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<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant à semiconducteurs avec un corps semiconducteur, fixé par soudage par immersion sur un corps de base métallique, caractérisé par le fait qu'avant le soudage, le voisinage de l'emplacement de la soudure 5 sur le corps de base est recouvert d'une feuille présentant une ouverture, constituée d'un matériau ductile non mouillable par la soudure en fusion, et pressée sur le corps de base à l'aide d'un tampon, de telle façon que l'ouverture se trouve au-dessus du point de soudure. 10\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on utilise une feuille d'aluminium.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on utilise un tampon en caoutchouc.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 70 00385 3 2077476 gEVEKDICATIOKS\n<CLM>\1\tProcédé permettant le dépôt sur une structure d'une couche protectrice d'oxyde ayant une forme prédéterminée, caractérisé par les étapes suivantes : a) dépôt sur la surface à protéger localement d'un matériau mé-5 tallique facilement oxydable, dont l'oxyde a une grande résistance aux agents chimiques ; b) r^épÔt sur ladite couche d'un masque d'un matériau difficilement oxydable laissant à nu les parties de la surface oh doit être réalisée la couche protectrice ; 10 c) traitement thermique d'oxydation, à la suite duquel les parties de ladite couche métallique laissées à nu par ledit masque se transforment en l'oxyde dudit métal ; d) retrait de la partie restante de ladite couche métallique.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce 15 que le corps difficilpment oxydable est le tantale, le substrat étant une plaque de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que le masque est fait d'aluminium.\n<CLM>\1\tStructure comportant une couche de protection réalisée 20 suivant une dee revendications 1, 2 et\n<CLM>\1\tuRiGlNAL !<\|EOS\|><\|BOS\|>70 00385 3 2077476 gEVEKDICATIOKS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tComposition déshydratée instantanément soluble ou microdispersable d l'eau, caracbsrisée en ce qn'ele est obtenue en soumettant sous vide et à un champ hyperfréquentiel un extrait végétal liquide ou broyé et rendu visqueux Jusqu'à une teneur en matière sèche supé rieurs ou égale à 45 en poids, grâce à un glucide éventuellement associé à un polymère hydrophile.\n<CLM>\1\tComposition déshydratée selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle contient, d'une part,au moins 10% en poids d'un extrait végétal et, d'autre part, au plus 90 % en poids d!un ensemble d'agent épaississant comprenant au moins un glucide et, éventuellement, des polymères hydrophiles.\n<CLM>\1\tComposition selon la revendication 2, caractérisée en ce que l'extrait végétal est un Jus ou un broyat de fruit.\n<CLM>\1\tComposition selon la revendication 3, caractérisée en ce que le fruit est la fraise, la framboise, le cassis, le citron, l'orange, le pamplemousse, la mandarine, la clémentine. 5.. Composition selon la revendication 2, caractérisée en ce que l'extrait végétal est une huile essentielle végétale.\n<CLM>\1\tComposition selon la revendication 5, caractérisé en ce que 11 huile essentielle est une essence anisée, une essence de menthe, de camomille, de mélisse, de verveine ou de tilleul.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/ - Procédé de préparation de support de croissance épitaxiale en vue d'un dépôt de silicium et/ou de carbure de silicium sur une plaquette, ce dépôt étant obtenu en disposant cette plaquette sur ce support, nommé suscepteur que l'on introduit dans une enceinte que l'on chauffe et que l'on fait parcourir par un flux gazeux contenant un gaz apte à fournir, par pyrolyse du silicium et/ou du carbure de silicium, procédé caractérisé en ce que, avant l'introduction du suscepteur dans ladite enceinte on colle une feuille de graphite sur sa surface, sauf à l'emplacement de ladite plaquette, la colle utilisée à cet effet étant constituée d'une résine hydrocarbonée apte à se carboniser à la température de pyrolyse dudit gaz en se transformant en une couche friable. 2/ - Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite colle est o'un type apte à devenir collante lorsqu'elle est humidifiée. 3/ - Procédé selon la revendication 1, dans lequel on laisse entre le bord de ladite plaquette et le bord en regard de ladite feuille de graphite. un intervalle inférieur à 1 mm. 4/ - Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite feuille de graphite est une feuille laminée.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1/ - Process for preparing a growth support substrate for the deposition of silicon and/or silicon carbide on a sheet, the deposition being obtained by placing this sheet on the said support, named susceptor, which is introduced into a chamber that is heated and that is passed by a gaseous flow containing a gas suitable to provide, by pyrolysis of silicon and/or silicon carbide, a process characterized in that, before introducing the susceptor into the said chamber, a graphite sheet is adhered to its surface, except at the location of said sheet, the adhesive used for this purpose being composed of a hydrocarbon resin suitable to carbonize at the pyrolysis temperature of said gas and to transform into a friable layer. 