l'établissement des contacts des électrodes. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le 15 fait qu'on applique la couche métallique par vaporisation au moyen d'un canon à électrons. 3 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la couche d'oxyde est une couche de bioxyde de silicium. 4 - Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par 20 le fait que la couche métallique est une couche d'aluminium.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1 - Method of manufacturing field-effect transistors in which two separated zones, strongly doped with a second type of conductivity, are produced in a semiconductor substrate of the first type, intended to constitute the source and drain electrodes, and in which the surface of the source, drain, and the region of the semiconductor substrate between these two electrodes is covered with an oxide layer, characterized in that immediately after the application of the 10 oxide layer, a metallic layer is deposited on this latter layer, and in that the subsequent processing involves the formation of contact windows and the establishment of the contacts to the electrodes. 2 - Method according to claim 1, characterized in that the metallic layer is deposited by evaporation using an electron gun. 3 - Method according to claim 1, characterized in that the oxide layer is a silicon dioxide layer. 4 - Method according to claim 1 or 2, characterized in that the metallic layer is an aluminum layer.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tComposant à semi-conducteurs, à au moins une jonction pn dans le corps semi-conducteur, du type dans lequel on prévoit sur une surface plusieurs revêtements métalliques, électriquement conducteurs et passant par me fenêtre ménagée 5 dans une première couche isolante, l'un de ces revêtements métalliques servant à l'établissement du contact pour l'une des zones formant la jonction pn,et dans lequel on prévoit, sur le revêtement métallique conducteur servant à l'établissement des contacts, un élément ou une partie saillante métallique servant à 10 la réalisation du contact lors du montage dudit composant dans un boîtier, caractérisé par le fait que tous les revêtements métalliques sont recouverts d'une seconde couche isolante qui comporte une fenêtre pour relier le revêtement métallique conducteur servant à l'établissement du contact, avec ledit élément 15 saillant métallique.\n<CLM>\1\tComposant à semi-conducteurs suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la seconde couche isolante est une couche de bioxyde de silicium.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 70 13787 3 2039343 R Z V r N I) I C A T I 0 M S 1 - Composant à semi-conducteurs comportant au moins une jonction pn, qui est réalisé par une zone d'un -premier type de conductivité, obtenue par diffusion, dans un corps semi-5 conducteur d'un second type de conductivité, caractérisé par le fait qu'un premier contact métallique de la zone d'un premier type de conductivité recouvre partiellement une couche isolante située à la surface du corps semi-conducteur, que la zone du premier type de conductivité est entourée à une certaine 10 distance par une zone fortement dopée d'un second type de conductivité et agissant comme un anneau de protection, que cette dernière zone est munie d'un second contact métallique qui recouvre partiellement la couche isolante tout en étant séparée électriquement du premier contact métallique, et que la 15 couche isolante comporte une couche de passivation. 2 - Composant à semi-conducteurs suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la couche de passivation est constituée par du bioxyde de silicium dopé par du pentoxyde de phosphore. 8A0 original '<\|EOS\|><\|BOS\|>70 13787 3 2039343 R Z V r N I) I C A T I 0 M S 1 - Component with semiconductor comprising at least one pn junction, which is realized by a region of a first conductivity type, obtained by diffusion, in a semiconductor of a second conductivity type, characterized by the fact that a first metallic contact of the first conductivity type region partially covers a dielectric layer located on the surface of the semiconductor body, that the first conductivity type region is surrounded at a certain distance by a region heavily doped of a second conductivity type and acting as a protective ring, that the latter region is equipped with a second metallic contact which partially covers the dielectric layer while being electrically separated from the first metallic contact, and that the dielectric layer comprises a passivation layer. 2 - Component with semiconductor according to claim 1, characterized by the fact that the passivation layer is composed of silicon dioxide doped with phosphorus pentoxide. 8A0 original<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Appareil pour le traitement et la fabrication de circuits-intégrés ou de dispositifs analogues, caractérisé en ce qu'une source laser est suivie par un dispositif de déflection électro-optique ou magnéto-optique qui peut être commandé électroniquement suivant un programme choisi et en ce que ce dispositif de déflection est suivi par un système optique multiplicateur qui sépare le faisceau laser dont la direction est commandée et qui fait en sorte que les faisceaux composants frappent simultanément plusieurs points d'un ou plusieurs dispositifs à fabriquer et à traiter. 2.- Appareil selon la revendication 1 2 caractérisé en ce que le dispositif de déflection électro-optique ou magnetooptique est un dispositif digital de déflection pour faisceau laser. 3.- Appareil selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le système optique multiplicateur est un hologramme de points en phase.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Device for the treatment and fabrication of integrated circuits or analogous devices, characterized in that a laser source is followed by an electro-optical or magnetooptical deflection device which can be electronically controlled according to a chosen program and in that the deflection device is followed by an optical multiplexer which separates the laser beam whose direction is controlled and which makes it so that the component beams strike simultaneously multiple points on one or more devices to be fabricated and processed. 2.- Device according to claim 1, 2 characterized in that the electro-optical or magnetooptical deflection device is a digital laser beam deflection device. 3.- Device according to one of claims 1 or 2, characterized in that the optical multiplexer is a phase-matched point hologram.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour déposer des couches d'une substance semi-conductrice ou isolante à partir d'un courant de gaz réactionnel sur des cristaux serai-conducteurs chauffés, ou pour 5 doper de tels cristaux à partir d'un courant gazeux de dopage, dans lequel on utilise des conditions opératoires constantes ou des conditions opératoires que l'on ne modifie que par paliers, caractérisé par le fait que toutes les phases opératoires sont réalisées de telle manière ^vec des conditions opératoires cons-10 tantes que le gaz réactionnel passe, tangentiellement sur les cristaux semi-conducteurs à traiter, dans un sens pendant la moitié de la durée nécessaire au traitement alors que pendant l'autre moitié de cette durée le gaz passe en sens inverse du précédent. 