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<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Machine de chauffage pour récipients tels que des boîtes de conserve, caractérisée par un transporteur sur lequel on pose les récipients à chauffer et de part et d'autre duquel sont prévus des brûleurs à gaz dont les flammes sont dirigées vers lesdits récipients. 2.- Machine selon la revendication 1 caractérisée en ce que le transporteur présente un brin sensiblement horizontai, les brûleurs étant parallèles à ce brin et situés au-dessus de ce dernier.\n<CLM>\1\t- Machine selon la revendication 2, caractérisée en ce que le brin du transporteur glisse sur des rails munis d'un dispositif de refroidissement.\n<CLM>\1\t- Machine selon la revendication 3, caractérisée en ce que le transporteur est formé de plaquettes articulées au moyen de charnières assurant leur centrage entre les rails. 5.- Machine selon l'une quelconque des revendications 3 et ,.caractérisée en ce que le brin du transporteur est flanqué de guides munis de dispositifs de refroidissement. 6.- Machine selon la revendication 5, caractérisée en ce que les brûleurs et les guides sont portés par des supports communs permettant le réglage de leur position par rapport aux rails. 7.- Machine selon la revendication 6, caractérisée en ce que les brQleurs peuvent pivoter sur leur support autour d'axes parallèles au brin du transporteur. 8.- Machine selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, caractérisée'en ce que les brûleurs, les rails et le cas échéant les guides sont réalisés en tronçons sensiblement de même'longueur. 9.- Machine selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que les brûleurs comportent une ramp qui peut être dirigée vers la base des récipients à chauffer.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédez de trempe de tôle métallique consistant à : -sounettre une portion ple de la tôle une tension, - ef2ectu-r simultanément le refroidissement de la tôle; caractrise par le fait qu'-il consiste à réaliser le refroidissement en frisant circuler un fluide de refroidissement, au contact des deux aces de la tôle tendue, perpendiculairement p la direc- tror de l'effort de traction 2.- dispositif de trempe de tôle métallique, caractérisé par le fait qu'il comporte - des moyens de mise sous tension de la tôle, alignés et espacés l'un de l'autre, - des plateaux disposés de part et d'autre de la tôle, entre les moyens de mise sous tension de la tôle, - des moyens d'étanchéité entre les plateaux et les moyens de mise sous tension, - des moyens d'étanchéité de part et d'autre des rives de la tôle, - des moyens d'amené d'un fluide de refroidissement, situés d'un coté d'une rive de la tôle, - des moyens d'évacuation de ce fluide de refroidissement, situés du côté de la rive opposée, - un ensemble de commande des différents moyens. 3.- Dispositif de trempe de tôle métallique selon la revendication 2, caractérisé par le fait qu'il comporte - un chariot guidé rectilignement, porteur de deux paires de rouleaux, des plateaux, des moyens d'étanchéité et des moyens de circulation du fluide de refroidissement, - des moyens d'entrainenent des rouleaux, - des accouplements mobiles entre les moyens d'entrainement et les rouleaux du chariot, - deux paires de rouleaux pinceurs s une distance l'une de l'autre supérieure à la distance entre les rouleaux pinceurs portés par le chariot.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Process of sheet metal tempering consisting in: - subjecting a portion of the sheet to tension, - simultaneously effecting the cooling of the sheet; characterized by the fact that it consists in realizing the cooling by circulating a cooling fluid in contact with the two sides of the tensioned sheet, perpendicular to the direction of the tensile force. 2.- Sheet metal tempering device characterized by the fact that it comprises: - means for tensioning the sheet, aligned and spaced from one another, - plates disposed on either side of the sheet between the tensioning means, - means for sealing between the plates and the tensioning means, - means for sealing on both sides of the sheet's edges, - means for introducing a cooling fluid on one side of a sheet edge, - means for evacuating this cooling fluid on the opposite side of the sheet edge, - a set of control means. 3.- Sheet metal tempering device according to claim 2, characterized by the fact that it comprises: - a straight guide rail carrying two pairs of rollers, plates, sealing means and means for circulating the cooling fluid, - means for feeding the rollers, - movable couplings between the feeding means and the rollers of the guide rail, - two pairs of gripping rollers spaced apart from each other greater than the distance between the gripping rollers carried by the guide rail.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/Procédé de traitement de légumes crus rapés destinés à être consommés comme crudités, caractérisé en ce qu'il consiste, après avoir découpé lesdits légumes aux dimensions voulues, à les faire macérer dans un bain aqueux chaud contenant en poids au moins - 30 Z de vinaigre, - 2,5 Z de sel, - 2 Z de sucre, puis, après égouttage, éventuellement a conditionner lesdits légumes d'une manière en soi connue. 2/Procédé selon revendication 1, caractérisé en ce que la macération stef- fectue à une température comprise entre 50 et 900C et ce, pendant une durée comprise entre deux et huit minutes. 3/Procédé selon revendication 1, caractérisé en ce que le vinaigre est un vinaigre de vin ou d'alcool. 4/Procédé selon l'une des revendications 1 a 3, caractérisé en ce que le bain de macération continet également au plus 5 Z en poids de plantes aromatisées. 5/Légumes crûe rapés, semi-assaisonnés et aromatisés, caractérisés en ce qu'ils ont été préparés par le procedé défini selon l'une des revendications 1 a\n<CLM>\1\t6/légumes crus rapés, selon revendication 5, caractérisés en ce qu'ils sont choisis dans le-groupe constitué par la carotte, le celeris et la betterave rouge.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1/Processing method for raw vegetables intended to be consumed as raw vegetables, characterized in that after cutting the said vegetables to the desired dimensions, they are immersed in a hot aqueous bath containing at least -30 Z of vinegar, -2.5 Z of salt, -2 Z of sugar, and then, after draining, may be conditioned in a known manner. 2/Method according to requirement 1, characterized in that the immersion is carried out at a temperature between 50 and 900C and lasts for a duration between two and eight minutes. 3/Method according to requirement 1, characterized in that the vinegar is a vinegar of wine or of alcohol. 4/Method according to one of the requirements 1 to 3, characterized in that the immersion bath also contains at most 5 Z in weight of aromatic plants. 5/Prepared raw vegetables, semi-salted and aromatic, characterized in that they have been prepared by the method defined according to one of the requirements 1 to 3. 6/Prepared raw vegetables, according to requirement 5, characterized in that they are selected from the group consisting of the carrot, the lettuce and the red beets.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: Revendications\n<CLM>\1\tBloc interrupteur statique, notamment prévu pour la commande de phares d'automobiles caractérisé en ce que sur le même profilé métallique 1 à ailettes servant de radiateur, se trouvent montés dans l'espace central interailettes, d'une part, sur une des faces, un élément interrupteur statique 8 et, d'autre part, sur l'autre face, un montage de commande d'éléments passifs reliant les électrodes de l'interrupteur à des bornes de sortie et en ce que ledit montage de commande est noyé dans la masse d'une matière isolante 22 dure et colorée, maintenant les bornes de sortie et remplissant totalement l'espace central inter-ailettes.\n<CLM>\1\tBloc interrupteur selon la revendication 1 caractérisé en ce que les bornes de sortie sont des languettes standart 11, 13; 16 et 19 conformes à celles dont sont pourvus les dispositifs existant actuellement, disposées deux à deux à mi-épaisseur, perpendiculairement aux chants libres du volume de ma tière isolante et en ce qu'elles sont repérées à leur extrémité inférieure par une bande de couleur caractéristique, afin de procurer un montage particulierement aisé de l'ensemble ou son remplacement.<\|EOS\|><\|BOS\|>Claims<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 Procédé ae préparation de frits confits permettant d'utiliser des fruits mûrs ou .ores d'eau, inutilisa- bles dans les autres procédés, caractérisés en ce que l'on effectue le blanchiment des friits a la vapeur au lieu de le faire par immersion dans l'eau. 2 Fruits confits caractérisés en ce qui l'est obtenu par la mise en oeuvre du procédé selon la revendica tion I.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1 Procedure for preparing candied fruits allowing the use of ripe fruits or watermelon rinds, which are not usable in other procedures, characterized in that the blanching of the candied fruits is done by steam rather than by immersing them in water. 2 Candied fruits characterized in that they are obtained by the implementation of the procedure according to the requirement I.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: H.EVENDIChTIONS Procédé pour refroidir directement- une résine thermoplasti- que fondue dans un extrudeur continu, caractérisé en ce qu'on introduit directement et de façon continue un réfrigérant en quantiti fxe dans la résine en cours d'extrusion, en ce qu'on assure lz dispersion du réfrigérant dans la résine de manière qu'il se vaporise dans celle-ci et en ce qu'on assure le dégazage de la résine. Procédé suivant la revendicat on 1, caractérisé en ce que ledit réfrigérant est une matière dont le point d'ébullition est bas et dont la chaleur latente d'évapora-tion est suffisamment élevée\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que ledit réfrigérant est de l'eau.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit réfrigérant est une matière qui est inerte par rapport h ladite résine, une température suffisante étant maintenue entre la rétine et le réfrigérant afin que les propriétés physiques fondamentales de la résine ne soient pas affectées.\n<CLM>\1\tProcédé si,#ivant la revendication 4, caractérisé en ce que ledit réfrigérant est de l'azote liquide.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATION Procédé de traitement de feuilles d'avoine aquatique séchées partiellement, découpées en morceaux et lavées, permettant d'obtenir un produit qui, séché, réduit en poudre et mis en dissolution livre une boisson nutritive, caractérisé en ce qu'il consiste à traiter lesdits morceaux de feuilles d'avoine aquatique par la vapeur dans une chaudiere à environ 1000 C, à étaler les morceaux sur une natte de paille ou analogue pour leur permettre de refroidir naturellement à une température d'environ 5 à 100 C, puis à conserver ces morceaux de feuille ainsi traités dans un silo à 50 C pendant 15 jours aux fins de fermentation.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENT Procedure for the treatment of partially dried aquatic wheat leaves, cut into pieces and washed, allowing the production of a product which, when dried, is ground into powder and dissolved to yield a nutritious drink, characterized in that it consists of treating the said pieces of aquatic wheat leaves with steam in a boiler at about 1000°C, spreading the pieces on a hay mat or similar to allow them to cool naturally to a temperature of about 5 to 100°C, and then storing these treated leaf pieces in a silo at 50°C for 15 days for fermentation.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATION Boisson nutritive produite par un procédé consistant à faire fermenter les feuilles d'une avoine aquatique (Avena Aquatica) à mélanger les feuilles ainsi fermentées avec des déjections d'animaux ou avec du sang de poissons contenant de l'azote, du phosphore, du potassium, du calcium et de liteau, et à exposer ce mélange à la lumière et à l'air pour développer des micro-organismes thermorésistants ou des bactéries thermophiles, à ajouter de l'eau à ce mélange liquide, à faire bouillir ce mélange d'eau pour détruire les bactéries saprophytes, en conservant une souche de bactéries.thermophiles en activité, à appliquer la lumière solaire au liquide ayant bouilli afin de favoriser le développement des bactéries thermophiles et à arroser avec le liquide surnageant de cette culture le produit purifié de la première fermentation, arrêtant ainsi le développement des bactéries saprophytes dans ce produit purifié.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATION Un procédé de pulvérisation sous pression qui consiste à introduire des particules grossièrement broyées à une taille de 0,104 à 0,469 mm ou un mélange de ces particules avec d'autres matériaux, dans l'espace compris entre les deux broyeurs d'un appareil de pulvérisation sous pression constitué d'un broyeur stationnaire ayant un orifice d'introduction relié à une trémie située à la partie supérieure, d'un dispositif de broyage rotatif fixé horizontalement à la partie supérieure d'un arbre vertical traversant le cadre de l'appareil; d'un dispositif de pression pour faire monter cet arbre vertical sous pression et d'un dispositif de rotation pour faire tourner cet arbre vertical sous l'action d'un arbre cylindrique tubulaire engagé à l'intérieur de la partie inférieure cannelée decet arbre vertical; ce procédé consiste ensuite à appliquer le broyeur rotatif d'une manière puissante et constante contre le broyeur stationnaire et à faire tourner le dispositif de rotation de façon à transofrmer le matériau compris entre les deux cylindres en particules ultrafinement divisées par pulvérisation sous l'action de l'énergie de frottement libérée à partir de ce matériau.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tVerre de revêtement et notamment verre de revêtement et de scellement de semi-conducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend essentiellement, en poids, de 45-70 % ZnO, 15-35 % B203, 3,5-15 o SiO2 et 0,1-25 % de Ta205, la quantité totale de Zn0, B203, SiO2 et Ta205 constituant non moins que 85 % en poids de la composition totale.\n<CLM>\1\tVerre de revbtement suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend essentiellement, en poids, de 45-70 % ZnO, 15i75 % P203, 7,5-15 % SiO2 et 0,1-25 % Ta205, la quantité totale de ZnO, B20D, Si02 et Ta205 constituant non moins de 85 % en poids de la composition totale et à laquelle on ajoute moins de 1 Xó en poids de ZnO.\n<CLM>\1\tUn dispositif de semi-conducteurs revêtu d'un verre suivant l'une quelconque des revendications 1 et 2.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REYSiXDICATIO;S\n<CLM>\1\tProcédé de conservation de café torréfié, caractérisé par ce que l'on effectue un dégazage du café sous atmosphère inerte; on conditionne le café dégazé dans des sachets, puis on soumet les dits sachets avec leur contenu à un vide partiel afin d'éliminer au maximum Le gaz contenu dans les por sités du café, à la suite de quoi on injecte un gaz de conversation, enfin on ferme le sachet d'une manière étanche par thermosoudage, ce qui permet notamment d'augmenter considérablement la durée de conservation en évitant au maximum la perte des ar8mes et les phénomènes d'oxydation.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé parce que l'atmosphère inerte est constituée par de l'anhydride carbonique, de 11 azote, de l'argon pur ou en mélange.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé par ce que le vide partiel est compris entre 50 à 90 p.100.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication I caractérisé parce que le gaz de conservation est constitué par de-l'azote, de l'argon, du protoxyde d'azote pur ou en mélange. 5Q) Procédé selon la revendication 1 caractérisé par ee que on effectue l'in;jection du gaz de conservation dansWvles conditions ci-après a) à la pression normale b) en surpression.\n<CLM>\1\tDispositif pour la mise en oeuvre du prodédé adapté au dégazage du café, caractérisé par ce qu'il comporte une cuve métallique étanche aux gaz et résistant à la pression; la dite cuve à sa partie inférieure étant munie d'une tuyauterie d'arrivée de gaz et d'une porte étanche d'évacuation du café après dégazage.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 6 caractéri- sé par ce qu'une grille métallique est disposée i l'intérieur de la cuve de manière à permettre un libre accès da gaz provenant de la canalisation d'arrivée.<\|EOS\|><\|BOS\|>REYSiXDICATIO;S<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Procédé de stérilisation pour boissons telles sirops de fruits, jus de fruits, limonades et sodas, boissons aux fruits, gazeuses ou non, prêtes à consommer ou concentrés destinés à préparer ces boissons, CaraCtériSé en ce qu'il consiste à opérer une addition à froid de 1,5 0/oo à 3 /oo en volume d'Acide Lactique alimentaire, pur de fermentation, concentré à 80 % évitant tout développement de levures, moisissures et microbes dans le produit envisagé.\n<CLM>\1\t- Procédé de stérilisation selon la revendication 1, caractérisé en ce que la quantité optimale à ajouter au produit est Deux pour Mille en volume d'Acide Lactique alimentaire, pur de fermentation, concentré à 80 %.\n<CLM>\1\t- Â titre de produit industriel nouveau, toute boisson aux fruits, concentrée ou non, gazeuse ou non, obtenue par le procédé selon l'invention.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATION Tôle d'acier laminée à froid de grande résistance mécanique obtenue par laminage à chaud, laminage à froid et recuit de recristallisation et caractérisée par le fait que l'acier comprend 0,05 à 0,15% de C, 0,20 à 0,50% de Si, 0,30 à 1,309 de Mn, au maximum 0,030% de S, du niobium en proportion telle que lton ait 0,3#Nb/C#3,0, le reste étant formé de fer et d'impuretés inévitables.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICADIONS\n<CLM>\1\tAppareil servant à augmenter de façon limitée dans le temps la puissance de chauffage d'une installation de chauffage de revetement, en particulier de revêtement de route ou de pont, la puissance installée de raccordement de cette installation de chauffage au réseau d'alimentation électrique ayant une grandeur donnée, appareil caractérisé par une source d'énergie indépendante du réseau d'alimentation, commandée par un dispositif de mesure et qui, lorsque la puissance de chauffage déterminée par le dispositif de mesure dépasse la puissance installée, fournit à l'installation de chauffage de revente ment le supplément de puissance de chauffage.\n<CLM>\1\tAppareil selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le dispositif de mesure comporte des sondes qui mesurént les conditions météorologiques qui règnent momentanément au niveau du revêtement, par exemple du revêtement de route ou de pont, et transmettent les valeurs mesurées à un groupe de commande qui commande la mise en action de la source d'énergie indépendanteo\n<CLM>\1\tAppareil selon l'une des revendications I et 2, caractérisé par le fait que la source d'énergie est un groupe d'accum1lateure\n<CLM>\1\tAppareil selon l revendications 1 et 2, caractérisé par le fait que la source d'énergie est un générateur entraîné par un moteur à combustion.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour diminuer la teneur en 5-hydroxy-trypt amides d'acides carboxyliques de grains de café non torréfié, ce procédé étant caractérisé en ce quton traite les grains de café par un agent d'oxydation.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on élimine, par un travail mécanique des surfaces des grains de café, les produits de décomposition résultant du traitement par l'agent d'oxydation.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'on utilise de l'oxygène comme agent d'oxydation.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'on utilise de ltozone comme agent d'oxydation.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'use des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'on utilise du peroxyde d'hydrogène (ou eau oxy- génée) comme agent d'oxydation.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, caractérise en ce qu'on traite les grains de café par de l'air contenant de l'ozone > en faisant circuler ces grains dans un tambour et en éliminant les produits de décomposition que l'on retire sous forme de raclures.\n<CLM>\1\tProcédé selon l1une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'on fait agir de la valeur d'eau sur les grains de café pendant l'un au.moins des stades se situant avant, pendant ou après le traitement par l'agent d'oxydation.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que, après le traitement, on sèche les grains de café à l'air chaud ou sous vide et en éliminant les produits de décomposition que l'on retire sous forme de raclures dues au frottement. 9a Procédé selon l'une des revendications 7 et 8, carac- térisésen ce que l'on ajoute à la vapeur d'eau, à titre d'agent d'oxydation, au moins un agent choisi parmi l'oxygène et l'ozone.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 7 et 8, caractérisé en ce qu'on injecte dans la vapeur d'eau, à titre d'agent droxydation7 du peroxyde d'hydrogène<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tProcédé pour le broyage à froid de substances difficilement broyables a température ambiante, notamment pour la mouture de grains de café, procédé caractérisé en ce qu'on déplace le produit à broyer à travers le dispositif de broyage au moyen d'un courant de gaz de recyclage et on procède au refroidissement au moyen d'un autre courant de gaz pulsé, avant le dispositif de broyage, dans la direction opposée à celle du déplacement de la matière moulue.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise pour le bro-yage un moulin à percussion, à vitesse réglable.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications l ou 24 caractérisé en ce que le broyage s'effectue à des températures inférieures à 2500K, de préférence dans l'intervalle de 150-190 K.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications i à 3, caractérisé en ce que le broyage des grains de café est précédé par un broyage préliminaire.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1- Procédé de fabrication de jonctions à semi-conducteur, comportant l'introduction d'une impureté dopante dans un substrat monocristallin par diffusion thermique ou implantation ionique, carac térise par une irradiation localisée de l'éçhantillon par faisceau laser, avec des densités d'énergie comprises entre 40 et 2 80 Joules/cm, suivie d'un recuit à température comprise entre 500 et 650 C. 2- Procédé de fabrication de di-odes à avalanche conforme la revendiation 1, caractérisé par l'introduction d'une impureté dans le substrat par diffusion thermique, suivie de l'irradiation par faisceau laser et du recuit à température comprise entre 500 et 650oc. 3- Procédé selon la revendication 1, caractérisé par l'implantation ionique de l'impureté dans le substrat, suivie de l'irradiation et du recuit à température comprise entre 500 et #6500C. 4- Procédé de fabrication d'une résistance en circuit intégré conforme à la revendication 3, caractérisé par un recuit à une température de l'ordre de 500 C. 5- Procédé selon la revendication 1 ou 3i caractérisé par une irradiation au moyen d'un laser à rubis du type relaxé, pendant une durée de l'ordre de 2-millîsecondes, avec formation, sur la région du substrat à irradier, d'se image séduite d'un diaphragme de contour approprie, qui isole une portion initiale homogène du faisceau laser.