2/ - Process according to claim 1, in which the adhesive is a type suitable to become adhesive when it is humidified. 3/ - Process according to claim 1, in which an interval is left between the edge of said sheet and the edge facing said graphite sheet, inferior to 1 mm. 4/ - Process according to claim 1, in which the graphite sheet is a laminated sheet.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: -REVENXICAXIONS\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un dispositif semiconducteur possédant au moins une jonction interne entre deux zones de conductivités opposées et présentant un claquage par avalanche, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes principales suivantes opérées successivement à partir d'une plaquette semiconductrice de type P+ (ou N+Y très dopée a) épitaxie P (ou N) peu dopée sur une face de la plaquette, b) diffusion P+ (ou N+) très dopée et localisée à une zone déli mitée de la couche épitaxiale précédente, c) épitaxie N (ou P) peu dopée sur les couches précitée, d) diffusion N+ (ou P+) très dopée pour prise de contact ohmique, e) délimitation de la j onction par attaque chimique de manière à ohtenir, entourant une zone centrale NP+ (ou PN+), une zone annulaire NP (ou PN) délimitée et un profil de surface incline.\n<CLM>\1\tSemiconducteur comportant au moins une jonction interne entre deux zones de conductivits opposées et présentant un claquage par avalanche, caractérisé en ce qu'il comporte, sur une plaquette semiconductrice de type P+ (ou N+) très dopée, une couche annulaire P (ou N) peu dopée ayant un profil de surface incliné etsentourant une couche centrale P+ (ou N+ > très dopée puis une couche N (ou P) peu dopée surmontée d7lne couche N+ (ou P+) permettant une prise de contact ohmique.\n<CLM>\1\tSemiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la resistivité des régions P+ (ou N+) est de 5-10-3 ohm-cm environ, celle des régions P (ou N) et N (ou P) de 0,i à 1 ohm-cm environ pour.une zone P et de 0,1 à 100 ohm-cm pour une zone N, ces dernises régions ayant une épaisseur de couche de 4 à 10 microns.\n<CLM>\1\tBemiconducteur réalisé selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que le matériau utilisé est du silicium.<\|EOS\|><\|BOS\|>-REVENXICAXIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Dispositif à semi-conducteurs, comprenant des éléments semi-conducteurs qui sont disposés les uns à côté des autres, par exemple des diodes ou des thyristors, qui sont fixés sur des radiateurs creux traversés par un écoulement de liquide de refroidissement 5 lesdits radiateurs étant reliés les uns aux autres par des canalisations souples de liaison qui permettent le passage du liquide de refroidissement et assurent l'isolement électrique entre lesdits radiateurs, caractérisé en ce que chaque canalisation de liaison est constituée par un tube en un matériau inorganique isolant, par exemple 10 en un.matériau céramique tel que la porcelaine, et par des soufflets en un matériau métallique qui sont fixés aux deux extrémités du tube précité. 2.- Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que les soufflets de la canalisation de liaison 15 sont incurvés dans la direction de passage du fluide de refroidissement .\n<CLM>\1\t- Dispositif à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il s'agit d'un système redresseur comprenant plusieurs éléments semi-conducteurs à refrGi- 20 dissement bilatéral, qui sont placés essentiellement dans le même plan, les radiateurs et les canalisations de liaison entre ceux-ci se trouvant sur l'un des côtés des éléments semi-conducteurs, alors que ceux-ci coopèrent, de l'autre côté, avec un système commun de refroidissement ayant la forme d'un rail creux qui est traversé par 25 un liquide de refroidissement, eten ce qu'il est prévu, pour chaque élément semi-conducteur, un organe de serrage qui tend à presser l'un contre l'autre le radiateur de l'élément semi-conducteur et le rail de refroidissement. 'i<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1o Procédé pour incorporer par diffusion ou par alliage une substance étrangère dans un corps semi-conducteur, plus particulièrement en silicium ou en germanium, par chauffage du corps semi-conducteur et de la substance étrangère dans 5 une enceinte de traitement fermée, en présence d'un catalyseur accélérant la formation d'hydrogène moléculaire à partir d'un hydrogène atomique, caractérisé par le fait que le catalyseur est introduit dans•1'enceinte de traitement avant chauffage à la température de diffusion ou d'alliage et avant fermeture de 10 celle-ci.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le catalyseur introduit dans l'enceinte de trai tement est formé par une substance donnant des ions de plomb bivalents. 15\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la surface d'un corps situé dans l'enceinte de traitement et/ou la surface intérieure de celle-ci sont mouillées avec un liquide contenant des ions de plomb bivalents et qui est évaporé avant fermeture de ladite enceinte. 20\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on dépose dans l'enceinte de traitement un corps mouillé avec un liquide contenant des ions bivalents de plomb et qui est évaporé avant fermeture de ladite enceinte.