15\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1 caractérisé par le fait que pendant les différentes phases opératoires à des conditions de traitement constant, on alterne à plusieurs reprises la direction de l'écoulement du gaz.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 70 09865 6 2041088 ■Revendications\n<CLM>\1\tProcédé pour faire diffuser des éléments d'impuretés dans un semiconducteur, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement : à dissoudre, dans un solvant volatil, des composés d'élé-5 ments d'impuretés et une matière organique de revêtement qui sont solubles dans ledit solvant ; à former, avec la solution ainsi obtenue, un revêtement sur une surface d'un substrat ; et à faire diffuser l'élément d'impureté à partir dudit revêtement jusque dans ledit substrat. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que 1' on choisit ladite matière organique parmi 1 15 3 • Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on utilise comme solvant volatil au moins une substance choisie parmi le groupe constitué par : méthanol, éthanol, éther éthylique, acétate d'amyle, acétone, dioxanne, ester d'acide acétique, eau.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que 20 l'on utilise comme composé d'élément d'impureté au moins une substance choisie parmi le groupe constitué par : pentoxyde de phosphore, acide phosphorique, trioxyde d'arsenic, trichlorure d'arsenic, trioxyde de di-bore, chlorure d'aluminium, chlorure de gallium, chlorure d'indium-25\n<CLM>\1\tProcédé pour faire diffuser des éléments d'impuretés dans un semiconducteur, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à préparer le liquide de revêtement en dissolvant d'abord des composés de l'élément d'impureté dans un solvant volatil prédéterminé, puis en dissolvant une matière organique de revêtement dans ledit 30 solvant volatil, puis enfin en mélangeant les produits résultant des deux susdites opérations élémentaires ; à former un revêtement sur un substrat semiconducteur par application dudit liquide de revêtement sur la surface- du semiconducteur ; et à faire diffuser 1' impureté contenue dans ledit revêtement à partir dudit revêtement 35 jusque dans le substrat semiconducteur.<\|EOS\|><\|BOS\|>70 09865 6 2041088 ■Claims<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 70 17228 6 2042590 revehdications 1 - Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, caractérisé en ce qu'il consiste à prévoir une plaque frittée en sulfure de cadmium de type n, à immerger cette plaque frittée dans 5 une solution aqueuse de chlorure cuivreux à une température allant de 10 à 50°C, pendant une période de temps allant de 20 à 300 minutes, afin de former une couche mince de type p sur une surface principale de la plaque frittée, et à appliquer des électrodes à la couche mince de type p et à une autre surface principale de la 10 plaque frittée, la solution aqueuse ayant une valeur de pH de là}. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la plaque frittée en sulfure de cadmium de type n est immergée dans la solution aqueuse, à une température de 10 à 30°C, pendant une période de temps de 60 & 180 minutes. 15 3 - Cellules photovoltaïques ainsi obtenues à titre de produits industriels nouveaux.<\|EOS\|><\|BOS\|>70 17228 6 2042590 revehdications 1 - Manufacturing method of a photovoltaic cell characterized in that it consists in predicting a cadmium sulfide n-type plate, immersing this plate in a aqueous solution of copper chloride at a temperature ranging from 10 to 50°C, for a period of time ranging from 20 to 300 minutes, in order to form a thin layer of type p on the main surface of the plate, and applying electrodes to the thin layer of type p and to another main surface of the plate, the aqueous solution having a pH value of there}. 2 - Manufacturing method according to claim 1, characterized in that the cadmium sulfide n-type plate is immersed in the aqueous solution at a temperature of 10 to 30°C, for a period of time of 60 & 180 minutes. 15 3 - Photovoltaic cells thus obtained as new industrial products.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 70 19154 6 2045813 R I V E N B ! C A T I 0 M S î - Transistor 3 sorte dénett®sr l"t$rale, zone de collecteur latérale et substrat de aise dopage » et â zone de base ...à • dopage opposé jouxtant le-substrats caractérisé en ce que l'une 5 des zones latérales, soit la zone de collecteur, soit la zone d'émetteur recouvre seulement par «ne partie de sa face inférieure la zone de base de dopage opposé, et qu'une autre partie de la face inférieure de cette zone latérale recouvre au moins une partie d'une face de séparation de même dopage, ou au moins une partie du 10 substrat de sème dopage. 2 - Transistor selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones de même dopage sont, dopées en p et la zone de base de dopage opposé est dopée en n„ 3 - Transistor selon la revendication 1 ou la revendication 15 2, caractérisé en ce que la zone de collecteur (C) est la zone latérale recouvrant au moins■partiellement sur sa face inférieure la paroi de séparation (Tr) ou-le substrat ÇSJ 4 - Transistor selon la revendication 1 ou la revendication 2, ou la revendication 3» caractérisé en ce qu'il est prévu une 20 'zone isolante (Is) entre un corps seiai-conducteur (S') et une zone correspondant au substrat (5).<\|EOS\|><\|BOS\|>70 19154 6 2045813 R I V E N B ! C A T I 0 M S î - Transistor 3 sorte dénett®sr l"t$rale, zone de collecteur latérale et substrat de aise dopage » et â zone de base ...à • dopage opposé jouxtant le-substrats caractérisé en ce que l'une 5 des zones latérales, soit la zone de collecteur, soit la zone d'émetteur recouvre seulement par «ne partie de sa face inférieure la zone de base de dopage opposé, et qu'une autre partie de la face inférieure de cette zone latérale recouvre au moins une partie d'une face de séparation de même dopage, ou au moins une partie du 10 substrat de sème dopage. 2 - Transistor selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones de même dopage sont, dopées en p et la zone de base de dopage opposé est dopée en n„ 3 - Transistor selon la revendication 1 ou la revendication 15 2, caractérisé en ce que la zone de collecteur (C) est la zone latérale recouvrant au moins■partiellement sur sa face inférieure la paroi de séparation (Tr) ou-le substrat ÇSJ 4 - Transistor selon la revendication 1 ou la revendication 2, ou la revendication 3» caractérisé en ce qu'il est prévu une 20 'zone isolante (Is) entre un corps seiai-conducteur (S') et une zone correspondant au substrat (5).