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1- Manufacturing method of semiconductor joints, comprising the introduction of a dopant impurity into a monocrystalline substrate by thermal diffusion or ion implantation, characterized by a localized irradiation of the sample by a laser beam with energy densities between 40 and 280 J/cm, followed by a heat treatment at a temperature between 500 and 650°C. 2- Manufacturing method of avalanche diodes conforming to requirement 1, characterized by the introduction of an impurity into the substrate by thermal diffusion, followed by irradiation by a laser beam and a heat treatment at a temperature between 500 and 650°C. 3- Manufacturing method according to requirement 1, characterized by the ion implantation of the impurity into the substrate, followed by irradiation and a heat treatment at a temperature between 500 and 650°C. 4- Manufacturing method of an integrated circuit resistor conforming to requirement 3, characterized by a heat treatment at a temperature of the order of 500°C. 5- Manufacturing method according to requirement 1 or 3, characterized by irradiation using a ruby laser of the relaxed type, for a duration of the order of 2 milliseconds, with formation, on the region of the substrate to be irradiated, of an image of a suitable contour diaphragm, which isolates a homogeneous portion of the laser beam.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif à semi-conducteur, comprenant un corps semi-conducteur ayant au moins un contact, un film diélectrique passivant disposé sur la surface qui entoure ledit contact et au moins une mince bande conductrice recouvrant le film diélectrique et formant le dispositif conducteur dudit contact, ledit dispositif à semi-conducteur étant caractérisé errslrerr ce que la matière de la bande conductrice est le nitrure de titane, de zirconium, de hafnium, de vanadium, de niobium ou de tantale.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la bande conductrice de nitrure métallique a une partie isolée électriquement, placée à la surface du film diélectrique et formant l'électrode de grille dans un transistor à effet de champ à grille isolée.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le film diélectrique passivant est en silice, en nitrure de silicium, en alumine ou en un mélange de telles matières0 ~ ~\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit contact au moins est formé en siliciure de platine.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la mince bande conductrice est---enItrur de -titane-.\n<CLM>\1\tDispositif selon 1' une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que le corps semi-conducteur est en silicium monocristallin et le film diélectrique passivant placé sous ltélectrode~de grille est en silice et en alumine.\n<CLM>\1\tDispositif selon les revendications 2 et 6 prises ensemble, caractériser en ce que l'électrode de grille est en niture de tantale.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS l - Procédé de fabrication de plaques d'acier à caractéristiques mécaniques élevées, caractérisé en ce qu'on part d'une composition d'acier comprenant, en dehors d'impuretés ou d'éléments ayant un effet sur la trempabilité, moins de 0, 25 % de carbone, entre 0, 7 et 1, 5 % et de préférence entre 1 et 1,2 % de manganèse, et, immédiatement après une opération de laminage à chaud, on soumet les plaques obtenues à un refroidissement intense dont la vitesse est supérieure à 20 C/seconde environ. 2 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé-en ce que la température du métal est abaissée par le refroidissement rapide au cours d'une opération de laminage, afin due permettre d'atteindre sans retard les domaines de température. dans lesquels doit s'opérer la réduction en laminage contrôlé. 3 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la température du métal après l'opération de laminage et avant le refroidissement est comprise entre 750 et 8500C et de préférence entre 780 et 8500C. 4 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la température du métal à la fin de l'opération de refroidissement intense est inférieure à 350"C. 5 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la teneur en C des plaques est inférieure à 0, 15 %, la composition étant adaptée aux limites d'élasticité, ou caractéristiques de résilience recherchées. 6 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la vitesse de refroidissement est supérieure à 30"C/S.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS l - Process for manufacturing high-strength steel plates, characterized in that the steel composition comprises, apart from impurities or elements affecting the weldability, less than 0.25% carbon, between 0.7 and 1.5% and preferably between 1 and 1.2% manganese, and immediately after a hot rolling operation, the plates obtained are subjected to a rapid cooling process with a cooling rate of approximately 20°C per second. 2 - Process according to claim 1, characterized in that the temperature of the metal is reduced by the rapid cooling during the rolling operation, in order to allow the achievement of the temperature zones without delay where the controlled reduction is to be carried out. 3 - Process according to claim 1, characterized in that the temperature of the metal after the rolling operation and before the cooling is between 750 and 850°C and preferably between 780 and 850°C. 4 - Process according to claim 1, characterized in that the temperature of the metal at the end of the intense cooling process is below 350°C. 5 - Process according to claim 1, characterized in that the carbon content of the plates is below 0.15%, with the composition adapted to the limits of elasticity or the desired resilience characteristics. 6 - Process according to claim 1, characterized in that the cooling rate is higher than 30°C/s.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: RVENICÂTIONS\n<CLM>\1\tStructure planaire de transistor bipolaire comportant un substrat semiconducteur recouvert d'une couche épitaxiée de matériau semiconducteur comportant trois régions différentiées par la nature et la concentration des porteurs libres, soient, à partir dudit substrat, un collecteur contenant des porteurs d'un premier type, une base comportant des porteurs d'un deuxième type, un émetteur comportant des porteurs du premier type, caractérisée en ce que la concentration en porteur du collecteur est augmentée d'un facteur supérieur ou égal à dix tu voisinage de la jonction avec la base.\n<CLM>\1\tStructure planaire de transistor bipolaire selon la revendication 1 dans laquelle ltaugnentation de la concentration en por teurs est obtenue par implantation profonde d'ions conférant ledit premier type de conductibilité.\n<CLM>\1\tStructure planaire de transistor bipolaire selon la revendication 1 dans laquelle la concentration en porteur de la partie surdopée du collecteur est inférieure d'une puissance de 10 à la concentration en porteur de la base. 40 Structure planaire de transistor bipolaire selon la revendication 1 dans laquelle les différents porteurs sont successivement introduits dans la couche épitaxiée par implantation ionique0\n<CLM>\1\tStructure planaire de transistor bipolaire selon la revendication 1 dans laquelle les porteurs sont introduits successivement dans la couche épitaxiée par diffusion. 6o Structure planaire dSî transistor bipolaire- selon la revendication 2 dans laquelle : l'implsntation profonde d'ions à la jonction collecteur-base est effectuée sur le transistor comportant déjà les trois régions de collecteur, base et émetteur, après les traitements thermiques nécessaires à la fabrication0<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICAtIONS :\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur comportant un corps semi-conducteur muni de deux faces principales situées à l'opposé l'une de l'autre, de deux faces latérales perpendiculaires auxdites faces principales et d'au moins un composant formé dans le corps semi-conducteur et muni d'emplacements de connexion électriques, qui sont séparés les uns des autres, à la surface du corps semiconducteur, caractérisé en ce que les parties libres des faces principales et faces latérales sont munies d'une couche métallique.\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche métallique est constituée par une couche en nickel déposée sans courant.\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, pour lequel on part d'un disque semi-conducteur dans lequel est formé un multiple de composants semi-conducteurs, ce disque semi-conducteur étant ensuite divisé en corps semi-conducteurs contenant les composants, caractérisé en ce que les corps semi-conducteurs sont soumis à un processus de métaTHsation sans courant.\n<CLM>\1\t-Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le disque semi-conducteur est divisé en corps semi-conducteurs dans le bain de métallisation sans courant.\n<CLM>\1\tProcédé pour la réalisation d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, selon lequel on part d'un disque semi-conducteur dans lequel est formé un multiple de composants semi-conducteurs, ce disque semi-conducteur étant muni de rainures, après quoi ces rainures sont divisées en corps semi-conducteurs contenant les composants caractérisé en ce que la surfa- ce du disque semi-conducteur et des rainures est munie d'une couche métallique.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS: \n<CLM>\1\tSemiconductor device comprising a semiconductor body provided with two main faces located opposite each other, two lateral faces perpendicular to the said main faces, and at least one component formed in the semiconductor body and provided with electrical connection sites, which are separated from each other on the surface of the semiconductor body, characterized in that the free parts of the main faces and lateral faces are provided with a metallic layer.\n<CLM>\1\tSemiconductor device according to claim 1, characterized in that the metallic layer is composed of a nickel layer deposited without current.\n<CLM>\1\tMethod for manufacturing a semiconductor device according to claim 1 or 2, starting from a semiconductor disc in which a multiple of semiconductor components is formed, the semiconductor disc being then divided into semiconductor bodies containing the components, characterized in that the semiconductor bodies are subjected to a current-free metalization process.\n<CLM>\1\t-Method according to claim 3, characterized in that the semiconductor disc is divided into semiconductor bodies in the current-free metalization bath.\n<CLM>\1\tMethod for the realization of a semiconductor device according to claim 1 or 2, in which a semiconductor disc is formed with a multiple of semiconductor components, the semiconductor disc being provided with grooves, after which these grooves are divided into semiconductor bodies containing the components, characterized in that the surface of the semiconductor disc and the grooves are provided with a metallic layer.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E-V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tProcédé d'incorporation dans un milieu de chlorure de sodium ou autre chlorure alcali; et d'un agent de conservation en phase huileuse, caractérisé en ce que lton introduit dals le dit milieu une suspension sensiblement homogène du chlorure de sodium ou autre chlorure alcalin dans le produit en phase huileuse.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication i caractérise en ce que les cristaux de chlorure de sodium ou autre chlorure alcalin en suspension ont une granulométrie inférieure à 800 microns et de préférence inférieure à 40 microns.-\n<CLM>\1\tÂppîication du procédé selon la revendication 1 à l'industrie alimentaire, notamment à l'industrie de la conserverie<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDEMENTS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif pour ajuster des pastilles semiconductrices par rapport à un masque d'exposition au rayonnement comportant des structures de masquage disposées sur un support, en vue de la réalisation de structures dans des laques photosensibles à l'aide d'une exposition au rayonnement X, ajustage qui s 'effec- tue en amenant en recouvrement réciproque des marques d'ajustage complémentaires sur le masque d'exposition au rayonnement et sur la pastille semiconductrice, les structures de masquage étant constituées en un matériau fortement opaque au rayonnement X tandis que le support de ces structures de masquage est constitué en un matériau transparent au rayonnement X, caractérisé par le fait que pour réaliser ajustage des pastilles semiconductrices, il est prévu une source de rayonnement infrarouge et un récepteur pour ce rayonnement, la fréquence du rayonnement utilisé pour l'ajustage se situant dans une plage dans laquelle le matériau du support et celui des pastilles semiconductrices est encore transparent.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on utilise du silicium comme matériau du sup- port et qu'on prévoit une énergie quantique inférieure à 1,1 eV pour le rayonnement.\n<CLM>\1\tDispositif suivant l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait que le support pour les structures de masquage est constitué par du silicium oxydé par voie thermique.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 3, caractérisé par le fait que sur la couche de Si02 est située une couche mince de protection en matériau synthétique.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: - REVENDICATIONS 1 - Procédé de préparation d'une boisson à base de café carbo natEef par carbonatation d1un extrait de café, caractérisé en ce que l'on opère an présence d'un ou plusieurs additifs choisi 5 parai un ester diacide gras et de glycérine, un ester acide gras et de sorbitane, un ester d'acide gras et de propylène glycol et une rési- ne de silicone. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'ester d'acide gras et de glycérine est le monooléate de glycérine. 3 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'ester d'acide gras et de sorbitane est choisi parmi le monolaurate le monestéarate, le monooléate, le tristéarate, le trioléate et le sesquioléate de sorbitane. 4 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'ester d'acide gras et de sorbitane est le monolaurate de sorbitane. 5 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'ester d'acide gras de propylène glycol est le monooléate de propylène glycol. 6 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la résine de silicone est une résine de silicone en émulsion. 7 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les proportions d'additifs sont respectivement de l'ordre de 20 milli grammes à 5 grammes d'ester, et de 10 milligrammes à 2,5 grammes de résine de silicone par kilogramme de matière seche de l'extrait de café. 8 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les additifs sont une combinaison d'une résine de silicone avec un ou plusieurs esters choisis parmi les esters d'acide gras et de glycol rien, d'acide gras et de sorbitane et d'acide gras et de propylène glycol.<\|EOS\|><\|BOS\|>- CLAIMS 1 - Process for preparing a coffee-based beverage by carbonation of a coffee extract, characterized in that one or more additives are chosen, including a fatty acid ester and glycerine, a fatty acid ester and sorbitan, a fatty acid ester and propylene glycol, and a silicone resin. 2 - Process according to claim 1, characterized in that the fatty acid ester and glycerine is the monolaurate of glycerine. 3 - Process according to claim 1, characterized in that the fatty acid ester and sorbitan is chosen among the monolaurate, monostearate, monolaurate, trioleate, and sesquioleate of sorbitan. 4 - Process according to claim 1, characterized in that the fatty acid ester and sorbitan is the monolaurate of sorbitan. 5 - Process according to claim 1, characterized in that the fatty acid ester of propylene glycol is the monolaurate of propylene glycol. 6 - Process according to claim 1, characterized in that the silicone resin is an emulsified silicone resin. 7 - Process according to claim 1, characterized in that the proportions of additives are respectively from 20 milligrams to 5 grams of ester, and from 10 milligrams to 2.5 grams of silicone resin per kilogram of dry matter of the coffee extract. 8 - Process according to claim 1, characterized in that the additives are a combination of a silicone resin with one or more esters chosen among the fatty acid esters and glycol, fatty acid esters and sorbitan, and fatty acid esters and propylene glycol.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé de préparation de fruits confits qui sont conservés préalablement en solution, caractérisé en ce que l'on place les fruits destinés à être confits dans une saumure comportant un antioxydant et un antiferment en so lution aqueuse et on utilise ensuite cette saumure pour la préparation du sirop dans lequel les fruits sont confits. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'antioxydant est l'anhydride sulfureux de concentration inférieure à Ig./litre de solution, de préférence comprise entre 200 mg et 800 mg par litre de solution. 3 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'antioxydant est l'acide ascorbique. 4 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'antiferment est l'acide sorbique. 5 - Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la saumure comporte en outre un correcteur de pH destine a acidifier ladite saumure. 6 - Produit nouveau constitué par un fruit confit, caractérisé en ce qu'il est obtenu par le procédé selon la revendication 1.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1 - Preparation method of dried fruits which are previously dissolved in a solution, characterized in that the fruits intended to be dried are placed in a brine containing an antioxidant and an antifungal in aqueous solution and then this brine is used for the preparation of the syrup in which the fruits are dried. 2 - Method according to requirement 1, characterized in that the antioxidant is the sulfurous anhydride of concentration less than 1g/liter of solution, preferably between 200 mg and 800 mg per liter of solution. 3 - Method according to requirement 1, characterized in that the antioxidant is ascorbic acid. 4 - Method according to any one of the requirements 1 to 3, characterized in that the antifungal is the sorbic acid. 5 - Method according to requirement 4, characterized in that the brine further contains a pH adjuster intended to acidify the said brine. 6 - New product comprising a dried fruit, characterized in that it is obtained by the method according to requirement 1.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé de coloration de cerises destinées à être conservées en sirop, caractérisé en ce que préalablement à la stérilisation, on trempe lesdites cerises dans une solution alcaline, jusqu'à ce que leur pH atteigneune valeur déterminée, et on les trempe ensuite dans une solution aqueuse de tétraiodofluoresceïne de pH inférieur à ladite valeur 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite valeur déterminée est de tordre de\n<CLM>\1\t3 - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le pH de ladite solution aqueuse est de l'ordre de\n<CLM>\1\t4 - Procédé selon l'une quelçonque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que lion acidifie lesdites cerises, une fois colorées par la tétraiodo fluoresceïne, à un pH de 3,5 pour fixer la couleur. 5 - Procédé selon l'une quelconque des revendications I à 4, caractérisé en ce que lion couvre lesdites cerises d'un sirop de pH voisin de 3,5. 6 - Produit nouveau constitué par des cerises colorées suivant les procédées selon l'invention.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1 - Method of coloring cherries intended to be preserved in syrup, characterized in that prior to sterilization, the said cherries are immersed in an alkaline solution until their pH reaches a predetermined value, and then immersed in an aqueous solution of tetraiodofluorescein of pH lower than said value 2 - Method according to claim 1, characterized in that said predetermined value is of the order of\n<CLM>\1\t3 - Method according to claim 2, characterized in that the pH of said aqueous solution is of the order of\n<CLM>\1\t4 - Method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that said cherries are acidified, once colored by tetraiodofluorescein, at a pH of 3.5 to fix the color. 5 - Method according to any one of claims I to 4, characterized in that said syrup covers said cherries, having a pH near 3.5. 6 - New product comprising colored cherries according to the invention's method.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVE NDl C ÀT IONS 1 - appareil pour fabriquer un dispositif semi-conducteur à croissance épitaxique, sur un support, utilisant la croissance progressive en phase liquide, dans lequel des orifices prévus sur les côtés à haute et à basse températures sont respectivement re- liés entre eux,par paires, par un canal percé dans une nacelle pour dissoudre, dans ce canal, des matières qui sont successivement extraites et appliquées sur le support, caractérisé en ce qu'mue monture réfrigérante (5) est associée avec le support(4) placé dans une plaquette cadre (6) dans les orifices (1, In, Ina, 1nib...) de la partie à basse température, pour pouvoir effeetivement transmettre une partie importante de la chaleur de la matière dissoute au travers du support\n<CLM>\1\t2 - appareil suivant la revendication 1 caractérisé en ce que la monture de refroidissement (5)comprend un passage (7) pour l'écoulement d'une matière réfrigérante. 3 - Appareil suivant 1 tune des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que la monture réfrigérante (5) est séparée de la plaquette cadre (6). 4 - Appareil suivant l'une des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que la monture réfrigérante (5) est construite d'une seule pièce avec la plaquette cadre (6) pour former une structure unitaire. 5 - Appareil suivant la revendication 4 caractérisé en ce qu'un ventilateur à gaz de refroidissement (11) est prévu pour souffler sur la face inférieure de la monture réfrigérante (5) construite d'une seule pièce avec la plaquette cadre (6). 6 - Appareil suivant l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la monture réfrigérante (5) est en carbone. 7 - Appareil suivant 1 'une des revendications i à 5, caractérisé en ce que la monture réfrigérante 5 est en platine.