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 3 ou la revendi- 25 cation 4, caractérisé par le fait qu'on utilise un liquide de mouillage contenant 10 à 30 p- grammes d'ions bivalents de plomb par millilitre.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 5, caractérisé par le fait qu'on utilise comme liquide de mouillage de l'eau 30 ou de l'alcool avec de l'acétate de plomb, du chlorure de plomb ou du nitrate de plomb dissous.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS:\n<CLM>\1\tDispositif permettant le refroidissement de corps semiconducteurs comportant au moins un redresseur commandé ou non, qui est pressé entre des corps de refroidissement, ce 5 dispositif de refroidissement étant caractérisé en ce que le ou les redresseur(s) commandé(s) ou non sont insérés entre deux plaques à conductibilité thermique qui sont munies d'un canal pour le refroidissement par liquide, ces plaques de refroidissement sont entourées par un support prismatique 10 creûx, alors que dans le support prismatique sont également prévus des organes de pression pour presser le ou les redresseur (s) entre les plaques de refroidissement.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que entre les plaques de refroidissement et la paroi du 15 support prismatique se trouve une plaque de matériau isolant du point de vue électrique.- 3« Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'organe de pression est constitué par une plaque placée entre une des plaques de refroidissement et la paroi 20 du support, qui présente des ouvertures munies d'un filetage dans lesquelles sont placés des écrous qui sont ajustables de 1'extérieur du support.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS:<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé permettant de profiler un corps semiconducteur par mcu sure sélective en utilisant .in agent de morsure alcalin, ce procédé étant caractérisé en ce que lTon forme sur la 5 surface du corps un motif de masquage constitué d'un film mince de zirconium et une couche d'oxyde de zirconium sur-jacente, la surface masquée étant alors exposée à une solution alcaline chaude. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en 10 ce que le motif de masquage est formé en mettant en oeuvre un stade de masquage par une réserve photosensible et un stade de morsure. 3.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le zirconium est déposé à l'aide d'un système hautement 15 énergétique. 4.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'agent de morsure anisotropique est un agent choisi parmi le groupe formé par les solutions aqueuses d'hydroxydœ de sodium, de potassium, de lithium, de césium et de rubidium.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Procedure allowing to profile a semiconductor body by selective mcu using an alkaline agent, this procedure being characterized in that the ton forms on the 5 surface of the body a masking pattern consisting of a thin layer of zirconium and a zirconium oxide layer adjacent, the masked surface being then exposed to a hot alkaline solution. 2.- Procedure according to claim 1, characterized in that the masking pattern is formed by implementing a photosensitive stage and a stage of biting. 3.- Procedure according to claim 1, characterized in that the zirconium is deposited using a highly energetic system. 4.- Procedure according to claim 1, characterized in that the anisotropic biting agent is an agent chosen from the group consisting of aqueous solutions of sodium hydroxide, potassium, lithium, cesium and rubidium.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tMémoire permanente intégrée constituée par plusieurs éléments de mémoire, caractérisée par le fait que chaque élément de mémoire est constitué par une diode, en particulier une diode de Schottky, et que des canaux fortement dopés sont prévus dans la zone semiconductrice pour alimenter électriquement une zone semiconductrice des diodes»\n<CLM>\1\tMémoire suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que les canaux fortement dopés sont constitués par des couches enrobées.\n<CLM>\1\tMémoire suivant l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée par le fait que des parois isolantes sont prévues entre les colonnes ou les lignes d'éléments de mémoire.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransistor amplificateur de courant ayant en configuration base électrode commune un facteur d'amplification a supérieur ou égal à l'unité, ledit transistor étant caractérisé en ce qu'il 5 comprend une première région d'un premier type de conductivité, une seconde région d'un second type de conductivité formée dans la première région à partir de l'un de ses côtés, une troisième région du second type de conductivité formée dans la première région à partir de son autre côté, une quatrième région du premier 10 type de conductivité formée dans la troisième région du côté opposé à la seconde région, la concentration en impureté de la seconde région étant suffisamment plus grande que celle de la première, la concentration en impureté de la quatrième région étant suffisamment plus grande que celle de la troisième, la concen- 15 tration en impureté de la troisième région étant supérieure à 18 3 10 atomes/cm , les largeurs des première et troisième régions étant suffisamment petites devant les longueurs de diffusion des porteurs minoritaires dans ces mêmes zones, et enfin des électrodes de base, d'émetteur et de collecteur étant respectivement reliées 20 à la première, à la seconde et à la quatrième régions.