<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: Revendications•:\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de dispositifs semiconducteurs à partir d'un même corps semiconducteur en forme de plaque suivant lequel on forme d'un côté d'un substrat en forme de plaque une zone en matériau semiconducteur s'étendant le long de la surface, zone qui au moins à la limite avec le substrat sous-jacent diffère quant à sa composition et/ou ses propriétés de conduction du matériau de substrat adjacent, après quoi le substrat est enlevé par une opération de décapage électrolytique sélectif, à l'exception de la zone envisagée et cette zone est ensuite divisée en plaquettes de matériau semiconducteur séparées les unes des autres, ce procédé étant caractérisé en ce que avant de procéder au décapage électrolytique on pratique dans la zone des rainures, dont l'épaisseur est inférieure à l'épaisseur de la zone de sorte qu'après l'opération de décapage électrolytique le matériau semiconducteur de la zone reste cohérent et la répartition en plaquettes distinctes est obtenu par une opération de décapage chimique à partir du côté du substrat.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 suivant lequel on forme localement dans la zone des régions à.conduction de type différent, qui restent à une certaine distance de la limite entre la zone et le substrat, caractérisé en ce que l'opération de décapage chimique est poursuivie jusqu'à ce que le matériau situé entre une région et la limite envisagée, soit enlevé. 3- . Dispositif semiconducteur obtenu par l'application du procédé selon la revendication 1 ou 2.<\|EOS\|><\|BOS\|>Claims<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 70 22770 7 2046967 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tProcédé pour détacher une pièce d'un cristal en forme de plaquette, caractérisé par le fait que le cristal en forme de plaquette est appliqué par une de ses surfaces 5 principales sur une grille qui présente, une rainure sur la surface d'application pour le cristal en forme de plaquette, que la pièce est détachée du cristal en forme dé plaquette par projection d'un jet de' sable sortant d'une tuyère sur l'autre surface principale de la plaquette et par un déplacement relatif 10 continu de la grille et de la tuyère le long de ladite rainure, le sable étant évacué par aspiration hors de cette dernière.\n<CLM>\1\tDispositif pour la-mise en oeuvre du procédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la grille est munie sur la surface d'application du cristal en forme de 15 plaquette de deux séries croisées de fentes parallèles et constituée par un paquet de peignes de mêmes surfaces munie de pièces d'écartement entre les peignes de chaque paire, ce paquet de peignes étant solidement serré dans un cadre.\n<CLM>\1\tDispositif pour la mise en oeuvre du procédé 20 suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la grille est constituée par un bloc métallique qui présente sur sa surface d'application pour les plaquettes de cristal deux séries croisées de rainures parallèles et que dans sa partie inférieure sont prévus des perçages d'aspiration débouchant 25 dans lesdites rainures.\n<CLM>\1\tDispositif suivant l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé par le fait que la grille est disposée sur un socle qui peut osciller dans un plan parallèle à la surface d'appui des cristaux en forme de*plaquette. 30\n<CLM>\1\tDispositif suivant l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé par le fait que la grille est montée sur un socle au-dessus d'une ouverture ménagée dans celui-ci et raccordée à un dispositif d'aspiration.<\|EOS\|><\|BOS\|>70 22770 7 2046967 - CLAIMS -\n<CLM>\1\tProcedure for detaching a piece from a crystal in the form of a sheet, characterized by the fact that the crystal in the form of a sheet is applied on one of its main surfaces to a grid that presents a groove on the application surface of the sheet crystal, the piece being detached from the sheet crystal by projection of a jet of sand exiting a nozzle onto the other main surface of the sheet and by a continuous relative movement of the grid and the nozzle along the said groove, the sand being evacuated from the latter.\n<CLM>\1\tDevice for the implementation of the procedure according to claim 1, characterized by the fact that the grid is provided on the application surface of the sheet crystal with two crossed series of parallel grooves and is composed of a bundle of tweezers of the same surfaces provided with spacer pieces between the tweezers of each pair, the bundle of tweezers being firmly secured in a frame.\n<CLM>\1\tDevice for the implementation of the procedure 20 according to claim 1, characterized by the fact that the grid is composed of a metallic block which has on its application surface for crystal sheets two crossed series of parallel grooves and that in its lower part are provided through holes leading into the said grooves.\n<CLM>\1\tDevice according to one of claims 2 or 3, characterized by the fact that the grid is placed on a base which can oscillate in a plane parallel to the support surface of the crystal sheets. 30\n<CLM>\1\tDevice according to one of claims 2 or 3, characterized by the fact that the grid is mounted on a base above an opening provided in that base and connected to an aspiration device.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS ;\n<CLM>\1\tSupport pour un cristal semiconducteur qui est recouvert d'une couclie d'or sur laquelle est fixé le cristal semiconducteur à l'aide d'un matériau de soudure ce support de cris- 5 tal étant caractérisé en ce qu'au moins la surface du support de cristal est en un métal qui cristallise en l'empilement le plus dense hexagonal.\n<CLM>\1\tSupport de cristal selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un tel support qui est constitué par l'uncfes 10 métaux usuels fer, tin alliage de fer, cuivre, nickel ou un. alliage à base- de cuivre ou de nickel, est recouvert d'une couche d'un métal, qui cristallise en l'empilement le plus dense hexagonal .\n<CLM>\1\tSupport de cristal selon les revendications 1 ou 2, 15 caractérisé en ce que le support même ou la couche intermédiaire est constitué par du cobalt.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS ;\n<CLM>\1\tSupport for a semiconductor crystal covered with an gold layer on which the semiconductor crystal is fixed using a solder material, the support of the semiconductor crystal being characterized in that at least the surface of the support of the semiconductor crystal is made of a metal which crystallizes in the most densely packed hexagonal packing.\n<CLM>\1\tSemiconductor support according to claim 1, characterized in that such a support which is composed of the usual metals iron, iron-tin alloy, copper, nickel or a copper or nickel alloy, is covered with a layer of a metal which crystallizes in the most densely packed hexagonal packing.\n<CLM>\1\tSemiconductor support according to claims 1 or 2, 15 characterized in that the support itself or the intermediate layer is composed of cobalt.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Structure semi-conductrice comprenant un substrat sur lequel sont formées une série de régions isolées de matériau semi-conducteur monocristallin, chacune de ces régions 5 étant propre à contenir au moins un dispositif semi-conducteur ladite structure étant caractérisée en ce que le substrat contient, sur une surface choisie, une grille d'un oxyde de ce matériau semi-conducteur, cette grille contenant elle-même une impureté choisie, et en ce que les régions de matériau 10 semi-conducteur monocristallin sont formées sur les parties de ladite surface choisie qui ne sont pas couvertes par ladite grille et sont séparées, d'une part, par du matériau semiconducteur polycristallin formé sur l'oxyde et, d'autre part, par ledit oxyde lui-même. 15 2.