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVE NDl C ÀT IONS 1 - device for manufacturing a semi-conducting device by epitaxial growth, on a support, using progressive growth in liquid phase, in which prearranged holes on the high and low temperature sides are respectively connected to each other, by pairs, through a channel formed in a casing to dissolve, in this channel, materials that are successively extracted and applied on the support, characterized in that a refrigerating mount (5) is associated with the support (4) placed in a frame sheet (6) in the holes (1, In, Ina, 1nib...) of the low temperature part, to be able to effectively transmit a significant part of the heat of the dissolved material through the support<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé de préparation d'un produit repoussant l'eau, perméable à l'air, caractérisé en ce qu'il consiste à mélanger une cire paraffinique, ayant un point de fusion compris entre 500C et 500C, un acide gras supérieur ayant 15 à 18 atomes de carbone et de la cire d'abeilles, dans une solution alcaline aqueuse, de manière telle que les composants solides dans la solution mélangée fournissent des grains super-fins et forment une émulsion colloidale. 2 - Produit repoussant l'eau, perméable à l'air, caractérisé en ce qu'il comprend une cire paraffinique, ayant un point de fusion compris entre 500C et 50"C, un acide gras supérieur ayant 15 à 18 atomes de carbone, et de la cire d'abeilles, dispersés de manière homogène dans une solution alcaline aqueuse.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R13VENDICZIONS\n<CLM>\1\tProcédé de préparation d'acier revêtu d'aluminium, consistant à projeter de l'aluminium en maintenant la surface de l'acier à une température de 100 à 5O00C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel on ajoute une étape consistant à travailler le produit pour réduire sa section de 5 à 80%o en maintenant l'acier revêtu d'aluminium à une température de 150 à 600 C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel on ajoute une autre étape consistant à chauffer l'acier travaillé pendant 3 minutes à 24 heures à une température de 150 à 6O00C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendicatidn 1, dans lequel on ajoute d'autres étapes consistant à laminer à froid l'acier revêtu d'aluminium avec réduction de section de 5 à 80% et à chauffer l'acier travaillé' pendant 3 minutes à 24 heures à une température de 150 à 6000C.\n<CLM>\1\tProcédé selon une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le revetement d'aluminium a une épaisseur de 30 à 300 microns.\n<CLM>\1\tProcédé selon une quelconque des revendications précédentes, dans lequel on effectue la projection d'aluminium sous atmosphère réductrice.\n<CLM>\1\tProcédé selon une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel on effectue. la projection dtaluminium sous atmosphère d'azote ou d'argon.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel on effectue le chauffage entre 120 et 400 C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel on nettoie la surface de l'acier par sablage avant la projection d'aluminium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel on nettoie la surface de 1' acier par grenaillage avant la projection d'aluminium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel on nettoie la surface de l'acier par décapage, puis par rinçage à l'eau, avant la projection d'aluminium.<\|EOS\|><\|BOS\|>R13VENDICZIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVEDICPI\n<CLM>\1\t- Distributeur de brosses pour stérilisateur d'eau par générateur de rayons ultra-violets, caractérisé en ce qu'il comprend un chargeur de brosses en forme de gaine verticale, dont l'extrémité supérieure est munie dlun couverue amovible et dont 11 extrémité inférieure, munie d'un fond, présente une ouverture latérale pour le retrait des brosses une à une, ce chargeur étant monté de façon amovible sur un support prévu à cet effet à 1' intérieur du capot protecteur du stérilisateur, de manière que 1' ouverture précitée coïncide avec une fenêtre de dimensions correspondantes ménagée dans le panneau de façade de ce capot, tandis qu'un volet obturateur, monté coulissant entre le volet de façade du capot et le chargeur, est normalement maintenu en position de fermeture de ladite fenêtre, des moyens étant prévus pour le déplacer en position d'ouverture de la fenêtre lorsque l'utilisateur a besoin d'une brosse.\n<CLM>\1\t- Distributeur de brosses selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens pour déplacer le volet sont associés aux moyens de distribution d'eau.\n<CLM>\1\t- Distributeur de brosses selon la revendication 2, caractérisé en ce que ces moyens sont constitués par un vérin à simple effet, dont la chambre de travail est reliée par une canalisation à la canalisation de distribution d'eau stérilisée, entre la vanne de commande de distribution d'eau et un régulateur monté enaval de la vanne précitée pour calibrer le débit d'eau du stérilisateur, la pression de l'eau dans la chambre de travail provoquant le déplacement du volet, solidaire de la tige du vérin, dans le sens de l'ouverture de la fenêtre, des moyens élastiques étant prévus qui ramènent le volet en position d' obturation de la fenêtre dès fermeture de la vanne de commande de débit d'eau.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVEDICPI<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS -o-o-o -o-o -o-o-o-o-o-o-o-o-o-o- -1- Appareil pour la conservation chimique des céréales caractérisé par le fait qu'à l'intérieur d'un récipient cyXindrique, au bord supérieur duquel est disposé une trémie, est montée dans la partie supérieure une poutre creuse en dessous de laquelle est fixé, à l'aide d'un tube, un cône distributeur sous le bord inférieur duquel le siège d'une valve conique est fixé à la paroi latérale du récipient cylindrique, le tube du cône distributeur étant traversé par une tige de traction à l'e tr-émité inférieure de laquelle est fixé un obturateur conique de réglage tandis que l'extrémité supérieure de la tige de traction est reliée à un balancier qui est relié à la tige de traction est reliée à un balancier qui est relié à la tige de traction d'un électroaimant et à un levier de manoeuvre. -2- Appareil selon la revendication 1, caractérisé par le fait que dans la partie inférieure du récipient cylindrique, une buse débouche en dessous de la valve de réglage. -3- Appareil selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le récipient cylindrique est appuyé par des ressorts sur l'ouverture d'entrée d'un transporteur à vis.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS -o-o-o -o-o -o-o-o-o-o-o-o-o-o-o- -1- Chemical storage apparatus characterized by the fact that, in a cylindrical container, a trough is mounted on the upper rim, and a hollow beam is mounted below the trough, with a conical distributor cone fixed to the side wall of the cylindrical container via a tube, the conical distributor cone having a conical valve seat fixed to the lower rim of the tube, the lower end of the traction rod being fixed with a conical plug, while the upper end of the traction rod is connected to a balance lever which is connected to the traction rod of an electromagnetic balance and to a handle. -2- Apparatus according to claim 1, characterized by the fact that a vent is mounted below the regulating valve in the lower part of the cylindrical container. -3- Apparatus according to claim 1, characterized by the fact that the cylindrical container is supported by springs on the inlet opening of a conveyor belt.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tAliments à base de protéines à haut coefficient d'utilisation protidique, extraites sans dénaturation du lactosérum, et de glucide. nouvant etre en tout ou partie remplacés par des édul-corants de synthèse, éventuellement d'autres composants tels que sels minéraux, vitamines, substances ; médicamenteuses, arômes, uti- lisables chez l'homme pour assurer un apport protidique et glucidique convenable, et éventuellement pour servis de support à certains médicaments ou à des complexes pAly-vitamino-mineraux.\n<CLM>\1\tAliments selon la revendication 1, caractérisés en ce qu'ils sont présentés soit sous forme de poudre soluble à dissoudre instantanément pour obtenir une boisson agréable soit sous forme d'un concentré liquide pouvant être dilué avant utilisation.\n<CLM>\1\tAliments selon la revendication 1, caractérisés en ce qu'ils sont prépares par mélange d'une poudre de lactoprotéines de glucides, de sels minéraux, arondes et autres éléments.\n<CLM>\1\tAliments selon la revendication 1, caractérisés en ce qu'ils sont préparés à partir d'une poudre obtenue par atomisation à température moyenne du rétentat d'ultra-filtration du lactosérum additionné d'une quantité convenable de maltodextrine à bas dextrose équivalent, d'autres glucides, de sels minéraux, et d'aromes, et d'autres éléments tels que vitamines, oligo-éléments, substances médicamenteuses.\n<CLM>\1\tAliments selon les revendications\n<CLM>\1\tet\n<CLM>\1\tcarattérisés er ce qu'ils sont préparés à partir de la poudre décrite à la revendication 4,additionnée de café soluble et permettant de reconstituer sans modification d'arts ni de couleur un café noir apportant une quantité importante de protéines.\n<CLM>\1\tAliments selon la revendication 1 caractérisés en ce qu'ils sont preparés à partir du rétentat d'ultra filtration additionné de glucides et d'autres éléments et correctement pasteurisé.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé d'introduction d'anhydride sulfureux dans un liquide qui consiste en jus ou mort: de raisin, vin ou extraits de fruits ou de légumes et qui est transporté dans une canalisation, caractérisé en ce que l'anhy- dride sulfureux est maintenu sous pression à l'état liquide jusqu'à son entrée immédiate dans la canalisation transportant le liquide, qu'à cet endroit il est gazéifié et qu'il est introduit à ce point d'entrée selon une quantité proportionnelle au débit du liquide.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'anhydride sulfureux est introduit en quantité constante et de façon discontinue au point d'entrée, suivant une cadence qui est inversement proportionnelle au débit, à l'aide dtune pompe, de préférence une pompe à piston ou une pompe à membrane.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'on a prévu au point d'introduction une buse d'injection qui est maintenue fermée sous la force d'un ressort, mais qui est ouverte, de préférence pendant la durée de la course de la pompe, sous la pression de refoulement de la pompe.\n<CLM>\1\tDispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu t on a disposé dans la tubulure transportant le liquide an écoulement, de préférence en amont du point d'introduction, un débitmètre, un compteur à piston rotatif ou un dEbitEtre inductif.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que le débit;tre est associé à un generateur d'impulsions qui, apres chaque passage d'une quantité prédéterminée du liquide à sulfiter, délivre une impulsion de commande pour la pompe véhiculant l'anhydride sulfureux.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la pompe a une course réglable.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce qu'on a prévu un électro-aimant pour l'entrainement de la pompe.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: Revendications\n<CLM>\1\tDans un appareil de stérilisation et de refroidissement continu travaillant en surpression pneumo hydrostatique et comprenant : - un transporteur sans fin qui passe successivement par au moins une colonne hydrostatique de montée de pression, au moins une colonne de stérilisation par ruissellement d'eau sous pression constante d'air, et au moins une colonne hZdro- statique de descente de pression, - des moyens pour maintenir constantes la hauteur des colonnes hydrostatiques et la pression dans la colonne de sté rilisation, - et des moyens pour recirculer l'eau de stérilisation dans la colonne de stérilisation, un dispositif de réglage de la température de cette eau de stérilisation caractérisé par :: - une enceinte auxiliaire dont la partie supérieure est soumise au ruissellement d'une partie de l'eau de stérilisation qui engendre dans cette enceinte la pression correspondant à la ten sion de la vapeur de cette eau de stérilisation, et dont la partie inférieure est munie d'un tube qui plonge dans l'eau du bas de la colonne de stérilisation, cette eau remontant dans ladite enceinte jusqu'à un niveau correspondant à la surpression, - et un régulateur à flotteur qui règle l'admission de la vapeur de réchauffage de cette eau de stérilisation, en main tenant constant ledit niveau à l'intérieur de l'enceinte auxiliaire.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication l, caractérisé en ce. que î'enceiite.auxiliaire est disposée à l'intérieur de la colonne de stérilis'atîon.\n<CLM>\1\tDispositif suivant l'une des revendications t et 2, caractérisé en ce que l'enceinte auxiliaire est pourvue d'une purge continue permettant d'évacues l'air éventuellement entravé par l'eau de stérilisation.<\|EOS\|><\|BOS\|>Claims<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tAppareil échangeur de chaleur, notamment de réfrigération pour le traitement ou la production de liquides alimentaires, caractérisé en ce qu'il comprend une chambre cylindrique traver séide longitudinalement par le produit à traiter, un cylindre extérieur à la chambre dans lequel passe un agent refroidissant, et un cylindre intérieur à la dite chambre dans lequel passe également un agent refroidissant.\n<CLM>\1\tAppareil suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le cylindre intérieur est animé d'un mouvement de rotation.\n<CLM>\1\tAppareil suivant la revendication 2, caractérisé en ce que le cylindre intérieur est pourvu d'ailettes, palettes, ou analogues, assurant l'agitation du produit à traiter.\n<CLM>\1\tAppareil suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le cylindre intérieur est fixe.\n<CLM>\1\tAppareil suivant la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte un agitateur rotatif prévu dans la chambre traversée par le produit à traiter.\n<CLM>\1\tApplication de l'appareil suivant l'une quelconque des revendications précédentes au traitement de la vendange foulée et égrappée.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/ Procédé de fabrication de composants semiconducteurs à commutation rapide, comportant les étapes suivantes - fabrication d'une structure semiconductrice au sein d'une plaquette monocristalline ; - élimination des impuretés sur au moins une face de ladite plaquette ; - dépôt d'une couche d'un matériau tueur sur au moins ladite face ; - diffusion des atomes dudit matériau tueur à travers ladite plaquette par chauffage de cette-dernière, caractérisé par le fait que - ladite élimination des impuretés se fait par attaque ionique de manière à éliminer une couche de matériau semiconducteur épaisse d'au moins 100 angstroems, - ledit dépôt se faisant ensuite par pulvérisation cathodique. 2/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'épaisseur dudit dépôt est comprise entre 50 et 200 angstroems. 3/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite attaque ionique et ladite pulvérisation cathodique se font par le procédé dit "radio fréquence" dans une même enceinte.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1/ Manufacturing method of semiconductor components with fast switching, comprising the following steps - fabrication of a semiconductor structure within a monocrystalline substrate; - removal of impurities on at least one face of said substrate; - deposition of a tueur material layer on at least said face; - diffusion of the atoms of said tueur material through said substrate by heating said substrate, characterized by the fact that - said removal of impurities is carried out by ion attack to remove a thick layer of semiconductor material of at least 100 angstroms, - said deposition is then carried out by cathodoluminescence. 2/ Method according to claim 1, characterized in that the thickness of said deposition is between 50 and 200 angstroms. 3/ Method according to claim 1, characterized in that said ion attack and said cathodoluminescence are carried out by the said "radio frequency" process in the same chamber.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tA titre de produit industriel nouveau, le N (2-PYRROLIDYLMETHYL) 2-METHOXY 5-SULFAMOYL BENZAMIDE ainsi que ses sels d'addition avec des acides minéraux ou orga niques pharmaceutiquement acceptables, ses formes dextrogyre et lévogyre,\n<CLM>\1\tProcédé de préparation du composé suivant la revendication (I), caractérisé en ce qu'un dérivé réactif de l'acide 2-méthoxy 5sulfamoyl benzoique de formule générale (I) dans laquelle A est un groupe alkoxy de 1 à 4 atomes de carbone, un atome d'halogène ou un résidu d'acide organi que de formule R1COO- dans laquelle R1 peut être un grou pe allyle tel que méthyle, éthyle, propyle, isopropyle, butyle, isobutyle, ou un groupe alkoxy tel que méwhoxy, éthoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, isobutoxy, ou un noyau phényle substitué ou non, réagit sur une amine de formule générale (II) dans laquelle R2 est un groupe benzyle ou un atome dthy- drogène, pour donner le benzamide de formule (lIT) et en ce que, dans le cas où R2 est un groupe benzYle,le benzamide (III) est transformé en (IV) par.réduction.\n<CLM>\1\tA titre de médicament nouveau utile comme antiémétique et modificateur du systeme nerveux central, les formes pharmaceutiques contenant comme principe actif le N(2-pyrrolidylmethyl) 2-méthoxy 5-sulfamoyl benzamide, ses formes lévogyre et dextrogyre, ses sels d'addition avec des acides minéraux ou organiques pharmaceutiquement acceptables, décrits dansla revendication (1),\n<CLM>\1\tA titre de produit intermédiaire nouveau utile pour la synthèse du benzamide selon les revendications (1) et (2), le N(l-benzyl 2-pyrrolidylméthyl) 2-méthoxy 5-sulfamoyl benzamide.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: Revendications l. Diode à semiconducteurs, comportant un substrat semiconducteur, une jonction pn produite par diffusion d'impuretés et des contacts sur les surfaces d'amenée du courant du substrat, et caractérisée en ce que la concentration en impuretés à partir et d'un côté de la jonction pn augmente d'abord comme un profil de dopage plat, produit par diffusion d'impuretés, puis croît rapidement.\n<CLM>\1\tDiode à semiconducteurs selon revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la région à profil de dopage plat est calculée de façon à contenir une limite de la région à charge d'espace.\n<CLM>\1\tDiode à semiconducteurs selon une des revendications I et 2, carac tersée en ce que l'épaisseur totale de la zone comprise entre la jonction pn et le contact de connexion, et comportant la région à profil de diffusion plat, est inférieure d'au moins 20 % à la distance entre la surface de la jonction pn et la surface initiale du substrat semiconducteur, par laquelle s'est effectuée la diffusion dtimpuretés.\n<CLM>\1\tProcédé pour la production d'une diode à semiconducteurs selon une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé par les opérations suivantes : production d'un profil de dopage plat sur un côté de la jonction pn, parsdiffusion d'impuretés; suppression sur ce côté de la zone diffusée du substrat semiconducteur, puis alliage d'impuretés du nme type, de façon que la région à gradient abrupt d'impuretés se trouve à la distance désirée de la jonction pn.\n<CLM>\1\tProcédé selon revendication 4, caractérisé en ce que la région à gradient abrupt d'impuretés est produite par épitaxie ou par une brève diffusion d'impuretés.<\|EOS\|><\|BOS\|>Claims l. Semiconductor diode comprising a semiconductor substrate, a pn junction formed by diffusion of impurities and contact regions on the incoming surface of the substrate, and characterized in that the concentration of impurities from and on one side of the pn junction increases initially as a flat doping profile, produced by diffusion of impurities, then rises rapidly.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 1hEVENDIC-ETIONS Dispositif d'alimentation en énergie électrique d'équi pements récepteurs sensibles aux variations de tension etXou de fréquence, caractérisé par le fait qu'il comporte: - une alimentation dite de sécurité comprenant un redresseur alimentant une batterie d'accumulateurs et un onduleur autonome à filtre incorporé fournissant une tension de mêmes phase et fré quence que la tension du réseau d'alimentation dudit redresseur, - un contacteur statique shuntant ladite alimentation de sécuri té, - un détecteur mesurant d'une part les différences de poLentiel et de phase entre les entrés et sorties du contacteur statique et d'autre part l'intensité de courant absorbé par l'ensemble des équipements récepteurs, - un circuit de commande du contacteur statique provoquant la fermeture dudit contacteur dans le cas de surcharge de l'ondu leur et dans le cas o1 les différences de potentiel et de phase mesurées restent dans des limites prédéterminées 2,- IZispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il comporte des coupe-circuits à fusibles sur l'entrée de chaque équipemerit récepteur.<\|EOS\|><\|BOS\|>1hEVENDIC-ETIONS Power supply device for sensitive receiving equipment that is sensitive to variations in voltage and frequency, characterized by the fact that it comprises: - a safety power supply comprising a rectifier supplying a battery of accumulators and an autonomous inverter with integrated filter providing a voltage of the same phase and frequency as the voltage of the power supply network of said rectifier, - a static contactor shunting said safety power supply, - a measuring device measuring, on one hand, the differences in potential and phase between the inputs and outputs of the static contactor, and on the other hand the current absorbed by all the receiving equipment, - a control circuit for the static contactor causing the closure of said contactor in the case of overload of the inverter and in the case where the differences in potential and phase measured remain within predetermined limits 2,- The device according to claim 1, characterized by the fact that it comprises fuses on the input of each receiving equipment.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVEND I C ÂTI0NS\n<CLM>\1\tProcédé pour obtenir un produit alimentaire emballe à température réfrigérée suivant lequel on congèle et on emballe un produit alimentaire pour former un produit alimentaire congelé et emballé, on stocke le produit emballé, dans son état congelé, et on le décongèle, caractérisé en ce mulon effectue la décongé- lation du produit emballé en élevant sa température rapidement jusqu'à sa température de réfrigération sans toutefois la dépasser tout en faisant intervenir une déshydratation visant à vaporer l'humidité condensée à la surface du produit emballé.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'on décongèle le produit emballé dans un flux d'air chauf- fé qui circule en regard d'un dispositif réfrigérateur pour régler la température maximum du flux d'air et en soutirer de l'humidité en vue de déshydrater la surface du produit alimentaire emballé.