\n<CLM>\1\tTransistor selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première région est un substrat semi-conducteur, les seconde et troisième régions étant formées par un premier traitement d'alliage à partir du substrat semi-conducteur et la quatrième 25 région étant une zone recristallisée formée par un second traitement d'alliage dans la zone recristallisée qui constitue la troisième région.\n<CLM>\1\tTransistor selon la revendication 1, caractérisé par une distribution en gradins de la concentration des impuretés au 30 moins dans les seconde et troisième régions.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: Revendications\n<CLM>\1\tDiode Zener, caractérisée en ce que la pastille semiconductrice comporte des centres de recombinaison.\n<CLM>\1\tDiode Zener selon revendication, caractérisée en ce que les centres de recombinaison sont présents au voisinage de la jonction pn.\n<CLM>\1\tDiode Zener selon revendication 1 ou 2, caractérisée par le fonctionnement dans la région d'avalanche.\n<CLM>\1\tProcédé pour la production d'une diode Zener selon une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que des impuretés sont introduites dans la pastille semiconductrice pour produire des centres de recombinaison.\n<CLM>\1\tProcédé selon revendication 4, caractérisé en ce que les impuretés créant des centres de recombinaison sont introduites par diffusion dans la pastille semiconductrice.\n<CLM>\1\tProcédé selon revendication 5, caractérisé par le dépôt sur la pastille semiconductrice d'une couche constituée par des impuretés formant des centres de recombinaison, lesdites impuretés diffusant dans la pas-tille semiconductrice, à partir de cette couche.\n<CLM>\1\tProcédé selon une quelconque des revendications 4 à 6, caractérisé par l'emploi d'or ou de cuivre comme impureté produisant des centres de recombinaison.<\|EOS\|><\|BOS\|>Claims<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur avec un boîtier en forme de coupelle comportant un fond, une paroi latérale et un couvercle, renfermant le composant à semiconducteur, avec une électrode d'alimentation qui est introduite sous isolement 5 électrique à l'intérieur du couvercle et, avec un revêtement en matière plastique sur le couvercle, par l'intermédiaire duquel l'élément à semiconducteur est enfermé de façon étanche au gaz, caractérisé par le fait que le couvercle (9) est muni d'une partie formant paroi (15) entourant l'élément à semi-10 conducteur (5) que cette partie formant paroi (15) repose sur le fond (2) du boîtier et est réalisée à cet endroit sous la forme d'une surface d'étanchéité (12),-et que des moyens sont prévus qui pressent la surface d'étanchéité (12) contre le fond (2) 15\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur suivant la revendica tion 1, caractérisé par le fait que les moyens de pression sont constitués par des griffes (10) prévues sur la paroi du boîtier (3)«\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur suivant la revendica-20 tion 1, caractérisé par le fait que le couvercle (9) et la partie formant paroi (15) du couvercle sont constitués par une matière plastique électriquement isolante.\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur suivant l'une des revendications 1, 2 ou 3» caractérisé par le fait qu'un 25 ressort (8) est placé entre le couvercle (9) et l'électrode (6), ce ressort prenant appui sur le couvercle et pressant l'électrode (6) et l'élément à semiconducteur (5) contre le fond (2) du boîtier.\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur suivant la revendica-30 tion 2, caractérisé par le fait que les griffes (10) présentent des surfaces contactant la surface du couvercle (9), et qui sont au moins approximativement parallèles à la surface du couvercle (9) tandis que le diamètre extérieur du couvercle (9) est inférieur au diamètre intérieur de la paroi du boîtier (3)«<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour améliorer l'adhérence d'un verre à une couche d'or, caractérisé par le dépôt d'une couche d'un métal choisi dans le groupe constitué par le tantale, le niobium, le zirconium, le titane et l'hafnium sur la couche d'or, le chauffage du métal dans une atmosphère oxydante pour convertir le métal en oxyde du métal et le dépôt d'une couche de verre sur cet oxyde.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal est du tantale.\n<CLM>\1\tProcédé selon revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le métal est déposé en couche d'une épaisseur d'environ 100 à 1000 A\n<CLM>\1\tProcédé pour améliorer l'adhérence d'un verre à une couche d'or, caractérisé par le dépôt d'une couche d'un métal choisi dans le groupe constitué par le tantale, le niobium, le zirconium, l'hafnium et le titane sur une couche d'or, la formation d'ouvertures prédéterminées dans la couche de métal pour exposer la couche d'or, le chauffage du métal dans une atmosphère oxydante pour la conversion du métal en oxyde du métal, le dépôt d'une couche de verre sur la couche d'oxyde du métal et sur la surface exposée de l'or, la formation par gravure d'ouvertures dans la couche de verre pour exposerlaswface prdcéemment exposée de l'or, et le dépôt d'un métal dans les ouvertures sur la surface exposée de l'or.