- Procédé de formation d'une structure semi-conductri ce suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il consiste à former une grille d'un oxyde de ce matériau semiconducteur sur une surface choisie d'un substrat formé du même matériau semi-conducteur, ledit oxyde contenant une con-20 centration choisie d'une première impureté, d'un premier type de conductibilité, dans le matériau semi-conducteur et à déposer du matériau semi-conducteur jusqu'à concurrence d'une épaisseur choisie sur les surfaces du substrat et de la grille, un matériau semi-conducteur monocristallin étant formé 25 directement sur la surface de ce substrat, tandis qu'un matériau semi-conducteur polycristallin est formé sur la surface de cet oxyde.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- A semi-conducting structure comprising a substrate on which a series of isolated regions of monocrystalline semiconductor material are formed, each of these regions containing at least one semiconductor device. The said structure is characterized in that the substrate contains, on a selected surface, a grid of this semiconductor material's oxide, the grid itself containing a selected impurity, and in that the regions of monocrystalline semiconductor material are formed on the parts of said selected surface that are not covered by said grid and are separated, on one hand, by a polycrystalline semiconductor material formed on the oxide, and on the other hand, by said oxide itself. 15 2.- A method of forming a semi-conducting structure according to claim 1, characterized in that it consists of forming a grid of this semiconductor material's oxide on a selected surface of a substrate formed of the same semiconductor material, said oxide containing a selected concentration of a first impurity, of a first type of conductivity, in the semiconductor material and of depositing the semiconductor material until a selected thickness is achieved on the substrate and the grid, a monocrystalline semiconductor material being formed directly on the surface of the substrate, while a polycrystalline semiconductor material is formed on the surface of said oxide.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E i D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tProcédé pour améliorer la ténacité et la soudabilité de plaques en métal ferreux, faiblement allié à haute résistance mécanique, caractérisé en ce qu'on prépare un alliage ferreux contenant, en poids, moins de 0,20% de carbcne, 0,025 à ,065,ö de colombium et la quasi-totalité de la aifférence en fer, sous une forme convenant au laminage à chaud, en ce qu'on porte cet alliage à une température maximale d'environ 11/5 C et en ce qu'on ramène par laminage à chaud son épaisseur à celle d'une plaque à une température supérieure au point de transformation A3.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit métal ferreux comporte environ 0,90 à 1,50% en poids de manganèse.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'on opère au moins 30% dudit laminage à chaud dans l'intervalle de température allant du point critique A3 à une température de 850C supérieure.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'on opère au moins 305 dudit laminage à chaud dans l'intervalle de température allant environ de 815 à 9000 C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce qu'on opère une normalisation pour affiner encore le grain dudit métal ferreux.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit métal ferreux est un acier semi-calmé.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit métal ferreux est un acier calmé.\n<CLM>\1\tLes aciers obtenus par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVISIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/ Diode de schottky comprenant des moyens formant un substrat en un matériau semiconducteur de type N en arséniure de gallium, des moyens formant une couche métallique adjacente audit 5 substrat semiconducteur afin de définir une barrière de Schottky à la jonction dudit matériau de type N et de ladite couche métallique et une paire de bornes pour appliquer une tension sur ladite barrière de jonction, cette diode étant caractérisée en ce que ladite couche métallique est constituée drun alliage d'argent, 10 de zinc et d'indium. 2/ Diode suivant la revendication 1, caractérisée en ce que l'alliage comprend moins de 10 % en poids de zinc et d'indium. 3/ Diode suivant la revendication 1, caractérisée en ce que la couche métallique comprend en poids environ 95 % d'argent, 15 3 % de zinc et 2 % d'indium. 4/ Procédé de fabrication d'une diode de Schottky, caractérisé en ce que l'on dépose une couche métallique formée de plusieurs matériaux sur la surface d'un substrat en un matériau semiconducteur de type N, on chauffe le substrat et la couche 20 métallique pour former une jonction à barrière entre la couche et le substrat. 5/ Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que le matériau de la couche déposée comprend de l'argent, du zinc et de l'indium et en ce que le stade de chauffage consiste 25 à chauffer à environ 650°C sous une atmosphère 5d'hydrogène sec. 6/ Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le substrat est en arséniure de gallium; 7/ Procédé suivant la révendication 4, caractérisé en ce que le matériau de type N est de l'arséniure de gallium, la 30 couche métallique est constituée d'argent, de zinp et d'indium avec moins de 10 % en poids de zinc et d'indium. original<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1/ A Schottky diode comprising means forming a substrate of a semiconductor material of type N in gallium arsenide, means forming a metal layer adjacent to the semiconductor substrate to define a Schottky barrier at the junction of said N-type material and said metal layer, and a pair of terminals for applying a voltage to said Schottky barrier junction, said diode being characterized in that said metal layer is composed of an alloy of silver, 10% zinc and indium. 2/ Schottky diode according to claim 1, characterized in that the alloy comprises less than 10% by weight of zinc and indium. 3/ Schottky diode according to claim 1, characterized in that the metal layer comprises about 95% by weight of silver, 15.3% zinc and 2% indium. 4/ Method of manufacturing a Schottky diode, characterized in that a metal layer formed of several materials is deposited on the surface of a substrate of a semiconductor material of type N, the substrate and the metal layer are heated to form a junction barrier between the layer and the substrate. 5/ Method according to claim 4, characterized in that the material of the deposited layer comprises silver, zinc and indium, and the heating stage consists of heating to about 650°C under a dry hydrogen atmosphere. 6/ Method according to claim 5, characterized in that the substrate is of gallium arsenide. 