\n<CLM>\1\tProcédé suivant les revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'on emballe le produit alimentaire dans une pellicule d'em- ballage qui le protège de toute déshydratation pendant la ddshydra- tation de la surface de cette pellicule.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVEND CÂTI0NS\n<CLM>\1\tProcess for obtaining a food product packaged at refrigerated temperature according to which a food product is frozen and packaged to form a frozen packaged food, the packaged food is stored in its frozen state, and then thawed, characterized in that the packaged food is thawed by rapidly raising its temperature to its refrigeration temperature without exceeding it while involving a dehydration aimed at vaporizing the condensed moisture on the surface of the packaged food.\n<CLM>\1\tProcess according to claim 1, characterized in that the packaged food is thawed in a heated air flow which circulates in the vicinity of a refrigerating device to regulate the maximum temperature of the air flow and to remove moisture from the air flow in order to dehydrate the surface of the packaged food.\n<CLM>\1\tProcess according to claims 1 and 2, characterized in that the food product is packaged in a packaging film which protects it from dehydration during the dehydration of the surface of this film.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: - REVENDICÂTIIONS -\n<CLM>\1\t- Procédé pour réaliser une liaison physique et assurer une isolation électrique entre deux éléments électriquement conducteurs, caractérisé en ce qu'il consiste à interposer entre les dits éléments une couche poreuse, électriquement isolante, imprégnée d'un adhésif électriquement isolant. r\n<CLM>\1\t- Bloc électronique ayant une embase et un substrat thermiquement et électriquement conducteur portant au moins un dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce que l'embase et le substrat sont reliés physiquement l'un à l'autre et isolés électriquement l'un de l'autre par le procédé selon'la revendication\n<CLM>\1\t3. - Bloc électronique selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend une embase thermiquement et électriquement conductrice, un substrat thermiquement et électriquement conducteur et portant au moins un dispositif semi-conducteur qui fait partie du bloc, et une couche poreuse, électriquement isolante et imprégnée d'un adhésif électriquement isolant, interposée entre l'embase et le substrat de façon à fixer ce dernier tur l'embase en les isolant électriquement l'un de l'autre.\n<CLM>\1\t- Bloc électronique selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche isolante est en fibres de verre.\n<CLM>\1\t- Bloc électronique selon la revendication 3 ou la revendication 4, caractérisé en ce que l'adhésif est flexible et avantageusement constitué par une solution de caoutchouc.\n<CLM>\1\t- Bloc électronique selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, caractérisé en ce que le dispositif semiconducteur est un dispositif de puissance et en ce que le substrat aide à dissiper la chaleur dégagée par ce dispositif en cours de fonctionnement.<\|EOS\|><\|BOS\|>- REVISIONS -\n<CLM>\1\t- Procedure for establishing a physical connection between two electrically conductive elements and ensuring an electrical isolation between them, characterized in that it consists of interposing between the said elements a porous, electrically insulating layer impregnated with an electrically insulating adhesive.\n<CLM>\1\t- Electronic block having a base and a thermally and electrically conductive substrate carrying at least one semiconductor device, characterized in that the base and the substrate are physically connected to each other and electrically insulated from each other by the procedure according to claim 1.\n<CLM>\1\t3. - Electronic block according to claim 2, characterized in that it comprises a thermally and electrically conductive base, a thermally and electrically conductive substrate carrying at least one semiconductor device which is part of the block, and a porous, electrically insulating layer impregnated with an electrically insulating adhesive interposed between the base and the substrate in order to fix the latter to the base and electrically isolate them from each other.\n<CLM>\1\t- Electronic block according to claim 3, characterized in that the insulating layer is made of glass fibers.\n<CLM>\1\t- Electronic block according to claim 3 or claim 4, characterized in that the adhesive is flexible and advantageously constituted by a rubber solution.\n<CLM>\1\t- Electronic block according to any one of the claims 3 to 5, characterized in that the semiconductor device is a power device and that the substrate helps to dissipate the heat generated by this device during operation.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R B V B N D I C A T I Q N S.\n<CLM>\1\tMonocristal en matériau semi-conducteur tiré sur un cristal en matériau électriquement isolant, caractérisé en ce qu'il comprend un moyen pour compenser positivement des contraintes de réseau qui y sont développées, étant donné des différences de propriétés physiques entre lesdits deux matériaux.\n<CLM>\1\tMonocristal en matériau semi-conducteur tiré sur un cristal en matériau électriquement isolant selon la revendication 1 caractérisé en ce que le moyen précité pour compenser les contraintes de réseau consiste à faire varier une composition d'au moins la partie d'au moins l'un desdits deux cristaux proche de l'interface entre eux, de façon à diminuer une différence de pas réticulaire entre lesdits deux cristaux.\n<CLM>\1\tMonocristal en matériau semi-conducteur tiré sur un cristal en matériau électriquement isolant selon la revendication 1 caractérisé en ce que le moyen précité pour compenser des contraintes de réseau consiste à ajouter à au moins la partie d'au moins l'un desdits deux cristaux proche de leur interface, un élément pour diminuer la différence de pasieticulaire entre lesdits deux cristaux.\n<CLM>\1\tMonocristal tiré sur un cristal en matériau électriquement isolant selon la revendication 1 caractérisé en ce que le moyen précité pour compenser des contraintes de réseau consiste à mélanger avec au moins la partie précitée d'au moins l'un desdits deux cristaux proche de leur interface, un autre cristal de façon à faire diminuer le pas réticulaire entre lesdits deux cristaux.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tInstallation de redresseur intégré, notamment pour l'emploi dans des génératrices à courant alternatif de véhicules automobiles, avec desjneryuxsss sse refroidissement dans des dépressions desquelles sont disposés des éléments de redresseur, et avec des plaques à circuits imprimés fixées sur les nervures de refroidissement avec une plaque isolante et une feuille conductrice, caractérisée en ce que les bords (22a) de pourtour des nervures de refroidissement (22) sont recour bés obliquement.\n<CLM>\1\tInstallation suivant la revendication 1-, caractérisée en ce qu'elle est disposée dans le domaine du flasque de palier (8) tu côté collecteur de la génératrice. 30)' Installation suivant l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que les nervures de refroidissement (22) ne sont courbées que jusqu'à un angle d'obliqué tel que plusieurs installations de redresseur peuvent entre empilées l'une derrière l'autre dans la génératrice.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S 1.- Ensemble de redresseur pour génératrice courant alternatif, natamment poar véhicule automobile, avec neraures de refroidissemen'. sur lesquelles des diodes de charges sont die- posées dans des logements creux, are des plaques à circuits impnri- més servant de plaque conductrice de raccordement et de réglage, pour la liaison des diodes de charge et ave: des diodes d'excita- tion, ensemble caractérisé en ce que les diodes d'excitation (3g, 3h,\n<CLM>\1\tsont disposées entre les plaques conductrices d'entrée ae courant alternatif (6a, 6b, 6c) et la plaque conductrice de branchement de régulation (6a). 2.- Ensemble de redresseur suivant la revend il cation 1, caractérisé en ce que les diodes d'excitation (3g, 3h, 345 sont reliées, avec leur cté anode, aux plaques conductrices d'entrée de courant alternatif 96a cu 6b cu 6c) et, avec leur côté cathode, à la plaque conductrice de branchement de régulation (6d). 3.- Ensemble de redresseur, suivant l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que, pour le branchement des diodes d'excitation (3g, 3h et 3i) dans les plaques conductrices (6a à 6d) sont prévus des rivets tubulaires servant de pots de branchement (6f). 4.- Ensemble de redresseur, suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la plaque conductrice de branchement de régulation (6d) est montée à coulissement par rapport aux plaques conductrices entrée de courant alternatif (6a, 6b, 6e).<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de réfrigération de produits liquides, caractérisé par le fait qu'.on fait circuler un fluide frigogène, à une tempé rature nettement inférieure à la température de congélation du liquide à traiter, dans un tube central et qu'on fait circuler à grande vitesse (1 - 3 m/s) et à forte turbulence (8-24000 R) le liquide à réfrigérer autour de ce tube central générateur de froid sans formation de cristaux adhérant au tube.\n<CLM>\1\tInstallation pour la mise en oeuvre du procédé selon la reven dication 1, caractérsée par le fait qu'elle comporte un cir cuit de réfrigération d'un fluide réfrigérant, dans un faisceau de tubes branchés en parallèle à une température nettement in férieure à la température de congélation du liquide à traiter et par le fait que des conduits entourant les tubes desdits faisceaux sont connectés en série et reliés à une pompe de cir culation du liquide à réfrigérer le propulsant à une vitesse de 1 et 3 m/s avec une turbulence de 8-24000 R autour de ce fais ceau de tubes.\n<CLM>\1\tInstallation selon la revendication 2, caractérisée par le fait que les tubes sont en métal poli.\n<CLM>\1\tInstallation selon la revendication 3, caractérisée par le fait que les tubes sont en acier inoxydable ouen cuivre.\n<CLM>\1\tInstallation selon la revendication 4, caractérisée par le fait que les tubes sont recouverts extérieurement d'une pellicule de matière plastique d'une épaisseur de quelques microns, le coefficient de transmission du cuivre n'étant pas réduit pour autant.\n<CLM>\1\tInstallation selon la revendication 2, caractérisée par le fait que le circuit de réfrigération présente un compresseur pour comprimer le fluide réfrigérant qui se détend alors dans les faisceaux de tubes.\n<CLM>\1\tInstallation selon la revendication 2, caractérisée par le fait que les faisceaux de tubes sont formés.par plusieurs tubes indépendants les uns des autres.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé d'amélioration d'un produit alimentaire soluble selon lequel on ajoute un agent aromatisant à un glycéride, caractérisé en ce que : on prépare une suspension solide-glycéride & partir d'un glycéride liquide et de solides glucidiques qui représente au moins 10% du poids du glycéride; on ajoute un agent aromatisant volatil à la suspension solide-glycéride qu'on solidifie alors par congélation, qu'on fragmente, qu'on mélange avec un extrait liquide & demi congelé, puis qu'on congèle et qu'on lyophilise.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'agent aromatisant volatil est constitué par un arme condensé.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication I ou 2, caractérisé en ce que le glycéride liquide est constitue par une huile végétale.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3r caractérisé en ce qu'on fragmente la suspension solidifiée par broyage.\n<CLM>\1\tprocédé selon l'une quelconque des revendications 1 & 4, caractérisé en ce que le rapport pondéral des solides au glycéride dans la suspension est de 1:4.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 & 5, caractérisé en ce que l'agent aromatisant volatil est constitué par un arôme de café condensé, et en ce que l'extrait & demi congelé est de l'extrait de café.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que les solides glucidiques sont les solides de café solubles.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'arôme de café condensé est le gaz condensé libéré- lors du moulage de café fratchement torréfié.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S 1 - Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comprenant du silicium selon lequel ledit silicium est chauffé à une haute température située au-dessus de 8000C pour une certaine période de temps, selon lequel la qualité dudit dispositif est fonction de l'absence de déformations cristallographiques et/ou de dislocations aux limites du silicium, caractérisé en ce qu'il consiste à - augmenter la température dudit dispositif à partir de 8000C Jusqu'à obtenir ladite haute température suivant un rythme inférieur à 2000C par minute, - laisser ledit dispositif à ladite haute température pendant ladite période de temps, et - abaisser ladite haute température dudit dispositif jus- quàenviron 8000 C graduellement suivant un rythme de décroissance inférieur à 2000C par minute. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif précité est chauffé au-delà de 8000C - plusieurs fois, les différentes étapes précitées étant répétées pour chacune desdites opérations. 3 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la haute température précitée est comprise entre 8000C et 12500C, le rythme de croissance de ladite température étant compris entre 1500C et 2000C par minute, et le rythme de décroissance de ladite température étant compris entre 1500C et 2000C par minute. 4 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le rythme de croissance de ladite haute température est d'environ 1G00C par minute, et le rythme de décroissance de ladite haute température est d'environ 1600C par minute. 5 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit silicium est constitué par une pastille de silicium, ladite pastille étant maintenue dans une position verticale lorsqu'elle est chauffée.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDEMENTS 1 - Manufacturing method of a semiconductor device comprising silicon according to which said silicon is heated to a high temperature above 8000°C for a certain period of time, according to which the quality of said device is function of the absence of crystal defects and/or dislocations at the limits of said silicon, characterized in that it consists to - increase the temperature of said device from 8000°C to obtain said high temperature according to a rate inferior to 2000°C per minute, - keep said device at said high temperature for said period of time, and - gradually lower said high temperature of said device to about 8000°C according to a rate of decrease inferior to 2000°C per minute. 2 - Method according to claim 1, characterized in that said device is heated above 8000°C several times, the different steps cited being repeated for each of said operations. 3 - Method according to claim 1, characterized in that said high temperature cited is between 8000°C and 12500°C, the rate of growth of said temperature being between 1500°C and 2000°C per minute, and the rate of decrease of said temperature being between 1500°C and 2000°C per minute. 4 - Method according to claim 1, characterized in that the rate of growth of said high temperature is about 1000°C per minute, and the rate of decrease of said high temperature is about 1600°C per minute. 5 - Method according to claim 1, characterized in that said silicon is composed of a silicon chip, said chip being kept in a vertical position when it is heated.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif permettant une meilleure évacuation de la chaleur a partir de composants p semiconducteurs, dans lesquels au moins un cristal semiconducteur est disposé sur le fond du bottier du composant et le couvercle du bottier du composant est sépare du cristal par un espace vide, caractérisé par le fait que les pattes de raccordement du composant à semiconducteurs sont coudées en direction du couvercle.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le fond du bottier portant le cristal semiconducteur possède une épaisseur de paroi plus faible que celle du couvercle du bottier. Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que 7e fond du boîtier portant le cristal semiconducteur comporte des encoches (7) formant ailettes de refroidissement.\n<CLM>\1\tDispositif suivant l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait que le fond du boîtier portant le cristal semiconducteur est constitué par une couche (9) de matériau isolant se trouvant directement en contact avec le cristal semiconducteur, et par une couche métallique (8) disposée directement sur la précédente du c8té extérieur.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDEES<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: IEEe IChTIONS\n<CLM>\1\tCornue pour générateurs endothermiques d'atmosphères controlées, caractérisée par le fait qu'elle se compose de deux éléments tubulaires coaxiaux à- fond borgne, dont le deuxième présente un diamètre et une longueur inférieurs à ceux du premier, disposées l'un dans l'autre en opposition, avec l'espace intermédiaire rempli de matériau de catalyse, et d'une conduite d'alimentation qui traverse le fond borgne du premier élément tubulaire pour se terminer avec une extrémité ouverte à proximité du fond borgne du second.\n<CLM>\1\tCornue suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que le second élément tubulaire occupe seulement une partie de la longueur du premier et que celui-ci termine à l'extérieur du four avec une partie munie de moyens de refroidissement.\n<CLM>\1\tCornue suivant la revendication 1 ou 2, caractérisée par le fait que l'espace intermédiaire entre lesdits élémentstubulaires est rempli avec un matériau de catalyse de qualités différentes de zone à zone. 4)Cornue suivant la revendication 1, 2 ou 3, caractérisée par le fait que, dans la zone proche du fond borgne du second élément tubulaire ledit matériau de catalyse est constitué par un simple matériau céramique ou est même omis, alors que, dans la zone adjacente à la première ledit matériau de catalyse est constitué par du matériau céramique faiblement imprégné de nickel et que, dans les parties restantes de la cornue, ledit matériau de catalyse est constitué par du matériau céramique imprégné de nickel du type conventionnel.<\|EOS\|><\|BOS\|>IEEe IChTIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: - REVENDICATIONS 1.- Procédé d'attaque de l'alumine, caractérisé en ce que l'on utilise pour cette attaque une solution comportant l'ion fluor dans un solvant anhydre. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit solvant anhydre est avide d'eau. 3.- Procédé selon les revendications 1 et 2, caractérisé en ce que l'ion fluor est introduit principalement sous forme de fluorure d'ammonium. 4.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le solvant anhydre est principalement de l'acide acétique glacial. 5.- Procédé selon les revendications 3 et 4, caractérisé en ce que ladite solution comporte de 10 à 30 g de fluorure d'ammonium par litre d'acide acétique glacial. 6.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit solvant anhydre est principalement de ltéthylène- glycol. 7.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit solvant anhydre est principalement de la glycérine. 8.- Bain pour attaque de l'alumine selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte l'ion fluor dans un solvant anhydre. 9.- Bain selon la revendication 8, caractérisé en ce que il contient l'ion ammonium. 10.- Bain selon l'une des revendications 8 et 9, caractérisé en ce que le solvant anhydre est principalement de l'acide acétique glacial. 11.- Bain selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comporte 10 à 30 g de fluorure d'ammonium par litre d'acide acétique glacial. 12.- Bain selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit solvant anhydre est principalement de l'éthylène-glycol. 13.- Bain selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit solvant anhydre est principalement de la glycérine. 14.- Objet caractérisé en ce que, au cours de sa réalisation, on a éliminé au moins une pellicule d'alumine par le procédé d'attaque selon la revendication 1.<\|EOS\|><\|BOS\|>- CLAIMS 1.- Attack procedure of alumina, characterized in that for this attack a solution containing the fluoride ion in an anhydrous solvent is used. 2.- Procedure according to claim 1, characterized in that the said anhydrous solvent is avid for water. 3.- Procedure according to claims 1 and 2, characterized in that the fluoride ion is introduced mainly in the form of ammonium fluoride. 4.- Procedure according to one of claims 1 to 3, characterized in that the anhydrous solvent is mainly acetic acid glacial. 5.- Procedure according to claims 3 and 4, characterized in that the said solution contains 10 to 30 g of ammonium fluoride per liter of acetic acid glacial. 6.- Procedure according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said anhydrous solvent is mainly ethylene glycol. 7.- Procedure according to one of claims 1 to 3, characterized in that the said anhydrous solvent is mainly glycerine. 8.- Attacking bath for alumina according to claim 1, characterized in that it contains the fluoride ion in an anhydrous solvent. 9.- Attacking bath according to claim 8, characterized in that it contains the ammonium ion. 10.- Attacking bath according to one of claims 8 and 9, characterized in that the anhydrous solvent is mainly acetic acid glacial. 11.- Attacking bath according to claim 10, characterized in that it contains 10 to 30 g of ammonium fluoride per liter of acetic acid glacial. 12.- Attacking bath according to claim 8, characterized in that the said anhydrous solvent is mainly ethylene glycol. 13.- Attacking bath according to claim 8, characterized in that the said anhydrous solvent is mainly glycerine. 14.- Object characterized in that during its manufacture, at least one layer of alumina has been removed by the attack procedure according to claim 1.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de transformation d'une masse de produit fluide non gazeux en billes de faibles dimensions, ce procédé étant caractérisé par le fait qu'il consiste à injecter ce produit sous pression dans un liquide qui se trouve dans les conditions physiques de passage à l'état gazeux, cette injection ayant pour effet de pulvériser ledit produit dans ce liquide et d'en former des billes ou granulés dont les dimensions sont fonction de la différence de température entre le produit injecté et le liquide, et de la pression d'injection de ce produit.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le liquide dans lequel on effectue l'injection sous pression est un liquide en ébullition.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le liquide dans lequel on effectue l'injection goums pression est un liquide frigorigène.