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de préparation d'une tranche de semiconducteur mince, comprenant les étapes qui consistent à déposer une pellicule épitaxiale de matière semi-conductrice sur un substrat semi-conducteur et à soumettre ensuite l'ensemble résultant à une dissolution électrochimique aboutissant à la dissolution du substrat, caractérisé en ce qu'on forme au moins une partie discrète de conductivité différente de celle de la pellicule épitaxiale dans cette dernière en implantant dans la pellicule des ions de conductivité désirée avant la dissolution éleetrochimique du substrat et en ce qu'on traite thermiquement la pellicule implantée d'ions après la dissolution pour activer ainsi les ions implantés, 2.- Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la matière semi-conductrice est du silicium de type n et en ce qu'on choisit la partie discrète dans le groupe comprenant le silicium n+, le silicium de type p ou des mélanges de ces matières-.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Preparation procedure of a thin semiconductor slice comprising the steps consisting in depositing a epitaxial layer of semiconductor material on a semiconductor substrate and then subjecting the resulting composite to an electrochemical dissolution resulting in the dissolution of the substrate, characterized in that at least one discrete part of different conductivity is formed in the latter, by implanting desired conductivity ions into the epitaxial layer before the electrochemical dissolution of the substrate, and in that the implanted ions are thermally treated after dissolution to activate thus the implanted ions, 2.- Procedure according to claim 1, characterized in that the semiconductor material is silicon of type n and in that the discrete part is selected from the group comprising silicon n+, silicon of type p or mixtures of these materials.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 71 28584 2102145 RETEÏÏBIOATIOÏS 1•- Procédé pour la fabrication de redresseurs à haute tension pour faibles courants, selon lequel les diodes à semi-conduc- teurs individuelles sont pourvues de coudas»de contact, empilées les unes sur les autres et soudées entre elles, caractérisé en ce que 5 l'empilage de diodes à semi-conducteurs, une fois soudé, est frac- .que tioirné perpendiculairement aux diodes individuelles, et/Tës-fractions d'empilage ainsi obtenues sont ensuite pourvues de pièces de contact et décapées chimiquement. 2.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que 10 pour le soudage des diodes individuelles, on utilise une soudure molle, de préférence une soudure de plomb et d'argent 3.- Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que,pour fractionner 1'empilage de diodes à semi-conducteurs, après soudage, on utilise une scie à grille oscillante ou une scie à grille de fils métalliques.<\|EOS\|><\|BOS\|>71 28584 2102145 RETEÏÏBIOATIOÏS 1•- Process for the manufacture of high-voltage rectifiers for low currents, according to which individual semiconductor diodes are provided with contact tabs, stacked one on top of the other and soldered together, characterized in that 5 the stack of semiconductor diodes, once soldered, is fractured perpendicularly to the individual diodes, and the resulting fractions of the stack are then provided with contact pieces and chemically etched. 2.- Process according to claim 1 characterized in that 10 for the soldering of individual diodes, a soft solder, preferably a lead and silver solder, is used. 3.- Process according to claim 1 or 2 characterized in that 3 for fragmenting the stack of semiconductor diodes, after soldering, a grid saw or a metal wire grid saw is used.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS T. Transistor planar au silicium comportant un cristal de silicium dopé servant de collecteur, une base formée par diffusion et munie d'un contact en aluminium et un émetteur 5 formé par diffusion daii" la base et muni d'un contact en aluminium et dont la surface est recouverte d'une couche d'oxyde en dehors des endroits où sont placés les contacts de base et d'émetteur caractérisé par le fait qu'une couche de siliciure de platine ou de palladium est prévue entre les contacts en 10 aluminium de lr, zone de l'émetteur et de la base du cristal de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer un transistor planar au silicium suivant la revendication I caractérisé par le fait qu'on forme par diffusion à l'aide de la technique connue des 15 masques à oxydes, la base dans la surface d'un cristal de silicium dopé et l'émetteur dans 1-a base, on dépose par pulvérisation ou vaporisation une couche de platine ou de palladium po~s<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS T. Transistor planar au silicium comportant un cristal de silicium dopé servant de collecteur, une base formée par diffusion et munie d'un contact en aluminium et un émetteur 5 formé par diffusion à