7/ Method according to claim 4, characterized in that the N-type material is gallium arsenide, the metal layer is composed of silver, zinc and indium with less than 10% by weight of zinc and indium. original<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Dispositif semi-conducteur comportant une pastille semi-conductrice d'un premier type de conductivité ayant une surface principale, une première région d'un second type de conductivité 5 dans ladite pastille s'étendant jusqu'à cette surface, une seconde région du premier type de conductivité dans ladite première région et s'étendant jusqu'à ladite surface, une troisième région dans la pastille qui entoure ladite première région, et en est espacée, et qui s'étend jusqu'à ladite surface, ladite troisième région étant 10 du même type de-conductivité que ladite pastille mais avec une résistivité plus faible, et un revêtement protecteur réfractaire sur ladite surface qui recouvre lesdites régions, ce dispositif étant caractérisé en ce qu'il comprend des ilôts (38,\n<CLM>\1\tespacés l'un de l'autre dans ladite troisième région (28) et recouverts d'un 15 revêtement protecteur (42) relativement épais comparé au revêtement (44) qui recouvre la troisième région (28), des portions de contact de liaison de fils (48,\n<CLM>\1\tprévues sur lesdits ilôts et en liaison électrique avec lesdites première et seconde régions, et des fils de connexion (52,\n<CLM>\1\treliées par pression aux portions 20 de contact (48,\n<CLM>\1\tprévus sur le revêtement protecteur épais (42). 2 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pastille est en silicium du type P, la première région (24) étant du type N, la seconde région (26) étant du type P et ledit revêtement étant en silice.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 70 23634 2060081 R_E_Y_E_N_D_]I_C_A_T_I_0_E_S\n<CLM>\1\tDispositif à semiconducteur du type comprenant un substrat en un matériau diélectrique, un composant semiconducteur comprenant une couche de -matériau semiconducteur sur ledit substrat,' et un plot de connexion sur ledit substrat, caractérisé 5 en ce que ledit plot comprend une première couche dudit matériau semiconducteur .en-contact--.direct avec ledit substrat, et une deuxième couche de métal sur ladite.première couche, un fil connecté ou relié à la couche de métal dudit plot, et des moyens de connexion reliant électriquement ledit composant audit plot. 10\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé en, ce que lesdits .moyens de connexion comprennent uh ruban de métal solidaire avec ladite couche de métal formant le plot de connexion.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat est en saphir, spinelle, oxyde de béryllium, ou 1 5 oxyde de zirconium\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 2, caractérisé en ce que ledit substrat est en saphir, ledit métal est en aluminium, et ledit matériau semiconducteur est en silicium.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce 20 que ledit matériau semiconducteur est en silicium, et ledit plot comprend Une troisième couche d'oxyde de silicium entre lesdite première et seconde couches.<\|EOS\|><\|BOS\|>70 23634 2060081 R_E_Y_E_N_D_]I_C_A_T_I_0_E_S<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tRedresseur à haute tension au sélénium, en particulier pour redresser la tension accélératrice du faisceau d'électrons dans un tube image, comportant plusieurs unités redresseuses connectées en série, caractérisé en ce qu'on utilise des unités redresseuses ayant des courbes caractéristiques inverses décroissantes.\n<CLM>\1\tRedresseur à haute tension au sélénium selon la revendication 1,caractérisé en ce qu'il utilise des unités redresseuses dont la couche de sélénium contient des éléments du second groupe de la table périodique.\n<CLM>\1\tRedresseur à haute tension selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites unités redresseuses contiennent dans la couche de sélénium de 0,01 à 0,1 fo en poids de zinc par rapport au sélénium.\n<CLM>\1\tRedresseur à haute tension selon la revendication.2, caractérisé en ce que le zinc est contenu dans la couche limite entre le sélénium et le séléniure de cadmium des unités redresseuses.\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'unités redresseuses pour les redresseurs à haute tension tels que définisaux revendications 1 et 2 et 3 et 4, caractérisé en ce que le sélénium est déposé par évaporation sur la plaque de base, alors que celle-ci est à des températures auxquelles la couche de sélénium est totalement amorphe, et en ce que la conversion du sélénium pour l'amener à la condition conductrice est menée à des températures de 180<>C durant 30 à 60 minutes.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 70 32896 8 2061685 BEVENDICATIONS:\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte au moins un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée alors qu'au moins une surface dudit corps est recouverte au moins par- 5 tiellement d'une couche isolante, une région de substrat, d'un premier type de conduction, affleurant ladite surface de corps, ainsi que des zones électrodes, du type de conduction opposé, affleurant également ladite surface, appartenant aux électrodes d'alimentation et d'évacuation et séparées l'une de l'autre par ladite région de substrat, alors que sur 10 la couche isolante, entre la zone d'électrode d'alimentation et la zone d'électrode d'évacuation, on a élaboré au moins une électrode-porte, et que du côté du corps situé vis-à-vis de ladite surface, on a élaboré sur la région de substrat une couche servant de contact, munie d'un conducteur de connexion et raccordée galvaniquement à une des zones électrodes par 15 l'intermédiaire d'un conducteur métallique s'étendant à l'extérieur du corps semiconducteur, caractérisé en ce que sur ladite surface du corps semiconducteur, on a élaboré une couche métallique qui contacte ladite zone d'électrode et la région de substrat,\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur selon la revendication 1, 20 caractérisé en ce que la couche servant de contact est formée par une base métallique sur laquelle est placé, en bon contact électrique avec ladite base, le corps semiconducteur.\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit conducteur métallique se raccorde à 25 ladite couche métallique contactant à la fois la zone d'électrode et la région de substrat.<\|EOS\|><\|BOS\|>70 32896 8 2061685 BEVENDICATIONS:<CLM>1 Dispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte au moins un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée alors qu'au moins une surface dudit corps est recouverte au moins par-5 tiellement d'une couche isolante, une région de substrat, d'un premier type de conduction, affleurant ladite surface de corps, ainsi que des zones électrodes, du type de conduction opposé, affleurant également ladite surface, appartenant aux électrodes d'alimentation et d'évacuation et séparées l'une de l'autre par ladite région de substrat, alors que sur 10 la couche isolante, entre la zone d'électrode d'alimentation et la zone d'électrode d'évacuation, on a élaboré au moins une électrode-porte, et que du côté du corps situé vis-à-vis de ladite surface, on a élaboré sur la région de substrat une couche servant de contact, munie d'un conducteur de connexion et raccordée galvaniquement à une des zones électrodes par 15 l'intermédiaire d'un conducteur métallique s'étendant à l'extérieur du corps semiconducteur, caractérisé en ce que sur ladite surface du corps semiconducteur, on a élaboré une couche métallique qui contacte ladite zone d'électrode et la région de substrat,<CLM>1 Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, 20 caractérisé en ce que la couche servant de contact est formée par une base métallique sur laquelle est placé, en bon contact électrique avec ladite base, le corps semiconducteur.