\n<CLM>\1\tAppareil mettant en oeuvre le procédé selon la revendication 1, cet appareil étant caractérisé par le fait qu'il comprend un injecteur sous pression et un bac dans lequel un liquide se trouve dans les conditions physiques de passage à l'état gazeux.\n<CLM>\1\tAppareil selon la revendication 4, caractérisé par le fait que ce bac est une enceinte de surgélation.\n<CLM>\1\tAppareil selon la revendication 4, caractérisé par le fait que ce bac contient un liquide en ébullition, par exemple de l'huile- comestible.\n<CLM>\1\tBilles ou granulés obtenus par application du procédé selon la revendication 1, ces billes étant par exemple des billes surgelées de pulpe de fruit.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication et de stabilisation d'une couche diélectrique de porte dans les dispositifs métal-oxyde-semi-conducteur, dans le but de réduire la charge d'oxyde fixe dans la couche diélectrique de porte sans dégrader les caractéristiques de cette couche, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes qui consistent: à former une couche qui comporte au moins une couche d'oxyde de silicium d'une épaisseur inférieure à 500A sur au moins la région de porte par oxydation thermique du substrat en silicium monocristallin; et à recuire le substrat dans une atmosphère constituée par un gaz choisi dans le groupe constitué par Fie, Ne, Ar, Kr et Xe, à une température d'au moins 900oC pendant au moins 10 minutes.2.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la couche diélectrique de porte a une épaisseur comprise entre 100 et 300A. 3.- Procédé selon l'une des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que la température de recuit est comprise entre 900 et 11000C. 4.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que la durée de recuit est comprise entre 9 minutes et 100 heures. 5.- Procédé selon la revendication 3 caractérisé en ce que la durée de recuit est comprise entre 15 minutes et 24 heures, la température étant comprise entre 950 et 10500 C. 6.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que l'atmosphère de recuit est une & mosphêre d'argon. 7.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que I 'atmosphère de recuit est une atmosphère d'argon et en ce que la durée de recuit est comprise entre 1 et 4 heures.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Manufacturing and stabilization procedure of a gate dielectric layer in metal-oxide-semiconductor devices, in order to reduce the fixed oxide charge in the gate dielectric layer without degrading the characteristics of this layer, characterized in that it comprises the steps consisting: to form a layer comprising at least one layer of silicon dioxide of thickness less than 500A on at least the region of the gate by thermal oxidation of the silicon monocrystalline substrate; and to heat the substrate in an atmosphere consisting of a gas selected from the group consisting of Fie, Ne, Ar, Kr and Xe, at a temperature of at least 900oC for at least 10 minutes. 2.- Procedure according to claim 1 characterized in that the gate dielectric layer has a thickness between 100 and 300A. 3.- Procedure according to one of the claims 1 and 2 characterized in that the heating temperature is between 900 and 11000C. 4.- Procedure according to one of the claims 1 to 3 characterized in that the heating duration is between 9 minutes and 100 hours. 5.- Procedure according to claim 3 characterized in that the heating duration is between 15 minutes and 24 hours, the temperature being between 950 and 10500 C. 6.- Procedure according to one of the claims 1 to 5 characterized in that the heating atmosphere is an argon atmosphere. 7.- Procedure according to one of the claims 1 to 3 characterized in that the heating atmosphere is an argon atmosphere and in that the heating duration is between 1 and 4 hours.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S 1.- Un procédé amélioré de fabrication d'une tôle et d'un feuillard en acier calmé à l'aluminium l'aminé à froid pour amboutissage ayant une limite élastique basse et des propriétés de vieillissement retardées comprenant un stade d'élaboration de l'acier, un stade de laminage à chaud comportant un stade de bobinage à température élevée, vn stade de décapage et un stade de laminage à froid et un recuit en continu comportant un stade de maintien en température, caractérisé en ce que l'on contrôle la composition chimique sensiblement comme suit [N] %; 0,005% # [N] # 0,007% Al. Sol.%; 8 x [N] % # Al. Sol. # 0,12% et un rapport Al.Sol.%/ [N] % de 8 à 25 2.- Un procédé de fabrication d'une tôle et d'un feuillard en acier calmé à l'aluminium laniné à froid pour emboutissage selon la revendication 1 caractérisé en ce que la température de bobinage est comprise entre environ 700 C et environ 7800C. 3.- Un procédé de fabrication d'une tôle et d'un feuillard en acier calmé à l'aluminium laminé à froid pour emboutissage selon la revendication 1 caractérisé en ce que la teneur en [N] % et le rapport Al.Sol.%/ [N] % sont finalement contrôlés au cours du stade de coulée en continu.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDEMENTS 1.- An improved method of manufacturing a steel sheet and a steel plate with aluminum anodized at low temperature for forming, comprising a stage of steel elaboration, a stage of hot rolling including a stage of high temperature winding, a stage of stripping and a stage of cold rolling and a continuous heating stage comprising a stage of temperature maintenance, characterized in that the chemical composition is controlled substantially as follows [N] %; 0,005% # [N] # 0,007% Al. Sol.%; 8 x [N] % # Al. Sol. # 0,12% and an Al.Sol.%/[N] % ratio of 8 to 25 2.- A method of manufacturing a steel sheet and a steel plate with aluminum anodized at low temperature for forming according to claim 1, characterized in that the temperature of winding is between about 700°C and about 780°C. 3.- A method of manufacturing a steel sheet and a steel plate with aluminum anodized at low temperature for forming according to claim 1, characterized in that the [N] % content and the Al.Sol.%/[N] % ratio are finally controlled during the continuous pouring stage.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour l'accélération et le contrôle du pouvoir de germination et l'amélioration de l'aptitude au stockage des graines de céréales et autres semences, caractéris-é en ce que l'on établit un champ électrostatique réglable, de valeur élevée entre la surface supérieure de la couche des grains de stockage et le plan sur lequel elle repose par l'inter- médiaire d'électrodes 1 et 6 isolées et reliées au pôle daim générateur de haute tension électrostatique réglable et en ce que l'on prévoit des capteurssensibles à la température 11 et à l'humidité 12 oui sont réiés au générateur à travers un module de commande\n<CLM>\1\t2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est employé de préférence en combinaison avec les procédés conventionnels de contrôle et de régulation de la température et du degré d'humidité de l'air.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le grain est stocké au voisinage de la cathode, c'est-à-dire dans une zone de concentration accrue en gaz carbonique et ce que la cathode supporte directement ou indirectement la couche de grains.\n<CLM>\1\tProcédé de stockage selon la revendication 1, caractérisé en ce que les valeurs du champ électrique sont genEralemert comprises dans la qanine 1000 à 5000 volts/mètres.\n<CLM>\1\tProcédé d'amélioration du pouvoir de germination selon la revendication 1, caractérisé en ce que le grain à faire germer est placé au voisinage de l'anode, c'est-à-dire dans une: région de concentration d'oxygène.\n<CLM>\1\tInstallation pour l'application du procédé d'amélioration du pouvoir de germination selon les revendications 1 et 4, caractérisé en ce que l'on prévoit deux commutateurs 14 et 15 permettant une inversion de polarité sans autre modification de branchement.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tUn procédé de séchage d'une matière première qui serait la racine d'endive utilisée après le forçage ; du broyage de la cossette, d'agglomération de la poudre en granulés et de torréfaction, refroidissement et vente du produit obtenu.\n<CLM>\1\tUn procédé qui selon la revendication 1 permettrait d'acheter et sécher les racines d'endives après le forçage.\n<CLM>\1\tUn procédé qui selon la revendication 1 et 2 permettrait le broyage de la cousette obtenue à partir de la racine d'endive après le forçage ou de la racine de chicorée à café 1 'incor- poration d'aromes à la poudre lors de l'agglomération, 1 'agglvmé- ration et la vente du produit aux torréfacteurs.\n<CLM>\1\tUn procédé qui selon la revendication là 3 permettrait la torréfaction, le refroidissement, le conditionnement et la vente du granulé obtenu.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un transistor à effet de champ du type comportant une grille constituée par un substrat de semiconducteur fortement dopé d'un type de conductivité donné ; un canal source - drain constitué par une couche active de semiconducteur d'un type de conductivité opposé à celui-ci de la grille, déposée à la surface dudit substrat ; une série de contacts ohmiques interdigités selon une configuration prédéterminée réalisant les contacts source drain, caractérisé en ce qu'il comprends les étapes suivante - premier dépôt d'un matériau diélectrique effectué sur la totalité de la surface de ladite couche active opposée audit substrat ; - gravure dudit premier dépôt selon ladite configuration jus qutà mise a nu localement de la couche active sous jacente ; - second dépôt d'un matériau semiconducteur très fortement dopé remplissant les zones gravées au niveau desquelles ladite couche active est mise à nue ; - troisième dépôt d'un métal assurant un contact ohmique sur ledit second dépôt.\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ, caractérisé en ce qutil est obtenu par le procédé selon la revendication\n<CLM>\1\t3. Transistor selon la revendication 2, caractérisé en ce que le substrat est de type P+, la zone active de type N, le matériau diélectrique est du verre le second dépôt, du semiconducteur de type N.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tElément de liaison capable de relier thermiquement un dispositif semiconducteur au support destiné à la recevoir, tout en assurant entre les deux un isolement électrique, caractérisé en ce qu'il comprend une combinaison d'au moins un premier et un second dépôt d'un métal M2 facilement oxydable séparées par une couche d'oxyde dudit métal.\n<CLM>\1\tElément de liaison selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit métal présente un coëfficient de dilation compatible avec le semiconducteur et le matériau constituant le support.\n<CLM>\1\tElément de liaison selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un dépôt d'un métal M1 est interposé entre le semiconducteur et ladite combinaison.\n<CLM>\1\tElément de liaison selon l'une des revendications 1 et 3, caractérisé en ce qu'un dépôt supplémentaire d'un métal M3 est interposé entre ladite combinaison et ledit support.\n<CLM>\1\tElément de liaison selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit métal M1 présente un coëfficient de dilation compatible avec ledit semiconducteur.\n<CLM>\1\tElément de liaison selon l'une des revendication 4 et 5, caractérisé en ce que ledit métal M3 présente un coëfficient de dilatation compatible avec le matériau constituant ledit support.\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur,#--caractérisé en ce qu'il comporte au moins un élément selon l'une des revendications précédentes.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R r qii3ICjsTI0N3\n<CLM>\1\trecédé de congélation d'un produit extrudable dans un récipient de congJlation, consistant à introduire le produit ru moyen d'wn passage profilé, à le mettre en contact avec un agent de congJlation liquide, puis a retirer le produit du ré ci ient de congélation, caractérisé en ce que :: a) le produit passe par le passage profilé pour être déposé sur une courroie métallique pleine, en mouvement; b) le produit et la face inférieure de la courroie sont mis en contact avec l'agent de congélation liquide presque irnzédiatement après le déport pour congeler la surface du produit sur une épaisseur suffisante pour su'il conserve sa forme et u'il se détache librement de la courroie lorsque celle-ci s'incurve; et c) on achève ensuite la congélation du produit.\n<CLM>\1\tAppareil de congélation de produits extrudables comprenant un récipient de congélation, un dispositif d'introduction du produit extrudable par l'intermédiaire d'un passage profilé dans le récipient de congélation, un dispositif de mise en contact du produit avec un agent de congélation liqui- de à l'intérieur du récipient et un dispositif d'élimination du produit du récipient de congélation, ledit appareil étant caractérisé en ce cu'il comporte en outre au moins une courroie métallique pleine, en mouvement, sur laquelle le produit extrudable est déposé par l'intermédiaire du passage profilé, un dispositif de mise en contact du produit et de la face inférieure de la courroie avec l'agent de congélation presque immédiatement après que le produit ait été déposé sur la courroie, et un système d'achèvement de la congélation du produit avant qu'il soit retiré du récipient de congélation.<\|EOS\|><\|BOS\|>R r qii3ICjsTI0N3<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS t. Procédé de fabricaxtion de lames semi-conductrices très minces, à faces parallèles, caractérisé en ce qu'il comporte au moins a) une étape où l'on sculpte par photogravure un substrat semiconducteur monocristallin de telle sorte que l'on fasse apparattre, une unegrande face du substrat, une quantité prédéterminée de reliefs comportant des sommets plats, situés dans un premier plan, séparés par des intervalles constituant un deuxième plan b) une étape de croissance par épitaxie d'un monocristal formant une couche recouvrant lesdits premier et deuxième plans c) une étape de rodage du substrat sur la face opposée à la couche épitaxiale d) une étape de découpage du substrat en autant d'éléments qu'il y tnntit de reliefs à étape (a).\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication I, caractérisé en ce qu'il comporte on outre, à l'issue de l'étape (b), une étape supplémentaire consistant à déposer une couche dlor sur lesdits premier et deu oSème plans.\n<CLM>\1\tcédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que ladite étape supplémentaire est précédée du dépôt d'une couche d' alliage de nickel, de chrome et d'or.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication I, caractérisé en ce que le rodage prévu à l'étape (c) est effectué en combinant une action méca iliaque de frottement avec une action ^-himique au moyen d'un agent d' attaque sélective du matériau semi-conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que, ledit matériau semi-conducteur étant de l'arséniure de gallium, ledit agent d'attaque sélective est un mélange d'ammoniaque et d'eau oxygénée.\n<CLM>\1\tDiode hyperrréquence fabriquée par un procédé suivant l'une des revendications 1 à 5.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS t. Process for the fabrication of very thin, parallel-sided semiconductor wafers, characterized in that it comprises at least a) an step in which a substrate semiconductor monocrystalline is etched by photogravure in such a way that it shows, one of the large faces of the substrate, a predetermined quantity of relief structures comprising flat peaks, located in a first plane, separated by intervals forming a second plane b) an step of epitaxial growth of a monocrystalline forming a covering layer over the said first and second planes c) an step of planing the substrate on the opposite face to the epitaxial layer d) an step of cutting the substrate into as many elements as there are relief structures at step (a).<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tColonne de thyristors comprenant des thyristors en forme de disques empilés et juxtaposés, et maintenus élastiquement, un refroidisseur, qui sert également à la conduction du courant électrique, étant appliqué contre chaque face de chaque thyristor, caractérisée en ce que l'on intercale entre les thyristors en forme de disques, empilés et juxtaposés, au moins un coupe-circuit dont les deux faces frontales s'appliquent chacune contre un refroidisseur qui sert aussi à la conduction du courant électrique.\n<CLM>\1\tColonne de thyristors suivant la revendication 1 , caractérisée en ce que deux coupe-circuit sont disposés l'un au voisinage de l'autre et ne sont séparés que par des refroidisseurs.\n<CLM>\1\tColonne de thyristors suivant la revendication 2, caractérisée en ce que deux refroidisseurs sont dis-posés entre les deux coupe-circuit , une plaque en matière isolante étant prévue entre ces refroidisseurs.\n<CLM>\1\tColonne de thyristors suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, qui comprend des éléments de cabrage générateurs de chaleur, pour les thyristors en forme de disques, caractérisée en ce que les refroidisseurs sont réunis à conduction de chaleur aux aéménts de câblage générateurs de chaleur.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication de tôles destinées aux utilisations à basse température, réalisées dans des nuances d'acier contenant de 1,5 à 9 % en poids de nickel et comprenant une mise en forme par laminage à chaud caractérisé en ce que le laminage est contrôlé, notamment dans les dernières passes pour obtenir une austénite métallurgiquement écrouie par un taux de corroyage d'au moins 1,55 et en ce que la tôle a l'état austénitique ainsi défini est immédiatement soumise à un refroidissement permettant d'obtenir une structure avec un maximum de martensite.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la tôle est soumise à un refroidissement accéléré pour obtenir une vitesse de refroidissement égale ou supérieure à 150C par seconde.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 et 2 caractérisé en ce que la tôle est soumise à un revenu a une température inférieure à celle du point AC1 de l'acier pendant une durée d'au moins 1 heure.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3 caractérisé en ce que le revenu est précédé d'un traitement thermique à une température comprise entre AC1 et AC3.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 à 4 caractérisé en ce que l'acier contient de 0,1 à 0,5 % en poids de molybdène.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 à 5 caractérisé en ce que l'acier contient de 0,010 a 0,050 % en poids de niobium.\n<CLM>\1\tprocédé selon les revendications 1 à 6 caractérisé en ce que l'acier contient de 0,010 a 0,100 % en poids de vanadium.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S 1.- Appareil pour chauffer un fluide, tel qu'un liquide ou un gaz, qui comprend un système tubulaire à travers lequel le fluide à chauffer est amené, caractérisé en ce que dans le système tubulaire un courant électrique peut être amené pour chauffer le fluide à chauffer, au moyen de la chaleur produite par le courant électrique dans le système tubulaire et par transfert de celui-ci au fluide-\n<CLM>\1\t- Appareil suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le courant électrique peut strie amené dans le système tubulaire de manière qu'il passe à travers le fluide circulant dans le système tubulaire, de sorte que le fluide soit chauffé sous l'effet de la chaleur qui y est produite par le courant électrique. 3.- Appareil suivant l'une quelconque des revendica tions 1 et 2, caractérisé en ce que le courant électrique à amener dans le système tubulaire est un courant altermatif.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDESSIONS1.- Device for heating a fluid, such as a liquid or gas, comprising a tubular system through which the fluid to be heated is conveyed, characterized in that in the tubular system an electric current can be introduced to heat the fluid to be heated, by the heat produced by the electric current in the tubular system and by transfer of that current to the fluid-<CLM>1\t- Device according to claim 1, characterized in that the electric current can be introduced into the tubular system in such a way that it passes through the fluid circulating in the tubular system, so that the fluid is heated by the heat produced by the electric current in the tubular system.3.- Device according to any one of claims 1 and 2, characterized in that the electric current to be introduced into the tubular system is an alternating current.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de conservation de châtaignes, caractérisé en ce qu'il comprend une première etape de nettoyage, de triage. de brossage et de sélection selon des dimensions uniformes, une seconde etape d'1m- mersion des chltaignesdans l'eau, effectuée en bassins avec renouvellement continu constant de l'eau en surface. une troisième étape de fermentation, une quatrième etape d'égouttage. une cinquième étape de déshydratation et une sixième etape de conservation en atmosphere contrôlez.\n<CLM>\1\tProcede suivant la revendication 1, caractérise en ce que lesdits bassins d'immersion sont munis d'un dispositif de circulation de l'eau en surface, continue constante1 selon un mouvement non turbulent, apte permettre le débordement de l'eau avec éli- agnation resultante de tous les produits flottants.\n<CLM>\1\tProcédé suivant les revendications 1 et\n<CLM>\1\tcaractérisé en ce que la fermentation des châtaignes est déclenchée par ensemencement des bains par des levures lactiques.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1, 2 ou 3, caractérisé par l'addtion dans les bains, a la fin de la fermentation1 de substances anti-microbiennes.\n<CLM>\1\tProcédé suivant l'une quelconque des revendications 1 4, caractérisé en ce que l'opération de déshydratation est réalisée en plusfeurs phases successives séparées par des périodes de repos, dans un tunnel de sechage.\n<CLM>\1\tProcede suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le tunnel de séchage reduit le pourcentage d'humidité dans la pulpe des châtaignes Jusqu'a des valeurs comprises entre 40 et 47 S.\n<CLM>\1\tProcédé suivant l'une quelconque des revendications t 6, caractérisé en ce que la conservation du produit s'effectue en at mosphère contrlEe et constante.\n<CLM>\1\tProcédé suivant l'une quelconque des revendications 1 a 71 caractérisé en ce que les châtaignes conserver sont mises dans des récipients sans couvercle dont les parois latérales sont fer mées et le fond en treillis.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ caractérisé par la fourniture d'un substrat de matière semi-conductrice dopée, la constitution d'une couche d'oxyde de grille sur ledit substrat, la constitution d'une couche de silicium polycristallin dopé sur ladite couche d'oxyde de grille, le revêtement de ladite couche de silicium polycristallin par une couche d'oxyde de masquage, l'enlèvement en une seule opération des parties recouvrant les couches sus-mentionnées pour définir l'électrode de grille et exposer des zones dudit substrat adJacentes à l'électrode de grille constituée, et le dopage, par diffusion, des zones exposées pour constituer des régions limitées de conductivité opposées à celles du substrat afin de définir la source et le drain du transistor.