la base et muni d'un contact en aluminium et dont la surface est recouverte d'une couche d'oxyde en dehors des endroits où sont placés les contacts de base et d'émetteur caractérisé par le fait qu'une couche de siliciure de platine ou de palladium est prévue entre les contacts en aluminium de lr, zone de l'émetteur et de la base du cristal de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer un transistor planar au silicium suivant la revendication I caractérisé par le fait qu'on forme par diffusion à l'aide de la technique connue des 15 masques à oxydes, la base dans la surface d'un cristal de silicium dopé et l'émetteur dans 1-a base, on dépose par pulvérisation ou vaporisation une couche de platine ou de palladium po~s<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tPhotodiode, caractérisée par le fait qu'elle comporte sur un substrat semi-conducteur une mince couche semiconductrice transparente, réalisée sous la forme d'une couche anti-réfléchissante et formant avec le substrat semi-conducteur une hétérojonction de redressement, le substrat semi-conducteur et la couche semi-conductrice étant pourvus d'un contact nonredresseur.\n<CLM>\1\tPhotodiode suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que le substrat semi-conducteur est fait avec du silicium, du germanium ou de l'arséniure de gallium.\n<CLM>\1\tPhotodiode suivant l'une ou l'autre des revendications 1 et 2, caractérisée par le fait que la couche semiconductrice anti-reflet est faite avec de l'oxyde d'étain ou avec de l'oxyde d'indium.\n<CLM>\1\tPhotodiode suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée par le fait que la couche semi-conductrice réalisée sous la forme d'une couche anti-reflet est faite avec de l'oxyde d'indium dopé à l'étain, au titane ou au cadmium.\n<CLM>\1\tPhotodiode suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée par le fait que la couche semi-conductrice réalisée sous la forme d'une couche anti-reflet est faite avec de ltoxyde d'étain dopé à l'antimoine.\n<CLM>\1\tPhotodiode suivant l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée par le fait qu'elle est combinée avec un amplificateur opérationnel et utilisée comme photoamplificateur intégré.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 71 35096 4 2108115 HBVmDICATIOHS 1» Procédé de réalisation d'un composant semiconducteur comprenant un corps semiconducteur pourvu d'une électrode métallique apportée par vaporisation sous vide et séparée de ce dernier 5 par une couche isolante, procédé caractérisé par le fait que l'on effectue l'apport par vaporisation de l'électrode métallique sur la couche isolante, de façon uniforme ou approximativement uniforme pendant toute la durée de l'opération» à -une vitesse de vaporisation élevée qui est supérieure ou égale à 100 A/s. 10 2.' Procédé selon la revendication 1 caractérisé pa? le fait que l'on adopte une vitesse de vaporisation supérieure ou égale à 200 kja.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2 caractérisé par le fait que pendant la vaporisation, on 15 maintient la couche isolante à une température accrue au-delà de 150°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3 caractérisé par le fait que l'on maintient la couche isolante à une température supérieure à 200°C pendant la vaporisation. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 3 ou 4 caractérisé par le fait que l'on maintient la couche isolante à me température de l'ordre de 250°0 pendant la vaporisation.<\|EOS\|><\|BOS\|>71 35096 4 2108115 HBVmDICATIOHS 1» Procedure for the realization of a semiconductor component comprising a semiconductor body provided with a metallic electrode introduced by vaporization under vacuum and separated from the latter by an insulating layer, a procedure characterized by the fact that the metallic electrode is introduced by vaporization onto the insulating layer, uniformly or approximately uniformly throughout the duration of the operation at a high vaporization speed which is higher or equal to 100 A/s. 10 2.' Procedure according to claim 1 characterized by the fact that the vaporization speed is higher or equal to 200 kja.\n<CLM>\1\tProcedure according to any of claims 1 or 2 characterized by the fact that during vaporization, the insulating layer is maintained at a higher temperature than 150°C.\n<CLM>\1\tProcedure according to claim 3 characterized by the fact that the insulating layer is maintained at a temperature higher than 200°C during vaporization. 20\n<CLM>\1\tProcedure according to any of claims 3 or 4 characterized by the fact that during vaporization, the insulating layer is maintained at a temperature of the order of 250°C.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: Revendications\n<CLM>\1\tDispositif pour la fixation d'un composant à semiconducteur cu- laire entre deux radiateurs reliés par deux tiges filetées isolées, vissées dans un premier poussoir en matérIau isolant, logé dans le premier radiateur, et dont I'extrémité porte du côté du second radiateur un écrou de serrage, ledit dispositif étant caractérisé en ce qu'un ressort de tension est disposé entre les écrous de serrage et un boulon a tette ronde avec méplat, centré dans la gorge d'un second poussoir en matériau isolant logé dans le second radiateur.