<CLM>1 Dispositif semiconducteur selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit conducteur métallique se raccorde à 25 ladite couche métallique contactant à la fois la zone d'électrode et la région de substrat.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tCircuit intégré du type- comprenant au voisinage de la surface d'une pièce de matériau semiconducteur un domaine désolation présentant une conductivité d'un premier type et plusieurs 5 zones séparées présentant la conductivité de l'autre type , chacune desdites zones étant isolée par une jonction P-ÎT et l'une au moins d'entr- * elles comportant une région superficielle à conductivité du premier type , reliée par une connexion électrique à une plage de contact toutes deux disposées au dessus 10 d'une couche isolante formée à la surface du matériau semiconducteur caractérisé en ce que ladite plage de contact et ladite connexion sont entièrement disposées à l'intérieur des limites de la zone concernée, de sorte, que lorsqu'un chenal d'inversion à conductivité du premier type est induit à la surface de ladite zone en 15 dessous de ladite connexion et de/Ladite plage, ledit chenal ne soit pas relié au domaine d'isolation et par suite n'établisse aucun court-circuit entre ce dernier et ladite région superficielle.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 1 , caractérisé en ce que la zone précitée comprend une première fraction renfermant 20 la région superficielle précitée , une seconde fraction située au dessous de la plage de contact précitée et d'étendue supérieure à cette dernière , et une fraction de liaison située au dessous de la connexion précitée et également de dimension supérie ure à cette dernière.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 70 36892 2064339 H E 7 S I D I C A I I O H S 1.- Agent à tn.se de fluorure d'ammonium et d'acide fluorhydrique pour la réalisation de configurations dans des couches minces d'oxyde de silicium par décapage 5 sélectif, caractérisé en ce qu'il contient au moins l'un des composés choisis dans le groupe formé par le trioxyde d'arsenic et le fluorure de thallium. 2.- Agent de décapage selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est constitué par une solution de 10 décapage tampon contenant 40 g de fluorure d'ammoniusi, 10 ml d'acide fluorhydrique à 40 %, 60 ml d'eau et de 5 à 40 mg de trioxyde d'arsenic. 3.- Agent de décapage selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est constitué par une solution de 15 décapage tampon contenant 40 g de fluorure d'ammonium, 10 ml d'acide fluorhydrique à 40 %, 60 ml d'eau et de 400 à 1000 mg de fluorure de thallium. 4.- Agent de décapage selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est constitué par une solution de 20 décapage tampon contenant 40 g de fluorure d'ammonium, 10 ml d'acide fluorhydrique à 40 %, 60 ml d'eau, de 5 à 40 mg de trioxyde d'arsenic et de 400 à 1000 mg de fluorure de thallium. 5- Procédé pour la préparation d'un agent de décapage selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé 25 en ce qu'on mélange lesdites substances. 6.- Procédé pour le décapage sélectif de couches en dioxyde de silicium, caractérisé en ce qu'on utilise un agent de décapage spécifié sous l'une des revendications 1 à 4.<\|EOS\|><\|BOS\|>70 36892 2064339 H E 7 S I D I C A I I O H S 1.- Agent à tn.se de fluorure d'ammonium et d'acide fluorhydrique pour la réalisation de configurations dans des couches minces d'oxyde de silicium par décapage 5 sélectif, caractérisé en ce qu'il contient au moins l'un des composés choisis dans le groupe formé par le trioxyde d'arsenic et le fluorure de thallium. 2.- Agent de décapage selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est constitué par une solution de 10 décapage tampon contenant 40 g de fluorure d'ammoniusi, 10 ml d'acide fluorhydrique à 40 %, 60 ml d'eau et de 5 à 40 mg de trioxyde d'arsenic. 3.- Agent de décapage selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est constitué par une solution de 15 décapage tampon contenant 40 g de fluorure d'ammonium, 10 ml d'acide fluorhydrique à 40 %, 60 ml d'eau et de 400 à 1000 mg de fluorure de thallium. 4.- Agent de décapage selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est constitué par une solution de 20 décapage tampon contenant 40 g de fluorure d'ammonium, 10 ml d'acide fluorhydrique à 40 %, 60 ml d'eau, de 5 à 40 mg de trioxyde d'arsenic et de 400 à 1000 mg de fluorure de thallium. 5- Procédé pour la préparation d'un agent de décapage selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé 25 en ce qu'on mélange lesdites substances. 6.- Procédé pour le décapage sélectif de couches en dioxyde de silicium, caractérisé en ce qu'on utilise un agent de décapage spécifié sous l'une des revendications 1 à 4.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer des circuits électroniques à semi-conducteurs comportant des voies conductrices, consistant à déposer sur un corps semi-conducteur d'abord une couche adhérente 5 métallique, puis une couche servant de préférence de couche d'arrêt et enfin une couche d'or constituant lesdites voies conductrices, caractérisé par le fait qu'avant le dépôt de la couche d'or, on dépose une couche protectrice, qui est ensuite enlevée par décapage chimique et a l'aide d'une couche de masquage dans 10 les zones destinées aux voies conductrices, et qu'après le dépôt ultérieur de la couche d'or, on enlève la couche de masquage et la couche protectrice en dehors des voies conductrices.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on utilise du molybdène pour constituer la couche pro- 15 tectrice, notamment dans le cas où une couche de titane sert de couche adhérente et une couche de platine sert de couche d'arrêt.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on utilise de l'aluminium ou du titane comme couche protectrice. 20\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on utilise du bioxyde de silicium comme couche protectrice.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDétecteur pour le comptage de parti cules nucléaires et de rayons X, comportant un corps de base sensible aux rayonnements, caractérisé par le fait que le corps de base est formé au moins partiellement d'oxyde de plomb (PbO)o 2o Détecteur suivant la revendication 19 caractérisé par le fait que le corps de base est monocristallinO 30 Détecteur suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que le corps semiconducteur est constitué au moins partiellement par la modification orthorhombique de l'oxyde de plomb.