\n<CLM>\1\tProcédé salon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat est une matière de type P à haute résistance et les régions source et drain sont une matière du type N.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication I ou 2, caractérisé en ce que ladite couche de silicium polycristallin est dopée au bore.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications I à 3, caractérisé en ce qu'une couche d'oxyde dopée est constituée sur l'électrode grille et sur lesdites régions limitées et en ce que des trous de contact sont gravés dans ladite couche d'oxyde dopée et sont alignés sur chacune des régions limitées et sur l'électrcde grille.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, caractérisé ente ce qu'une couche métal- lique est constituée sur ladite couche d'oxyde dopée et pénètre dans les trous de contact, certaines parties de la couche métallique étant attaquées de façon à constituer des conducteurs discrets qui sont en contact chimique avec chaque région limitée et avec l'électrode grille.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D T C A T I O N S 1 - Procédé pour conserver fruits et légumes caractérisé par le fait qu'il consiste à cueillir des fruits et légumes arrivés à mâturité de façon naturelle et à les conserver en les recou vrant d'un papier spécialement préparé pour dégager de l'oxyde de soufre. 2 - Produit suivant la revendication 1 consistant en un papier qui permet de dégager des quantités de S02 proportionnelles à la quantité des fruits ou légumes à conserver. 3 - Produit selon la revendication 1 consistant en un papier qui permet un dégagement d'abord rapide pendant 48 heures, puis lent et régulier ensuite.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDE NT C A T I O N S 1 - Procedure for preserving fruits and vegetables characterized by the fact that it consists in picking fruits and vegetables that have reached maturity naturally and storing them by covering them with a specially prepared paper to release sulfur dioxide. 2 - Product according to claim 1 consisting of a paper that allows the release of quantities of S02 proportional to the quantity of fruits or vegetables to be stored. 3 - Product according to claim 1 consisting of a paper that allows first a rapid release during 48 hours, then a slow and regular release afterwards.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: CARACTERISTIqUES\n<CLM>\1\tUn dispositif destiné à la désinfection des mains, ou d'autres ; objets, caractérisé par ce qu'elle est effectuée au moyen d'une 1 flamme appropriée, située de façon qu'elle puisse "lécher" cormode- ment, la main ou un autre objet présenté, et dont la durée est autos matiquement détermine pour désinfecter san s bruler ni déteriorer I ladite man ou ledit objet.\n<CLM>\1\tUn dispositif suivant la révendication 1, comportant une flamme à la sortie d'un bec de gaz, caractérisé par ce que le haut de la dite flamme est soufis par un jet d'air, ce qui forme une nouvelle flamme, beaucoup plus ample et inclinée par rapport à la première flamme, qui effectue la désinfection.\n<CLM>\1\tUn dispositif suivant la révendication 2, caractérisé par ce que l'on obtient le jet d'air en agissant sur une commande automatique qui détermine automatiquement, pour chaque action sur la commande, un jet d'une durée limitée aux nécessités de la désinfection 4.Un dispositif suivant 3, caractérisé par ce que le jet d'air est obtenu àpartir d'un tuyau relié à un réservoir d'air sous pression; et possède une commande à double tiroir déterminant un passage d'air au jet au moment de l'action sur l'organe dé commande situé à l'extérieur du tuyau, gracie à quoi, il suffit d'agir franchement en une fois, sur ledit organe de commande pour obtenir le jet dési ré 5 Un dispositif suivant 1, ou 2, ou 3, ou 4, carcctérisé par ce qu'il est qu'il est pourvu de moyens de fixation parterre, ou des un en droit qui lui est affecté, de façon à rendre aise la présentation et l'action sur la commande du jet et éliminer toute possibilitc de retard durant l'action sur ladite com.,ande.<\|EOS\|><\|BOS\|>CHARACTERISTICS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Vanne de commande pour appareil de traitement d'air, caractérisée en ce tutelle se compose d'un corps de forme tubulaire en deux parties, pourvues chacune de trois raccordements respectivement vers une chambre de stockage, vers l'atmosphère et vers une enceinte contenant du charbon actif, chacune desdits parties étant en outre pourvue d'une soupape à double effet, permettant la mise en communication soit de ladite chambre de stockage,soit de l'atmosphère, avec ladite enceinte contenant le charbon actif. 2.- Vanne de commande selon la revendication 1, caractérisée en ce que les trois raccordements de chaque partie du corps tubulaire sont disposés de telle manière que le raccordement vers l'enceinte contenant le charbon actif soit situé entre les deux autres raccordements. 3.- Vanne de commande selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que lesdites soupapes sont calées sur une tige de commande disposée dans l'axe dudit corps et pouvant coulisser axialement dans ce dernier. h.- Vanne de commande selon la revendication 3, caractérisée en ce qu'il est prévu dans chaque partie du corps tubulaire et de part et d'autre de chaque soupape, respectivement de chaque raccordement central, un support annulaire portant un anneau en une matière relativement élastique faisant fonction de siège de soupape. 5.- Vanne de commande selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que ladite tige de commande est périodiquement actionnée vers l'une de ses deux positions par un électro-aimant. 6.- Vanne de commande selon la revendication 5, caractérisée en ce que ladite tige de commande est sollicitée vers l'autre de ses deux positions par un ressort de rappel.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Air handling unit valve characterized in that the valve comprises a tubular body divided into two parts, each part being provided with three fittings respectively connected to a storage chamber, to the atmosphere and to a chamber containing activated carbon, each of said parts further being provided with a double-acting valve, allowing communication either with the said storage chamber, or with the atmosphere, with the said chamber containing activated carbon. 2.- Air handling unit valve according to claim 1, characterized in that the three fittings of each part of the tubular body are arranged in such a way that the fitting connected to the chamber containing activated carbon is located between the other two fittings. 3.- Air handling unit valve according to any one of the claims 1 and 2, characterized in that the said valves are mounted on a command rod disposed along the axis of said body and can slide axially within said body. h.- Air handling unit valve according to claim 3, characterized in that in each part of the tubular body and on both sides of each valve, respectively at each central fitting, a ring support is provided, carrying a ring of a relatively elastic material functioning as a valve seat. 5.- Air handling unit valve according to any one of the foregoing claims, characterized in that the said command rod is periodically actuated by an electromagnet into one of its two positions. 6.- Air handling unit valve according to claim 5, characterized in that the said command rod is urged by a spring into the other of its two positions.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de diodes de type PIN à partir d'une plaquette de matériau semiconducteur comportant deux couches superficielles respectivement dopées P et N situées de part et d'autre d'une couche interne de semiconducteur intrinsèque dite couche "I" beaucoup plus épaisse que lesdites couches superficielles, caractérisé en ce qu il comporte au moins les étapes suivantes a) exécution d'un premier quadrillage de traits de scie pénétrant au coeur de la couche interne et comportant des paires de traits perpendiculaires, lesdites paires délimitant deux à deux les parties mésa d'un certain nombre de diodes de type "PIN" ; b) sciage de la plaquette en morceaux suivant les traits d'un deuxième quadrillage encadrant lesdites parties lésa.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que, à l'étape (a), les traits de scie pénètrent dans la couche interne, à une profondeur atteignant environ le tiers ou la moitié de la profondeur de cette couche.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce comporte une étape supplémentaire au cours de laquelle les gorges et les saillies entourant la partie "mésa" reçoivent une protection isolante.\n<CLM>\1\tDiode caractérisée en ce qu'elle est obtenue par un procédé suivant l'une des revendications 1 à 3.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: - R E V E N D I C A T I O N S - REVENICATIONs- I /Procèdé et mode de traitement des fruits pour permettre leur surgelation en vue de leur confisage ou semi confisage se caractérisant par l'équeutage, le denoyautage, l'égrenage, ou encore ltenlévement de leur peau et colorntion pour les arroser ou tremper dans un bain de sirop préparé à - 220centigrade, 20/ Procédé suivant la revendication I se caractérisant par le fait que la solution utilisée pour le surgelacre est constituée par une proportion de saccharose, de cérélose, d'acide permettant d'obtenir un pH de 315 et d'eau pour avoir le degré 3rix 650 nécessaire en mettant leau en proportion de 0,550 litre dans un récipient et en la chauffant Jusqutà ébullition en ajoutant I50 grammes de cérélose 2001, puis après dilution de cette dernière, la saccharose en proportion de 1000 grammes (et enfin un acide (chlorhydride) jusqu'à ce que la solution. atteigne le pH désiré de 3,5. 30/ Procèdé suivant la revendication I se caractérisant par le fait que la solution est placée dans une capacité pourvue d'échangeurs frigorifiques l'amenant à la température de - 22 centigrade d'où elle est amenée par pompe ou système brasseur élévateur dans une canalisation distributrice Qui la repand sur un bac contenant les fruits. 40/ Procèdé suivant la revendication I se caractérisant par le fait que le dispositif de traitement est constitué par quatre bacs dont le positionnement successif permet le chargement, l'imprégnation, l'égouttage et le déchargement en même temps que la récupération et le recyclage de la solution<\|EOS\|><\|BOS\|>- REVENDEMENTS - REVENICATIONS- I / Procedure and method of treatment of fruits to allow their freezing in order to be candied or semi-candied, characterized by the process of blanching, dehydrating, grading, or peeling and coloring for the purpose of soaking or immersing in a syrup prepared at -220°C, 20/ Procedure according to claim I characterized by the fact that the solution used for freezing is composed of a proportion of sucrose, cellulose, acid, allowing to obtain a pH of 315 and water to reach the required degree of 3rix 650 by putting water in a proportion of 0.550 liters in a container and heating it until boiling, adding 150 grams of cellulose 2001, then after dilution of this latter, the sucrose in a proportion of 1000 grams (and finally an acid (chlorhydride) until the solution reaches the desired pH of 3.5. 30/ Procedure according to claim I characterized by the fact that the solution is placed in a capacity equipped with heat exchangers leading it to -22°C, from which it is conveyed by pump or brewing system elevator into a distribution channel which spreads it over a tray containing the fruits. 40/ Procedure according to claim I characterized by the fact that the treatment device is composed of four tanks, whose successive positioning allows the loading, impregnation, draining and discharging at the same time as the recovery and recycling of the solution<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour polir à un haut degré de perfection de surface un matériau semi-conducteur de silicium ou de germanium en utilisant un sol de silice colloidale, caractérisé en ce qu'on utilise un sol de silice colloïdale modifié, ce sol ayant un pli d'environ Il à 12,5 et les particules de silice colloïdale du sol étant revetues d'atomes d'aluminium combinés chimiquement assurant une couverture de surface d'environ 1 à environ 50 atomes d'aluminium sur la surface pour 100 atomes de silicium sur la surface des particules non revêtues, les particules du sol de silice modifié ayant une surface spécifique d'environ 25 à environ 600 m2/g et le sol ayant une concentration en silice d'environ 2 à environ 50 % en poids.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la couverture de surface est d'environ 5 à environ 40 atomes d'aluminium pour 100 atomes de silicium, et la concentration en silice du sol est d'environ 5 à environ 30% en poids.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur est du silicium.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la couverture de surface est d'environ 15 à environ 25 atomes d'aluminium pour 100 atomes de silicium. 50 Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que les particules du sol de silice modifié ont v1me surface spécifique d'environ 50 à environ 300 mètres carrés par gramme.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que les particules de ce sol ont une surface spécifique d'environ 75 à environ 200 mètres carrés par gramme. 70 Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur est du silicium.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le pli est d'environ 11,8 à 12,30<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/ Montage de semi-conducteurs de puissance constitué d'une pluralité de boitiers de semi-conducteurs espacés entre des blocs de cuivre massifs constituant les électrodes grâce à des plateaux d'extrémité reliés par un tirant central caractérisé par le fait que ledit montage dans sa totalité est plongé dans une enceinte remplie d'un fluide frigorifique à l'état liquide, par exemple, un hydrocarbure fluoré à l'état liquide. 2/ Montage de semi-conducteurs de puissance selon la revendication 1, carictéflsé par le fait que ladite enceinte est un cylindre dont une hase et les parois sont métalliques et sont gainées extérieurement d'ailettes métalliques ayant la forme d'un parallélénipede, et que le couvercle constituant l'autre base du cylindre est en une matière isolante et comporte une pluralité de tiges filetées solidaires d'un des plateaux d'extrémités ainsi que des bornes électriques reliées par des tresses auxdites électrodes des semi-conducteurs. 3/ Montage selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ledit couvercle est constitué de deux plaques superposées extérieure et intérieure, la plaque intérieure étant munie de trois paires en étoile desdites tiges filetées, la plaque extérieure étant munie, sur la périphérie, d'une pluralité de vis de fixation du couvercle sur ladite enceinte et plus près du centre, de bornes électriques dont les embases servent à solidariser ladite plaque extérieure et ladite plaque intérieure. 4/ Montage selon la revendication 3, caractérisé par le fait que lesdites bornes électriques et ladite plaque extérieure sont munies de joints toriques d'étanchéité.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1/ Assembly of power semiconductors comprising a plurality of semiconductor housings spaced apart by mass blocks of copper constituting the electrodes, through end plates connected by a central rod characterized by the fact that the said assembly in its entirety is immersed in a chamber filled with a liquid refrigerant, for example, a liquid fluorinated hydrocarbon. 2/ Assembly of power semiconductors according to claim 1, characterized by the fact that the said chamber is a cylinder whose base and walls are metallic and are externally wrapped with metallic fins having the shape of a parallelepiped, and that the cover constituting the other base of the cylinder is made of an insulating material and comprises a plurality of threaded rods solidly connected to one of the end plates as well as electrical contacts connected to the said electrodes of the semiconductors by braids. 3/ Assembly according to claim 2, characterized by the fact that the said cover is composed of two superposed plates, the inner plate being equipped with three star pairs of the said threaded rods, the outer plate being equipped, around the periphery, with a plurality of fastening screws for fixing the cover to the said chamber, and more closely to the center, with electrical contacts whose bases serve to connect the said outer plate and the said inner plate. 4/ Assembly according to claim 3, characterized by the fact that the said electrical contacts and the said outer plate are equipped with sealing gaskets.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVSNDICATIONS I. Disnositif permettant de déshydrater des fruits et des légumes entreposés sur des clayettes superposées à l'intérieur d'une catisse, caractérisé par le fait qu'il comporte un circuit d'air chaud ascendant et constant provoqué par une résistance électrique positionnée à la base avec admission d'air et sortie de vapeur d'eau.\n<CLM>\1\tDispositif selon revendication I caractérisé par le fait nue l'admission de l'air et la sortie de vapeur d'eau sont calibrées.\n<CLM>\1\tDispositif selon revendication I caractérisé par le fait qu'une résistance électrique blindée de puissance et section favorable est positionnée par rapport à l'admission de l'air et aux clayettes.\n<CLM>\1\tDispositif selon revendication I caractérisé par le fait que les plaques employées pour la fabrication de la caisse sont de composition bois amiante ciment.\n<CLM>\1\tDispositif selon revendication I caractérisé par le fait que les clayettes sont en fin treillage soudé et fixé sur un cadre en bois.\n<CLM>\1\tDispositif selon revendication I caractérisé par le fait que l'introduction et la sortie des clayettes s'effectuent par le haut de l'appareil.\n<CLM>\1\tDispositif selon revendication 6 caractérisé par le fait que on peut monter les clayettes chacune en tiroir.\n<CLM>\1\tDispositif selon revendication I caractérisé par le fait que le couvercle amovible est en forme deSdôme et deborde le corps de l'appareil.\n<CLM>\1\tDispositif selon revendication 8 caractérisé par le fait que le couvercle amovible peut aussi être de forme pyramidale. IO. Dispositif selon revendication 8 caractérisé par le fait que le couvercle peut-être fixe dans le cas du montage clayettes tiroirs et comporter des perforations par découpes galbées extérieures croisées dans le but d'évacuer une partie de vapeur directement en réduisant d'autant les sorties de vapeur calibrées.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: Revendications\n<CLM>\1\tRefroidisseur à liquide pour composants électriques, utilisant un matériau isolant et bon conducteur de la chaleur pour séparer le potentiel électrique du liquide réfrigérant des autres potentiels des composants, et caractérisé en ce que des pièces métalliques (demi-colliers) sont fixés sur une paroi (tube de circulation du liquide réfrigérant) réalisée dans le matériau séparateur,- afin d'établir le contact thermique avec les composants.\n<CLM>\1\tRefroidisseur selon revendication t, caractérisé en ce que la paroi (tube de circulation du liquide réfrigérant) est autoportante.\n<CLM>\1\tRefroidisseur selon une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qutun tube ou réservoir de liquide réfrigérant, formé par la paroi, est entouré par un collier, dont une moitié au moins est réalisée dans un métal bon conducteur de la chaleur, en contact avec le matériau sépa.- rateur et portant un composant.\n<CLM>\1\tRefroidisseur selon revendication 3, caractérisé en ce que le second demi-collier est isolé électriquement.\n<CLM>\1\tRefroidisseur selon revendication 3, caractérisé en ce que le second demi-collier est également réalisé dans un métal bon conducteur de la chaleur, en contact avec le matériau séparateur.\n<CLM>\1\tRefroidisseur selon revendication 5, caractérisé en ce que le second demi-collier porte un autre composant.\n<CLM>\1\tRefroidisseur selon une quelconque des revendications 3 à 6, caracté- risé en ce que le collier comporte un évidement ou un trou, contenant un composant recouvert par un tube souple en silicone, conducteur de la chaleur mais isolant électrique.\n<CLM>\1\tRefroidisseur selon revendication 7, caractérisé par une pâte thermoconductrice, disposée entre le composant et la paroi du trou.\n<CLM>\1\tRefroidisseur selon une quelconque des revendications 1 à 8, carac térisé par l'emploi d'une céramique d'alumine comme matériau séparateur.<\|EOS\|><\|BOS\|>Claims<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif de refroidissement, par un fluide en circulation, de préférence par de l'eau, de dispositifs électriques qui sont à des potentiels différents, caractérisé en ce qu'il comprend des électrodes de commande soumises à la différence de potentiel qui est la plus grande de celles qui existent entre les dispositifs électriques conducteurs en contact avec l'agent réfrigérant, ces électrodes de commande étant sensiblement au même potentiel que les dispositifs conducteurs électriques correspondants et les autres dispositifs électriques montés en parallèle sur ces derniers sont connectés à des points qui sont au même potentiel que le leur et qui se trouvent entre les électrodes de commande.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits dispositifs électriques sont raccordés à dehx trompes d'arrivée et de départ du fluide réfrigérant qui sont en matière isolante de l'électricité et dans lesquelles sont disposées les électrodes de commande.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les deux trompes ont le mme diamètre et la m8me longueur.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la distance séparant lesdits dispositifs électriques le long du trajet du fluide de circulation a une grandeur en centimètres qui correspond à une valeur > U/V1000, étant égal a î, 2, .,, N, et étant la tension entre lesdits dispositifs électriques et la distance séparant les électrodes de commande a une grandeur, calculée en centimè tres,qui correspond à une valeur gD Ug/lOOO. 50 Dispositif selon la revendication 1, caractérise en ce que lesdits dispositifs électriques sont des plaques de refroidissement en métal entre lesquelles sont disposés les composants à semi-conducteurs devant titre refroidis.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICAIIONS\n<CLM>\1\tAppareil destiné au traitement des produits en grains ou granulés, non ou peu poussiéreux, au moyen d'un fluide constitué d'une enceinte compartant un certain nombre de plateaux situés les uns au-dessus des autres, formés chacun de lames pouvant pivoter autour d'un axe, toutes les lames d'un même plateau étant actionnées toutes en meme temps par un, ou plusieurs servo-moteurs, ou vérins, ces lames pouvant avoir ou non les caractéris tiques des soles de fluidisation.