\n<CLM>\1\tDispositif pour la fixation d'un composant à semiconducteurs circu laire entre un radiateur et une plage de connexion, caractérisé en ce que le radiateur et la plage de connexion scnt reliés par deux tiges isolantes, fixées dans le radiateur par deux tetes et dont les extrémités: du côté de la plage de connexion, passent dans une pièce de guidage, portant un poussoir qui applique la plage de connexion sur le composant à semicon ducteurs circulaire, et dans un ressort de tension, et portent chacune un écrou de serrage, ledit ressort de tension étant disposé entre les écrous de serrage et un boulon à tête ronde avec méplat, centré dans une gorge du poussoir.\n<CLM>\1\tDispositif selon revendication 1 caractérisé en ce qu'une goupille filetée est vissée dans les écrous de serrage, bloquée par un contre-écrou et fixe la profondeur de vissage des tiges filetées et par suite la force de serrage.\n<CLM>\1\tDispositif selon revendication 2, caractérisé en ce que une extrémité des tiges isolantes passant dans le ressort de tension est vissée dans le radiateur et l'autre extrémité porte un cône usiné, sur lequel est appliqué un six pans conique intérieurenent.\n<CLM>\1\tDispositif selon revendication 2, caractérisé en ce quune extrémité des tiges isolantes passant dans le resscrt de tension est vissée dans le radiateur et l'autre extrémité porte un cône de serrage sur lequel est placé un six pans conique intérieurement.<\|EOS\|><\|BOS\|>Claims<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur agissant électriquement comme un transistor caractérisé par le fait qu'au moins une des deux jonctions p-n formant un transistor bipolaire est 5 remplacée par un contact métal-semiconducteur.\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur suivant la revendication 1 caractérisé par le fait que l'on prévoit comme contact métal-semiconducteur un contact siliciure de métal-semiconducteur . 10\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur suivant l'une des revendications 1 ou 2 caractérisé par le fait qu'il est prévu sur une couche épitaxiale d'un type de conductivité disposée sur un substrat d'un autre type de conductivité, un contact métal-semiconducteur ou un contact siliciure de métal-semiconducteur 15 jouant le rôle d'émetteur.\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur suivant les revendications 1 et 3 caractérisé par le fait qu'il est prévu en plus du contact métal-semiconducteur jouant le rôle d'émetteur, un autre contact métal-semiconducteur jouant le rôle de collec- 20 teur.\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur suivant les revendications 1 et 2 caractérisé par le fait qu'il est prévu sur une couche épitaxiale d'un type de conductivité disposée sur un substrat d'un autre type de conductivité, un contact métal- 25 semiconducteur jouant le rôle de collecteur.\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur suivant l'une des revendications 1, 2 et 3 caractérisé par le fait qu'il est prévu comme raccord de base un contact ohmique sur la couche épitaxiale et comme raccord de collecteur un contact ohmique sur une 30 zone d'un type de conductivité, qui s'étend de la surface de la couche épitaxiale à travers cette couche jusqu'au substrat.\n<CLM>\1\tComposant à semiconducteur suivant l'une des revendications 1, 2, 3, 4, 5 et 6 caractérisé par le fait qu'il est prévu comme métal de contact de l'aluminium, du titane 35 du platine, du rhodium, du palladium, du cobalt ou les siliciures de ces métaux.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure semiconductrice, comprenant des régions diffusées d'un type de conductivité dans un substrat semiconducteur de l'autre type de conductivité, caractérisé en ce qu'il comporte les opérations sui- 5 vantes : - on forme line couche isolante sur le substrat semiconducteur ; - on forme une couche de silicium sur des portions choisies de la couche isolante, une impureté étant diffusée dans la couche de silicium pour la rendre conductrice : - on décape les portions exposées de la couche isolante ; 10 - on diffuse des impuretés dans les portions exposées du substrat semiconducteur pour former les régions diffusées.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de silicium est de type N.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de si-15 licium est de type P. U. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les régions diffusées forment des zones de source et de drain.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication U, caractérisé en ce que les zones de saur-ce et de drain sont diffusées à partir de couches d'oxyde vitreuses. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de si licium forme une zone de grille. 7- Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la zone de grille est recouverte par des couches protectrices d'oxyde de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les couches protec 25 trices sont durcies par chauffage à une température d'environ 1.000°C. COPY<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS Procédé de réalisation d'un composant semi-conducteur ou d'un circuit intégré qui comportent un substrat en matériau isolant électrique revêtu en partie d'une couche semi-conductrice caractérisé par le fait que l'on dépose-une 5 couche semi-conductrice sur le substrat uniquement aux emplacements auxquels la suite des opérations de réalisation du composant nécessitera la présence de matériau semi-conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé par le fait que l'on réalise les revêtements semi-conduc- 10 teurs par croissance en forme d'îlot à l'aide d'un masquage particulier.