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un contact ayant une bonne adhérence sur un corps semi-conducteur par formation d'un eutectique à partir d'un métal et du matériau semi-conducteur, une ^ couche de nickel étant déposée sans courant sur 1'eutectique, caractérisé par le fait que l'on utilise comme métal de l'or, que cet or est déposé sans courant sur le corps semi-conducteur, et qu'ensuite le corps semi-conducteur est porté à une température à laquelle une couche eutectique se forme au moins à la 10 surface et à laquelle l'oxygène contenu dans le corps semiconducteur est encore réparti de manière diffuse.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, applicable à un corps semi-conducteur en silicium, caractérisé par le fait que le corps semi-conducteur est porté et maintenu au minimum 15 pendant 3 minutes à une température supérieure à 378° C.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, applicable à un corps semi-conducteur en germanium, caractérisé par le fait que le corps semi-conducteur est porté et maintenu au minimum pendant 3 minutes à une température supérieure à 356° C. 20\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que l'épaisseur de la couche d'or est d'environ 0,7>J.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le nickel est déposé sur l'alliage eutectique or-silicium jusqu'à ce qu'on obtienne une épaisseur de couche de 25 o,8 p .\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 5, caractérisé par le fait que l'on dépose une couche d'or sur la couche de nickel.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Circuit intégré de commutation à vitesse élevée, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs transistors de commutation avec une région de collecteur commun mais avec des régions de 5 base et d'émetteur séparées, ce circuit intégré comprenant des moyens pour inhiber ou réduire l'action de transistor parasite entre les régions de base des transistors voisins. 2 - Circuit intégré selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens pour inhiber ou réduire l'action de transis- 10 tor parasite comprennent une région de même type de conductibilité que les régions de base, interposées entre celles-ci'. 3 - Circuit intégré selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que les transistors de commutation sont des transistors n-p-n et en ce que ladite région est une ré- 15 gion du type p, des moyens étant prévus pour appliquer un potentiel négatif à cette région. 4 - Circuit intégré selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens pour inhiber ou réduire l'action de transistor parasite entre les régions de base des transistors voisins com- 20 prennent une région dopée pour réduire le taux de transit du transistor parasite interposé entre les régions de base. 5 - Circuit intégré selon la revendication 4, caractérisé en ce que les transistors de commutation sont des transistors n-p-n et en ce que le dopant est de l'or. 25 6 - Circuit intégré selon la revendication 4, caractérisé en ce que les transistors de commutation sont des transistors n-p-n et en ce que le dopant est une impureté n+. 7 - Circuit intégré selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens pour inhiber ou réduire l'action de transistor 30 parasite entre les régions de base des transistors voisins comprennent \me plaque de champ sur la surface semi-conductrice entre les régions de base de transistor et des moyens pour appliquer un potentiel à cette plaque.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, caractérisé en ce qu'il consiste à revêtir un élement de support (10) ayant la forme d'une pellicule avec une couche de matériau conducteur (22) pour former un stratifié flexible, à former dans ledit stratifié un réseau de conducteurs comportant plusieurs conducteurs séparés (12) ayant chacun un plot de contact (14), à lier une pastille semiconductrice (16) à conducteurs incorporés, comportant plusieurs contacts (18) en forme de saillie sur ledit stratifié en faisant correspondre chacun desdits contacts (18) avec un plot de contact correspondant (14), à essayer ladite pastille semiconductrice lorsqu'elle est liée audit stratifié et à lier ledit stratifié au conducteur (20) d'un circuit intégré à pellicule épaisse\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit réseau de conducteurs est formé par décapage\n<CLM>\1\tProcédé suivant l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit stratifié est lié à un substrat (19) d'un circuit intégré comportant plusieurs conducteurs (20) et en ce qu'il consiste à faire correspondre chacun desdits conducteurs (12) séparés avec l'un desdits conducteurs (20) correspondant\n<CLM>\1\tProcédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que chacun des plots de contact est revetu de soudure, la soudure de chacun desdits plots de contact étant fondue pour lier chacun desdits contacts en forme de saillie avec un plot de contact différent<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 10 1 Dispositif formant transistor du type comprenant des régions respectivement d ' émetteur, de "base et de collecteur de. types alternés .de .conductivité et ayant une jonction PN entre les régions respectivement d'émetteur et de base ainsi qu'une autre jonction PN entre les régions respectivement de base et de collec^-teur,caractérisé en ce que ladite région d'émetteur comprend une portion centrale formant âme d'émetteur et des doigts d'émetteur s'étendant vers l'extérieur à partir de ladite portion formant avec une couche de contact métallique d'âme - fermant une partie de ladite portion formant âme d'émetteur; ladite région de base comprenant des doigts de base intergidités ou imbriqués avec des doigts d'émetteur; une couche de contact métallique étant prévue sur chaque doigt d'émetteur; chaque couche de contact comportant une portion proximale adjacente à ladite couche de contact d'âme d'émetteur mais séparée de celle-ci, de façon à introduire une résistance ballast.', d'équilibrage ou de charge entre celles-ci; ladite portion proximale de chaque bouche de contact de doigt d'émetteur étant sensiblement large que le reste de ladite couche, de sorte que ladite portion proximale est entremêla avec le doigt de base et la couche de contact métallique d'âme correspondante- pour maintenir une distance uniforme entre ledit doigt de base et .ladite couche de contact de doigt d'émetteur. 2.- Dispositif selon la revendication 1 , caractérisé en ce que la portion proximale précitée de la couche de doigt:- d'émetteur 25 J précitée est sensiblement de forme triangulaire . 3.- Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qie la distance uniforme entre le doigt de base précité et la couche de doigt d'émetteur précitée est supérieure à l'intervalle d'espacement, formant résistance ballast précitée, entre la portion proximale précitée de ladite couche de doigte et la couche métallique de la portion précitée formant âme. 20 30<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 10 1 Device forming a transistor of the type comprising respectively emitter, base and collector regions of alternating conductivity types and having a PN junction between the emitter and base regions and another PN junction between the base and collector regions, characterized in that the said emitter region comprises a central portion forming an emitter and fingers extending outward from said central portion forming a contact metal layer closing part of said central portion forming an emitter; the said base region comprising fingers of base interwoven or embedded with emitter fingers; a contact metal layer being provided on each emitter finger; each contact layer comprising a proximal portion adjacent to said emitter contact layer but separated from said same, in order to introduce a ballast resistance, balancing or charging between these; the said proximal portion of each emitter contact finger being substantially wider than the rest of said contact layer, so that said proximal portion is interwoven with the base finger and the corresponding metal contact layer; to maintain a uniform distance between said base finger and said emitter contact finger. 2.- Device according to claim 1, characterized in that the said proximal portion of the emitter contact layer 25 J previously mentioned is substantially triangular in shape. 3.- Device according to claim 1 or 2, characterized in that the uniform distance between the said base finger and the said emitter contact finger previously mentioned is greater than the spacing interval, forming a previously mentioned ballast resistance between the said proximal portion of the emitter contact layer and the metal contact layer forming the said emitter region. 20 30<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de réduction des pertes embryonnaires chez les animaux domestiques, caractérisé par le fait qu'il consiste à administrer à ces animaux pendant les premiers stades de la gestation une quantité thérapeutiquement efficace dlun composé doué de propriétés hypoglycémiques par voie orale.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que ce composé est administré aux animaux pendant une période d'au moins environ 5 jours à partir du jour qui suit l'accouplement.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le composé, qui peut se présenter sous la forme de ses sels sensiblement non toxiques, répond à la formule dans laquelle R' est choisi entre un atome d'hydrogène, un radical chloro, bromo, alkyle inférieur ou amino; R".représente un radical chloro ou bromo; et R4 est choisi parmi les groupes alkyle ayant jusqu'à huit atomes de carbone, des groupes alcényle ayant de deux à huit atomes de carbone et des groupes cycloalkyle ayant de trois à huit atomes de carbone.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 3, caractérisé par le fait que le composé est administré aux animaux à une dose d'environ 0,25 mg/kg par jour à environ 5,0 mg/kg par jour.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 4, caractérisé par le fait que le composé, qui peut être sous la. forme de ses sels sensiblement non toxiques, répond à la formule dans laquelle R" représente un radical chloro, et R4 est un groupe alkyle ayant jusqu'à huit atomes de carbone.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 5, caractérisé par le fait que le composé répond à la formule\n<CLM>\1\tProcédé pour réduire les pertes embryonnaires chez le porc, caractérisé par le fait qu'il consiste à administrer à des truies, aux premiers stades de la gestation, d'environ 200 à 300 mg de chlorpropamide par jour.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDiode à jonction métal-semiconducteur comportant une première couche isolante disposée sur un corps semiconducteur et pourvue d'une première fenêtre de contact, caractérisée en ce qu'une deuxième couche isolante, plus mince par rapport à la pre- 5 mière couche isolante, présente une deuxième fenêtre de contact plus petite par rapport à la première fenêtre de contact, de sorte que la seconde couche isolante recouvre le bord de la surface du corps semiconducteur apparaissant à travers la fenêtre de contact et en ce que le métal de contact est disposé dans la 10 première et la deuxième fenêtre de contact.\n<CLM>\1\tDiode à jonction métal-semiconducteur suivant la revendication 1, caractérisée en ce que la première couche isolante est composée de bioxyde de silicium et la deuxième couche isolante de nitrure de silicium. 15\n<CLM>\1\tDiode à jonction métal-semiconducteur suivant la revendication 1, caractérisée en ce que la deuxième couche isolante se compose d'au moins deux films isolants.\n<CLM>\1\tDiode à jonction métal-semiconducteur suivant la revendication 3, caractérisée en ce que les films se composent de 20 bioxyde de silicium et de nitrure de silicium.\n<CLM>\1\tDiode à jonction métal-semiconducteur suivant l'une des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la première couche isolante présente une épaisseur de 0,4 à 0,8 u, et la O deuxième couche isolante une épaisseur de 100 à 500 A. 25\n<CLM>\1\tDiode à jonction métal-semiconducteur suivant la revendication 5, caractérisée en ce cpe la deuxième couche isolante présente une épaisseur de 200 A.\n<CLM>\1\tDiode à jonction métal-semiconducteur suivant l'une des revendications 1 à 6, caractérisée en ce que le diamètre de 30 la deuxième fenêtre de contact est inférieur de 10 à 30 p au diamètre de la première fenêtre de contact.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor NOS (métaL-oxyde semiconducteur), caractérisé en ce que l'on prend une plaquette de matériau semiconducteur recouverte d'une couche de silice sauf à l'emplacement de régions de contact prévues notamment en regard de régions de source et de drain, on recouvre la plaquette d'une couche d'un métal dont lto yde présente une bonne tenue aux radiations et/ou une constante diélectrique plus élevée que celle de la silice, puis on place des pastilles protectrices de l'oxydation sur ladite couche de métal en regard des régions de contact, et on soumet la plaquette à un traitement ayant pour effet d'oxyder en totalité ladite couche de métal sauf aux emplacements protégés par les pastilles protectrices, et on termine le transistor de façon connue, notamment en métallisant la surface comprise entre le drain et la source pour constituer une électrode de grille.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que xyde de la couche de metal à forte constante diélectrique est en tantale. 3.- Procédé suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les pastilles protectrices sont en aluminium.\n<CLM>\1\tProcédé suivant larevendication 2, caractérisé en ce que le traitement d'oxydation de ladite couche de métal comprend le passage de la plaquette dans un four à 5000 C sous atmosphère oxydante 5; Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que, avant de former ladite couche de métal, on diminue l'épaisseur de la couche de silice, éventuellement jusqu'à éliminer cette couche,\n<CLM>\1\tTransistor h-OS, caractérisé en ce qu'il comporte une grille qui, au moins. sur une partie de son épaisseur, est constituée par un oxyde métallique ayant une bonne tenue aux radiations et/ou une constante diélectrique plus élevée que celle de la silice, et en ce que les régions de contact du transistor sont au moins partiellement faites du métal dont est constitué ledit oxyde.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>

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