\n<CLM>\1\tAppareil réalisé suivant la revendication 1 comportant, en outre, un dis positif d'alimentation en grains et un dispositif de vidange de grains.\n<CLM>\1\tAppareil réalisé suivant la revendication 1 ou les revendications i et 2 comportant en outre un dispositif d'alimentation en fluide de traitement susceptible de préparer ce fluide de traitement dans les conditions néces sitées par le traitement du produit constitué de grains.\n<CLM>\1\tAppareil réalisé suivant les revendications 1 et 3, ou les revendications 1 et 2 et 3, et comportant, en outre, un dispositif d'extraction du fluide de traitement.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un bloc semiconducteur comportant une ou plusieurs paires de diodes "tête-beche", en partant d'une rondelle de matériau semiconducteur mono cristallin composé de deux couches d'égale épaisseur dopées respectivement P et N+, caractérisé en ce qu'on découpe dans ladite rondelle des lamelles à deux faces parallèles entre elles et perpendienlaires aux faces pl3Waes de ladite rondelle, que sur l'une desdites faces on fait croître par épitaxie une couche à forte résistivité, obtenant ainsi ledit bloc comprenant à ce stade seulement deux régions contigües res pectivement N et P+, et que, dans chaque région, on forme par une méthode connue des diodes "mésa" de type N I P+ ou P+ I N+ suivant la région.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les agents de dopage P+ et N+ ont sensiblement le même coefficient de diffusion.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit bloc est finalement découpé en pièces comportant au moins une paire de diodes de type P+ I N et N I P+.\n<CLM>\1\tProcédé suivant l'une des revendications precédentescarac- térisé en ce que ledit matériau semiconducteur est le silicium, dopé par des agents tels que le bore et le phosphore.\n<CLM>\1\tDispositif comportant au moins un bloc fabriqué par un procédé suivant l'une des revendications précédentes.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comporte un bloc d'une ou plusieurs paires de diodes montées en limiteur de puissance hyperfréquence.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une paire de diodes montées en série.\n<CLM>\1\tDispositif suivant la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une paire de diodes montées en sérieparallèle.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S I / Procédé de fabrication d'un aliment énergétique naturel stabilisé à base exclusivement végétale à consommation différée constitué par le broyage d'épiderme et pulpes d'olives vertes ou noireset le mélange de la pâte obtenue avec de l'huile et des aromates à fonction stabilisatrice antiseptique et conservatrice. 20/ Procédé suivant la revendication I se caractérisant par le fait que la pate d'olive est malaxée avec de l'huile qui est préalablement et successivement mélangée avec une décection d'aromates tels que le thym, le romarin, le fenouil, le laurier, la sauge macerer dans de l'aloool de 25 a 350 30/ Procédé suivant la revendication I se caractérisant par le fait que l'huile est mélangée avec des capres finement broyées macérées durant dix jours dans de l'huile d'olive avec dosage infinétésimal d'acide ascorbique en sobique 40/ Procédé suivant la revendication I se caractérisant par le fait qu'on melange avec les compositions précèdentes les condi ments tels que moutarde, poivre, concentré de tomates, pate d'anchois et les åus de citron afin d'introduire la totalité dans la pate dolive qui est malaxée jusqu'à parfaite répartition de tous les agents pour etre finalement conditionnée telle quelle<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVEND I CATI 0 NS\n<CLM>\1\tProcédé pour la préparation de conserves de fruits et légumes, caractérisé en ce quson congèle les fruits ou légumes à une température de - 120C à - 150C, on plonge les fruits congelés dans de l'eau jusqu'à ce que cette eau atteigne une température de - 1 C à - 20C, on pèle les fruits ou légumes et on les introduit dans un bocal avec un sirop d'un degré brix égal à 20 environ.\n<CLM>\1\tLes conserves de fruits et légumes- obtenus par la mise en oeuvre du procédé conforme à la revendication 1.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVEND I CATI 0 NS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/ - Procédé de production de particules de caoutchouc gonflées à l'eau, carac térisé en ce qu'on traite des particules de caoutchouc par une solution ou émulsion aqueuse d'un acide organique. 2/ - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le caoutchouc est un caoutchouc vulcanisé. 3/ - Procédé selon la revendication 1 ou 2 caractérisé en-ce que l'acide orga nique est un mono- ou di-acide carboxylique ayant de 1 à 20 atomes de carbone. 4/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'acide organique est l'acide acétique ou l'acide formique 5/ - Procédé selon 1'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la solution ou émulsion aqueuse contient de 0,1 à 80 % en poids d'acide orga nique. 6/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que lton opère entre 50 et 100 OC. 7/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la solution ou émulsion aqueuse contient un poids d'acide organique repré sentant au moins 10 % du poids du caoutchouc. SI - Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la taille des particules est de 0,1 à 3 mm. 9/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le caoutchouc contient 30 à 90 % de gomme. 10/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la solution ou émulsion aqueuse renferme 10 à 80 % en poids de polyol ou d'ester de polyol. 11/ , Particules de caoutchouc, gonflées à l'eau, obtenues par le procédé de l'une des revendications 1 à\n<CLM>\1\t12/ - Particules de caoutchouc, gonflées à l'eau, obtenues par le procédé de l'une des revendicatons 1 à 10 et possédant la propriété d'être ininflam mables. 13/ - Utilisation des particules de caoutchouc, gonflées à liteau, obtenues par le procédé de l'une des revendications 1 à 10 comme agent d-'absorption d'hydrocarbures ou de solvants organiques.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de aise en bouteilles et de pasteurisation de boissons, telles que des Jus de fruits, préparées par dilution aqueuse dtun concentré, caractérisé par le fait que 1t0n introduit dans les bouteilles successivement une dose de concentré froid, puis de l'eau pasteurisée ou stérilisée chaude en quantité suffisante pour achever le remplissage des houteilles, ces dernitres étant alors fermées hermétiquement et agitées avant d'être refroidies rapidement. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la dose de concentré est introduite dans les bouteilles à une température comprise entre 5 et 150C. 3.- Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que l'eau chaude est introduite dans les bouteilles à une température voisine de 950C. 4.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait que l'agitation des bouteilles consiste en un triple retournement de celles-ci. 5.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que les bouteilles sont rapidement refroidies à 40"C, 6.- Appareillage permettant de mettre en oeuvre le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 et pouvant assurer un conditionnement et un traitement automatique de boissons en bouteilles, caractérisé par le fait qlllil comprend une doseuse injectant dans les bouteilles la. dose de concentré, une reiplisseuse complétant le remplissage des bouteilles aveo de l'eau chaude fournie par un pasteurisateur ou un appareil de stérilisation analogue, une capsuleuse fermant herniétiquement les bouteilles, un dispositif d'agitation effectuant le retour nement des bouteilles et un appareil de refroidissement des bouteilles.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Procedure of filling bottles and pasteurization of beverages, such as fruit juices, prepared by diluting a concentrated solution in water, characterized by the fact that 1 ton introduces successively into the bottles a dose of cold concentrated solution, followed by a quantity of pasteurized or sterilized hot water sufficient to complete the filling of the bottles, these latter being then sealed hermetically and agitated before being rapidly cooled. 2.- Procedure according to claim 1, characterized by the fact that the dose of concentrated solution is introduced into the bottles at a temperature between 5 and 150°C. 3.- Procedure according to claim 1 or 2, characterized by the fact that hot water is introduced into the bottles at a temperature near 95°C. 4.- Procedure according to any one of the claims 1 to 3, characterized by the fact that the agitation of the bottles consists in a triple rotation of these bottles. 5.- Procedure according to any one of the claims 1 to 4, characterized by the fact that the bottles are rapidly cooled to 40°C, 6.- Apparatus for implementing the procedure according to any one of the claims 1 to 5 and capable of ensuring automatic packaging and processing of beverages in bottles, characterized by the fact that it comprises a doser injecting into the bottles the dose of concentrated solution, a filler completing the filling of the bottles with hot water supplied by a pasteurizer or an apparatus of sterilization similar, a capsuleer sealing hermetically the bottles, an agitation device performing the rotation of the bottles and a cooling device for the bottles.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication de dispositifs semiconducteurs caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: élaboration d'un substrat semiconducteur, application audit substrat de vibrations sonores mettant en mouvement des billes disposées sur une première surface dudit substrat afin d'endommager ladite surface avec des défauts contrlés et reproductibles, soumission dudit substrat à au moins une étape a température élevée pour procéder à un traitement thermique de la seconde surface dudit substtat opposée à ladite première surface, choisi dans le groupe comprenant: l'oxydation, la diffusion et l'implantation ionique.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de neutralisation des effets stimulants des méthylxanthines dans une composition de denrée alimentaire contenant celles-ci, caractérisé par le fait que l'on ajoute à cette composition, comme antagoniste des méthylxanthines, au moins un dérivé de pyridine. 2,Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite composition est un café torréfié ou un extrait aqueux de celui-ci et que la méthylxanthine est la caféine. 3.- Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le café est partiellement décaféiné. 4.- Procédé selon l'une des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que le café est un café soluble0 5.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'antagoniste est l'acide nicotinique ou un sel de celui-ci. 6.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'antagoniste est la nicotinamide, la trigonelline, la pyridoxine, l'acide quinolinique, la 3-hydroxyméthylpyridine, un sel ou un mélange de ces corps, y compris les mélanges avec l'acide nicotinique. 7.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la quantité d'antagoniste ajoutée est suffisante pour neutraliser au moins partiellement les effets stimulants des méthylxanthines. 80- Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la composition est un mélange d'un café décaféiné et d'un café non décaféiné. 9.- Composition de denrée alimentaire contenant une méthylxanthine à effet stimulant, caractérisée en ce qu'elle contient au moins un dérivé de pyridine, antagoniste de cette méthylxanthine.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Procedure for neutralizing the stimulating effects of methylxanthines in a food composition containing them, characterized in that at least one derivative of pyridine is added as an antagonist of methylxanthines. 2.- Procedure according to claim 1, characterized in that the said composition is a roasted coffee or an aqueous extract thereof, and that the methylxanthine is caffeine. 3.- Procedure according to claim 2, characterized in that the coffee is partially decaffeinated. 4.- Procedure according to one of claims 2 and 3, characterized in that the coffee is a soluble coffee. 5.- Procedure according to one of claims 1 to 4, characterized in that the antagonist is nicotinic acid or its salt. 6.- Procedure according to one of claims 1 to 4, characterized in that the antagonist is nicotinamide, trigonelline, pyridoxine, quinolinic acid, 3-hydroxymethylpyridine, a salt or a mixture of these substances, including mixtures with nicotinic acid. 7.- Procedure according to one of claims 1 to 6, characterized in that the amount of antagonist added is sufficient to partially neutralize the stimulating effects of methylxanthines. 80.- Procedure according to one of claims 1 to 7, characterized in that the composition is a mixture of a decaffeinated coffee and a non-decaffeinated coffee. 9.- Food composition containing a methylxanthine with stimulating effect, characterized in that it contains at least one derivative of pyridine, an antagonist of this methylxanthine.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS IO/ Procèdé de fabrication industriel d'infusion de café à consommation différée, permettant de mettre à la disposition de l'usager un produit instanément prêt à l'emploi, équilibré et présentant toutes les qualités d'une extraction traditionnelle se caractérisant par un dosage des cafés d'origine diverses suivant leur teneur en acide caféique (CI8E808) afin de répartir les arômes volatils dans la proportion de 20% de grains à forte teneur et 60% à teneur moyenne et 20% en très faible teneur 20/ Procédé suivant la revendication I se caractérisant par la lente torréfaction du mélange à 200 par de l'air chaud 30/ Procédé suivant la revendication I se caractérisant par le fait que l'infusion s'effectue avec de l'eau pure de source ou avec de l'eau distillée portée å ébullition 40/ Procédé suivant la revendication I se caractérisant par le fait que l'infusion est brassée et malaxée å chaud par turbine très rapide et immédiatement mise en conditionnements étanches et hermétiques. 50/ Procédé de fabrication suivant la revendication I se caractérisant par le fait que l'infusion chaude conditionnée est réfrigérée et ramenée à une température de 2 à 30 au dessus de zéro.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS IO/ Industrial process for delayed coffee consumption infusion, allowing the user to have a product immediately ready to use, balanced and presenting all the qualities of a traditional extraction characterized by the dosage of different coffee origins according to their content in caffeic acid (CI8E808) in order to distribute the volatile aromas in the proportion of 20% of grains with high content, 60% with average content and 20% with low content 20/ Process according to requirement I characterized by the slow roasting of the mixture at 200°C with hot air 30/ Process according to requirement I characterized by the fact that the infusion is performed with pure source water or distilled water brought to boiling 40/ Process according to requirement I characterized by the fact that the infusion is brewed and agitated at high speed and immediately packaged in airtight and hermetic packaging. 50/ Process of manufacture according to requirement I characterized by the fact that the hot infusion conditioned is refrigerated and brought to a temperature above 0°C between 2 and 30.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de montage d'un composant semiconducteur actif sur un support dissipatif pour utilisation en hyperfréquence, ledit composant étant essentiellement constitué par une pastille de matériau semiconducteur, et ledit support comportant une plateforme saillante, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte au moins les étapes suivantes a) soudurc par thermocompression, sur ledit support, d'une plaquette de matériau semiconducteur possédant la même épaisseur et la même structure interne que ladite pastille, mais des dimen sions latérales plus grandes, en opérant de manière à recouvrir entièrement ladite plateforme ; b) attaque chimique de ladite plaquette en vue d'obtenir les dimensions latérales définitives de ladite pastille.\n<CLM>\1\tProcéda suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ladite plateforme ayant une section droite circulaire, ladite pastille est un parallélépipède rectangle ayant deux grandes faces carrées de côté égal au diamètre de ladite section.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que chacune desdites grandes faces de ladite pastille est revêtue d'une métallisation, ladite attaque chimique étant sélective et épargnant ladite métallisation.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte une étape supplémentaire consistant à traiter aux#ultrasons le composant obtenu à l'étape (b).\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit composant est une diode semiconductrice au silicium.\n<CLM>\1\tDispositif,caractérisé en ce qu'il est obtenu par un procédé suivant l'une des revendications précédentes.\n<CLM>\1\tEmetteur en ondes millimétriques, caractérisé en ce qu'il comporte une diode semiconductrice montée par un procédé suivant l'une des revendications 1 à 5.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS :\n<CLM>\1\tPate sérigraphiable conductrice, à déposer en couches épaisses sur un substrat semi-conducteur tel que du silicium, et constituée pour une part d'un matériau dit actif, tel qu'un métal finement divisé ou un mélange de plusieurs métaux permettant de rendre la pate conductrice, pour une autre part dtun matériau dit passif, tel qu'un verre de scellement, permettant de rendre les conducteurs solidaires du substrat et enfin d'un liant temporaire, à propriétés thixotropiques, approprié à la sérigraphie caractérisée en ce que verre de scellement est un verre de type court, à bas point de fusion consist#--nt essentiellement en oxydes de zinc, de bore, de silicium, de vanadium, de lithium, de calcium et d'aluminium, tels que les pourcentages molaires des constituants de départ soient compris dans la gamme suivante ZnO 40 à 65 % J3 203 15 à 50 % SiO2 O à 30 ss V205 3 à 20 % Li20 + CaO 1 à 10 % A1203 0 à 10 %\n<CLM>\1\tProcédé de préparation de couches conductrices épaisses sur un substrat semi-conducteur, à l'aide de la pate sérigraphiable selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on enduit ledit substrat semiconducteur, à travers un masque approprié et que, après un séchage préalable à une température voisine de 10000, le matériau obtenu est cuit à une température comprise entre 5000C et 80000.\n<CLM>\1\tProduit conducteur nouveau, obtenu par la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat semi-conducteur, recouvert d'une façon totale ou partielle d'une pâte conductrice, liée fortement audit substrat.\n<CLM>\1\tUtilisation du produit conducteur nouveau, selon la revendication 3, en tant que cellule solaire.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS :<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1, Procédé de décongélation de produits congelés ou suraelés, caractérisé en ce qu'on soumet lesdits produits à un rayonnement haute fréquence ou hyperfréquence et I une pulvérisation électrostatique de liquide cryogénique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise un rayonnement dont la fréquence est de l'ordre de plusieurs dizaines de mégahertz.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise un rayonnement dont la fréquence est de l'ordre de plusieurs milliers de megahertz.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le liquide cryogénique est de l'azote liquide.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le liquide cryogénique est du fréon R12.\n<CLM>\1\tDispositif mettant en oeuvre le procédé de la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend - un système de convoyage muni de moyens d'accrochage des produits a décongeler, - un générateur de rayonnement haute fréquence ou hyperfréquence, - des moyens pour appliquer sur le produit a décongeler ledit rayonnement, - des moyens de pulvérisation électrostatique d'un liquide cryo génique sur ledit produit.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le générateur de rayonnement est un oscillateur a tube, ou un magnétron ou un klystron.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que les moyens pour appliquer le rayonnement sur ledit produit sont un condensateur I armatures pleines ou à treillis, ou des électrodes à barreau, ou une cavité, ou un guide d'onde\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que les moyens pour pulvériser le liquide cryogénique comprennent : une source de liquide cryogénique, au oins un pulvérisateur électrostatique alimenté par cette source, un générateur de haute tension connecté entre ledit pulvérisateur et les moyens d'accrochage du produit.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé pour réaliser des configurations métalliques sur un substrat isolant, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: a) formation d'une couche de placage, c'est-à-dire susceptible d'être plaquée électrolytiquement, sur un substrat isolant, b) dépôt sur la couche de placage d'une mince couche d'un matériau non placable, c) formation d'un masque selon une configuration désirée sur la couche de matériau non placable, d) élimination des parties exposées de la couche non placable afin d'exposer les surfaces correspondantes de ladite couche de placage, et e) formation d'un dépôt métallique par électroplacage sur les surfaces exposées de ladite couche de placage. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce-que ladite couche de placage est maintenue sur le substrat au moyen d'une couche adhérente. 3.- Procédé selon la revendication 2 caractérisé en ce qu'on procède en outre à l'étape suivante: élimination du masque et des parties sous-jacentes des couches non placables, placables et adhérentes pour laisser une configuration conductrice désirée à la surface du substrat. 4.- Procédé selon la revendication 1, 2 ou 3 caractérisé en ce que ledit matériau non placable est un matériau diélectrique. 5.- Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce que ledit matériau diélectrique peut être constitue par du SiO2, du SiO, du Si3N4, de l'Al203, un silicate organique déposé par centrifugation ou un polymère. 6.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que ladite couche de placage peut être constituée par du Cr, du Ti, du Ta, du Nb, de l'Ai ou du Hf. 7.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 6 caractérise en ce que le film plaqué sur ladite couche de placage peut être constitué par l'un des matériaux suivants: Au, Cu, Ni, Ni-Fe, Pt, Pd, ou par des alliages de ces derniers avec d'autres métaux placables.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Procedure for realizing metallic configurations on an insulating substrate, characterized in that it comprises the following steps: a) formation of a plating layer, i.e., susceptible to be electroplated on an insulating substrate, b) deposition of a thin layer of a non-platable material on the plating layer, c) formation of a mask according to a desired configuration on the non-platable material layer, d) removal of the exposed parts of the non-platable layer to expose the corresponding surfaces of the plating layer, and e) formation of a metallic deposit by electroplating on the exposed surfaces of the plating layer. 2.- Procedure according to claim 1, characterized in that the plating layer is maintained on the substrate by an adhesive layer. 3.- Procedure according to claim 2 characterized in that the following step is also performed: removal of the mask and the underlying parts of the non-platable layers, platable layers, and adhesive layers to leave a desired conductive configuration on the surface of the substrate. 4.- Procedure according to claim 1, 2 or 3 characterized in that the non-platable material is an insulating material. 5.- Procedure according to claim 4 characterized in that the insulating material may be composed of SiO2, SiO, Si3N4, Al2O3, an organic inorganic silicate deposited by centrifugation or a polymer. 6.- Procedure according to one of the claims 1 to 5 characterized in that the plating layer may be composed of Cr, Ti, Ta, Nb, Al, or Hf. 7.- Procedure according to one of the claims 1 to 6 characterized in that the plating film on the plating layer may be composed of one of the following materials: Au, Cu, Ni, Ni-Fe, Pt, Pd, or alloys of these materials with other platable metals.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tAutoclave à marche discontinue pour la stérilisation de boîtes, pots de verre et autres récipients employés dans l'industrie des conserves, utilisant un système de chargement et de déchargement par couches, en particulier pour des opérations entièrement automatisées, caractérisé en ce qu'à l'intérieur de la cuve de 1' autoclave se trouve une plaque de support des récipients, de forme adaptée à la section interne de la cuve et pouvant être élevée et abaissée à volonté.\n<CLM>\1\tAutoclave suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ladite plaque peut être élevée et abaissée par paliers de hauteurs réglables à volonté. Autoclave suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'un organe élévateur, en particulier un cylindre empli d'un fluide sous pression, est relié au fond de la cuve de l'autoclave.\n<CLM>\1\tAutoclave suivant une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que plusieurs cuves d'autoclaves sont disposées en ligne, le bord de leur ouverture de remplissage se trouvant sensiblement dans le même plan horizontal qu'une surface commune de collecte et de transport des récipients.\n<CLM>\1\tAutoclave suivant la revendication 4, caractérisé en ce que les récipients sont, entre la surface de collecte et de transport d'une part, et la plaque de support d'autre part, déplacés, soit en bon ordre, soit en vrac, par des systèmes de préhension ou de poussée ou par des glissières.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S 1.- Procédé combiné de stockage et de production d'hydrogè- ne à partir d'une réserve d'hydrogène comprenant du borohydrure de lithium par décomposition d'au moins une partie dudit borohydrure en hydrogène et en une composition contenant du bore et de lthydrure de lithium, ledit procédé étant caractérisé en ce que la composition contenant du bore et de l'hydrure de lithium obtenue lors de la production d'hyrogène est hydrogénée pour recons- tituer au moins partiellement la réserve dthydrogène. 2.- Procédé selon la revendication 1, caraotérisé en ce que la production dthydrogène est effectuée à une température comprise entre 200 et 550 C et,de préférence,entre 350 et 4500C et à une pression inférieure ou égale à 100 bars et, de préférence, inférieure ou égale à 10 bars. 3.- Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la reconstitution de la réserve dthydrogène est effectuée à une température comprise entre 300 et 750 C et, de préférence,entre óOO et 6500C. 4.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la reconstitution de la réserve d'hydrogène est effectuée à une pression comprise entre 0,1 et 200 bars, de préférence, entre 1 et 200 bars et, de préférence encore, entre 100 et 160 bars. 5.- Application du procédé selon l'une des revendications 1 à 3 à la traction de véhicules à moteur. ~ 6.- Application selon la revendication 5, caractérisée en ce que le moteur du véhicule est un moteur à explosion. 7.- Application selon la revendication 4, caractérisée en ce que le moteur du véhicule est un moteur électrique alimenté par une pile à combustible.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATlONS 1.Dispositif permettant de signaler un accident dans la conservation d'un produit congelé,caractérisé par le fait qutun dépa ssement du seuil de température de sécurité entratne la fusion d'une pastille d'encre surgelée qui diffuse dans un support poreur blanc et lui communique irréversiblement une couleur qui témoigne de son réchauffement. 2.Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'encre sensible est répartie dans la masse du support poreux à la manière d'une micro-encapsulation, de sorte que tout réchauffement teinte le dit support. 3.Dispositif selon la revendication 1,caractérisé par le fait que l'encre sensible congelée est un batonnet logé dans un cylindre de matière poreuse blanche. 4.Dispositif selon la revendication 1,caractérisé par le fait que le solvant de l'encre spéciale est séparé du colorant et ne recompose l'encre qu'au moment de la fusion du dit solvant, la suite d'un réchauffement du produit auquel la vignette est associée.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1. Device for signaling a freezing accident in the preservation of a frozen product, characterized by the fact that a temperature exceeding the safety threshold causes the melting of a frozen ink pellet which diffuses into a porous white support and irreversibly imparts a color to it, indicating its heating. 2. Device according to claim 1, characterized by the fact that the sensitive ink is distributed in the porous support in the form of a micro-encapsulation, so that any heating colors the said support. 3. Device according to claim 1, characterized by the fact that the frozen sensitive ink is a rod inserted into a porous white cylindrical body. 4. Device according to claim 1, characterized by the fact that the special ink solvent is separated from the colorant and only recombines the ink when the said solvent is melted, following the heating of the product to which the label is associated.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S 1 - Support pour des éléments redresseurs, et en particulier, support de aiodes d'un pont redresseur destiné à coopérer avec un alternateur tel que ceux utilisés sur les véhicules automobiles, ce support se composant d'au moins une plaquette extérieure à l'alternateur et solidaire de ce dernier, ladite plaquette supportant par son âme au moins un élément redresseur, caractérisé par le fait que l'âme de la plaquette présente une pluralité de crevés obtenus par une perforation telle que la matière arrachée se développe sous la forme d'ailes destinées à améliorer ltévacuation des calories dégagées par les éléments redresseurs en cours de fonctionnement. 2 - Support selon la revendication 1, caractérisé par le fait que les crevés sont pratiqués dans une zone adjacente à la zone de l'âme de la plaquette supportant les éléments redresseurs, chaque crevé étant de préférence de forme rectangulaire et étant orienté, relativement à l'élément redresseur le plus voisin supporté par la plaquette, de sorte que son axe de symétrie parallèle aux grands côtés du rectangle passe sensiblement par le centre dudit élément redresseur. 3 - Alternateur destiné en particulier à l'alimentation des véhicules automobiles, caractérisé par le fait qu'il est associé à un support défini aux revendications 1 et 2.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tComposition comprenànt de l'acide propionique et au moins um acide minéral choisi parmi l'acide chlorhydrique, l'acide sulfurique et l'acide phosphorique0\n<CLM>\1\tComposition selon la revendication 1, caractérisée en ce que cette composition contient au moins 50 % en poids d'acide propionique0\n<CLM>\1\tComposition selon la revendication 2 caractérisée en ce que cette composition contient au moins 60 % en poids d'acide propionique\n<CLM>\1\tComposition selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que cette composition contient de 5 à 50 % en poids de l'acide minéral.\n<CLM>\1\tComposition selon la revendication 4, caractérisée en ce que cette composition contient de 10 à 25 % en poids de l'acide minéral0\n<CLM>\1\tComposition selon l'une quelccnque des revendications précédentes, caractérisée en ce que cette composition contient de O à 40 % en poids d'eau.\n<CLM>\1\tComposition selon la revendication 6, caractérisée en ce que cette composition contient de 5 à 30 % en poids d'eau.\n<CLM>\1\tProcédé pour conserver des substrats (notamment des récoltes agricoles et des aliments pour des animaux), ce procédé étant caractérisé en ce qu'on traite le substrat par une composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 7o\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'on utilise pour traiter le substrat 0,1 à 5 % de la composition liquide par rapport au poids du substrat0<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tSéchoir à fluence de produit fluant, en par ticulier de grain , comprenant une zone de réchauffage, une zone de séchage et une zone de refroidissement, les zones de séchage et de refroidissement du produit étant alimentées en air réchauffé et en air refroidi, l'air réchauffé pénétrant dans les couches fluentes du produit, s'y enrichissant en humidité pour être ensuite évacué par aspiration, tandis que l'air refroidi produit un abaissement de la température du produit dans- la zone correspondante, séchoir caractérisé en ce que l'air nécessaire à la totalité du séchage du produit traité (22) passe dans un circuit fermé dans lequel se trouve la zone de séchage (4) du séchoir (1) et une pompe à chaleur de réchauffage de l'air destiné au séchage comprend un circuit réfrigérant dont le condenseur (17) assure le réchauffage de l'air et l'évaporateur (19) est destiné à la récuse ration de la chaleur de l'air sortant de la zone de séchage. 2, Séchoir selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone de réchauffage (3) loge un échangeur de chaleur (7) dans lequel passe la vapeur de l'agent réfrigérant sortant de l'évaporateur (19) et ayant passé dans le compresseur (16) du circuit correspondant.\n<CLM>\1\tSéchoir selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone de refroidissement (5) est également disposée sur le circuit de l'air, l'évaporateur (19) du circuit du fluide réfrigérant abaissant la témpérature de l'air entrant dans la zone de refroidissement.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1, Procédé de montage d'une diode électroluminescente sur un cable plat et souple, la diode comportant des électrodes sur ses c8tés opposés, et le cable comprenant un support isolant souple dont une première face comporte un conducteur métallique, le procédé étant caractérisé en ce qutil consiste à réaliser dans le conducteur métallique (14) et dans le support (12) un trou (20) de largeur inférieure à celle de la diode (26), de manière à ouvrir le circuit électrique du conducteur, à introduire la diode (26) dans le trou (20) de manière que le conducteur métallique (14) porte étroitement sur ses côtés opposés et l'immobilise en établissant des connexions électriques avec ses électrodes.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qutil consiste également à enrober la diode (26) dans une substance transparente (32).\n<CLM>\1\tAssemblage dtune diode électroluminescente comportant des électrodes sur ses c8tés opposés, et d'un câble plat et souple comprenant un support isolant souple dont une face comporte un circuit métallique, l'assemblage étant caractérisé en ce que la diode (26) est introduite dans un trou (20) traversant le circuit (14) et le support (12), de manière à ouvrir le circuit, les cotés de ce dernier immobilisant la diode (26) en établissant des connexions électriques avec ses électrodes.\n<CLM>\1\tAssemblage selon la revendication 3, caractérisé en ce que la diode (26) est enrobée dans une matière transparente (32).<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: -REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tAgent possédant une activité pharmaceutique et/ou anti-microbienne,caractérisd en ce qu'il contient de l'acide glucarique et/ou au moins un de ses dérivés physiologiquement compatibles,éventuellement dans un véhicule usuel, physiologiquement compatible. 2.4gent selon la revendication 1,caractérisé en ce qu'il contientncomme dérivés de l'acide glucarique,ses sels, esters,amide d'acide et/ou la glucarolactone.\n<CLM>\1\tAgent selon l'une des revendications 1 ou 2,caractérisé en ce qu'il contient l'acide glucarique et/ou un de ses dérivés en une quantité allant de 0,01 à 20,de préférence de 0,5 à lO,avantageusement de 1 à 5% en poids.\n<CLM>\1\tAgent selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il contient en outre de l'acide salicylique et/ou au moins un dérivé de l'acide salicylique. 5.Agent selon la revendication 4,caractérisé en ce qu'il contient l'acide salicylique et/ou un de ses dérivés en une quantité de 0,01 à 2g, de préférence de 0,1 à lg par gramme d'acide glucarique et/ou d'un de ses dérivés.\n<CLM>\1\tAgent selon l'une quelconque des revendications 1 à 5,caractérisé en ce qu'il contient en outre de la vitamine B12 et/ou de l'acide ascorbique.\n<CLM>\1\tAgent selon la revendication 6,caractérisé en ce qu'il contient la vitamine B12 en une quantité de 5 à 1000 par gramme d'acide glucarique etZou d'un de ses dérivés,et/ou l'acide ascorbique en une quantité de 0,01 à 2 g par gramme d'acide glucarique et/ou d'un de ses dérivés.<\|EOS\|><\|BOS\|>-REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Composant semi-conducteul de puissance comprenant un cristal semi-conducteur disposé sur une plaque de base et des conducteurs de connexion qui sont connectés à des zones de contact du cristal semi-conducteur, composant caractérisé en ce que les conducteurs de connexion font saillie sur la face de la plaque de base sur laellele cristal semi-conducteur est placé, un couvercle que traversent Les Conducteurs de connexion étant placé sur le cristal semi-conducteur. 2 - Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que la plaque de base comporte un collier qui entoure annulairement la région de la plaque de base destinée à recevoir le cristal semi-conducteur, le couvercle fermant le volume délimité par le collier 3 - Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que le bord du colliereloigne de la plaque de base comporte une rebord dirigé vers l'intérieur. 4 - Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit couvercle est en matière plastique ou en verre coulé autour des conducteurs de connexion et du cristal semi-conducteur. 5 - Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que le bord du colliereloigne de la plaque de base comporte un épaulement sur lequel repose le bord d'un disque remplissant la fonction dlun couvercle et que traversent les conducteurs de connexion. 6 - Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte un logement dans la plaque de base pour recevoir le cristal semi-conducteur. 7 - Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la plaque de base a la forme d'un losange aux angles arrondis. 8 - Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que ta plaque de base est en aluminium revêtu d'un métal soudable.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1 - A power semiconductor component comprising a semiconductor crystal disposed on a base plate and connection conductors connected to contact regions of the semiconductor crystal, the component characterized in that the connection conductors project beyond the base plate surface on the semiconductor crystal, the semiconductor crystal being placed on the base plate, a cover that passes through the connection conductors being placed on the semiconductor crystal. 2 - Component according to claim 1, characterized in that the base plate comprises a collar that surrounds the region of the base plate intended to receive the semiconductor crystal, the cover closing the volume delimited by the collar. 3 - Component according to claim 2, characterized in that the edge of the collar is away from the base plate and has a protrusion directed towards the interior. 4 - Component according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the said cover is made of plastic or glass poured around the connection conductors and the semiconductor crystal. 5 - Component according to claim 2, characterized in that the edge of the collar is away from the base plate and has a groove on which the edge of a disc filling the function of the cover rests, and the connection conductors pass through this groove. 6 - Component according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it comprises a housing in the base plate to receive the semiconductor crystal. 7 - Component according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the base plate has the shape of a rhombus with rounded corners. 8 - Component according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the base plate is made of aluminum coated with a solderable metal.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tEmbase support avec connexion isolée par traversée à scellement verre-métal, le scellement étant réalisé à la périphérie d'une perle de verre en vis à vis des parois d'un logement percé dans le métal du support et au centre de la perle où passe la connexion, caractérisée en ce que ledit logement (6) comporte à une extrémité une butée (5) de faible épaisseur qui détermine la position en retrait d'une surface de la perle de verre (2j par rapport à la surface avoisinante de ladite embase support (1), la distance séparant l'ex- trémité d'avancée de la butée (5) de la surface de ladite connexion isolée (3) étant déterminée par la valeur de la tension de rigidité admissible\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une embase support suivant la rea- lisation, caractérisé en ce que ledite embase (1), la perle de verre (2) et la connexion électrique (3) sont positionnées sur un gabarit (4) dans lequel les trous de guidage (7) desdites connexions iso lées (3) sont disposés coaxiallement à l'intérieur d'un évidement(8) de faible profondeur et de surface supérieure à celle du logement(6) de la perle de verre correspondante, le matériau du gabarit étant d'une nature indifférente.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S ONS\n<CLM>\1\tRadiateur pour semicorducteur caractérisé en ce qu'il comporte un emplacement de fixation (14) pour la matrice du semi-conducteur (22) cet emplacement se composant d'un réseau de bossages (16) de hauteur uniforme pour maintenir le semloconducteur (22) à une hauteur uniforme au dessus parallélement au radiateur (10) pendant la réalisation de la liaison,\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend, en outre une soudure (24) entourant les bossages (16) pour lier le semi-conducteur (22) au radiateur (10),,\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que le réseau de bossages (16) présente un espacement entre les bossages adjacents, de l'ordre de 0::8 mm et la hauteur des bossages (16) est de l'ordre de 75 microns\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que les bossages (16) ont des parties supérieures arrondies\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 2 caractérisé en ce que la soudure (24) est à base de plomb.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte un emplacement (14) pour la fixation d'une matrice d'un semi-conducteur (228. cet emplacement se composant d'un réseau de pyramides (16) de hauteur uniforme pour maintenir le semi-conducteur (22) a, une hauteur uniforme parallélement au radiateur (10)- pendant la réalisation de la liaison\n<CLM>\1\tRadiateur caractérisé en ce que l'emplacement (14) de liaison pour monter le semi-conducteur(22) comporte un réseau de pyramides (16) de hauteur uniforme pour maintenir le semi-conducteur (22) à hauteur uniforme parallélement au radiateur (10) pendant la réalisation de la liaison.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: RIVINDICATIONS l. Dispositif à semi-conducteur, comportant au moins un lément somi-conducteur, muni de bornes de sortie et de rubans métalliques disposés sur un film polyimide souple, caractérisé en ce que l'élément semi-conducteur est soudé directement sur une face du film polyimide souple, alors que les rubans métalliques sont disposés sur l'autre face de ce même film, et en ce que la connexion entre les bornes de sortie de l'élément semi-conducteur et lesdits rubans métalliques s'effectue par l'intermédiaire de trous préalablement métallisés dans ledit film polyimide,\n<CLM>\1\tDispositif à semi-conducteur, selon la revendication l, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs éléments semi-conducteurs montés sur un même film polyimide souple.\n<CLM>\1\tDispositif à semi-conducteur, selon la revendication 2, caractérisé en ce que les rubans métalliques disposés sur le film polyimide souple réalisent l'interconnexion d'éléments semi-conducteurs,\n<CLM>\1\tDispositif à semi-conducteur, selon l'une des re vendications 1, 2 ou 3, caractérisé on ce qu'il comporte plusieurs filas polyimido souples superposés, des connexions pouvant être réalisées entre des éléments semi-conducteurs montés sur dos films différents.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé permettant la longue conservation de produits alimentaires, de denrées périssables et de tous produits d'origine biologique, procédé caractérisé par le fait qu'il consiste à placer le ou les produits à conserver dans une enceinte hermétiquement fermée, à créer un certain vide dans cette dernière, correspondant à x millibars, à remplacer progressivement une fraction seulement du volume du milieu évacué par de l'air humide purifié de manière à ramener le vide à une valeur de z millibars (\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le degré hygrométrique de l'air admis est maintenu au-dessus de 80 %. 3 Appareil pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il comprend (a) une enceinte munie d'un moyen de fermeture étanche, de deux tubulures, l'une branchée sur une pompe à vide de type courant, l'autre branchée sur un moyen d'admission d'air humide, enceinte réalisée de façon générale pour supporter le vide ; (b) d'une chambre dont la température de l'atmosphère interne peut être réglée dans une gamme de valeurs désirées et dans laquelle est logée l'enceinte ci-dessus et (c) des moyens d'ouverture et de fermeture automatiques fonction de la pression des conduites d'admission et d'évacuation.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>

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