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2 caractérisé par le fait que l'on recouvre d'un masque adhérant au substrat les parties de la surface de ce dernier qui n'ont pas été 15 munies d'un revêtement semi-conducteur. 4-, Procédé selon la revendication 2 caractérisé par le fait que l'on utilise comme masque un film métallique facile à retirer après le dépôt du revêtement semi-conducteur. 20 5» Procédé selon la revendication 4- caracté risé par le fait que l'on utilise le film métallique pour le chauffage du substrat.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2 caractérisé par le fait que l'on utilise des cou-25 ches multiples comme masque pour la réalisation des revêtements semi-conducteurs. 7- Application du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 à la réalisation de conducteurs ou interconnexions, en matériau semi-conducteur dans ion circuit 50 intégré.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS Procedure for the realization of a semiconductor component or an integrated circuit comprising an insulating substrate coated in part with a semiconductor layer characterized by the fact that a 5 semiconductor layer is deposited on the substrate only at the locations where the subsequent steps of the component realization require the presence of semiconductor material.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 71 44396 7 2118011 HiiVjjïJIOAJIOUS 1.- Procédé perfectionné pour déposer une couche de tungstène ou de molybdène sur une couche de bioxyde de silicium caractérisé par les étapes suivantes: a) on chauffe ladite couche de bioxyde de 5 silicium dans une chambre fermée à une température d'environ 500 à 8002 0; b) on introduit dans cette chambre un gaz inerte et -un gaz réducteur dans un rapport compris entre environ 2u/l et 40/1; c) on traite ladite couche de bioxyde de silicium avec de l'hexafluorure de tungstène ou de l'hexafluorure de molybdène pendant une brève 10 période de temps afin de décaper ladite couche de bioxyde de silicium et pour déposer sur celle-ci une couche relativement mince de tungstène ou de molybdène; d) on évacue tout l'hexafluorure métallique non-réagi de ladite chambre; e) on arrête l'introduction dudit gaz inerte dans ladite chambre; et ensuite, f) on mélange dans cet-15 te chambre un supplément de gaz réducteur avec de 11hexafluorure métallique nouvellement vaporisé afin de réduire ledit hexafluorure et pour déposer une couche relativement épaisse dudit métal sur cette couche mince. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le 20 rapport entre le gaz inerte et le gaz réducteur est d'environ 30/1 et en ce que ce gaz réducteur est constitué essentiellement par de 11hydrogène.<\|EOS\|><\|BOS\|>71 44396 7 2118011 HiiVjjïJIOAJIOUS 1.- Perfected process for depositing a layer of tungsten or molybdenum on a layer of silicon dioxide characterized by the following steps: a) the said layer of silicon dioxide is heated in a closed chamber at a temperature of about 500 to 800 degrees Celsius; b) a inert gas and a reducing gas are introduced into the chamber in a ratio of about 2:1 to 40:1; c) the said layer of silicon dioxide is treated with tungsten hexafluoride or molybdenum hexafluoride for a brief period of time to remove the said layer of silicon dioxide and deposit a relatively thin layer of tungsten or molybdenum on it; d) all unreacted metallic hexafluoride is evacuated from the said chamber; e) the said inert gas is stopped from being introduced into the said chamber; and then, f) a supplement of reducing gas is mixed with newly vaporized metallic hexafluoride in this chamber to reduce the said metallic hexafluoride and deposit a relatively thick layer of said metal on the said thin layer. 2.- Process according to claim 1, characterized in that the ratio between the inert gas and the reducing gas is about 30:1 and that the said reducing gas is mainly composed of hydrogen.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comportant une couche de passivation en nitrure de silicium recouvrant une partie de surface d'une jonction PN, ce procédé étant caractérisé par une phase de chauffage de la couche en nitrure de silicium dans une atmosphère non réductrice à une température supérieure à 930°C pendant un certain temps pour stabiliser la couche, puis une phase de chauffage.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la température n'est pas supérieure à 980°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou\n<CLM>\1\tcaractérisé en ce que l'atmosphère non réductrice est constituée essentiellement d'azote.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite période est comprise entre 1 et 15 mn.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le refroidissement est effectué à une vitesse d'environ 180°C par heure, jusqu'à ce que la température soit située aux environs de 750°C, ce refroidissement étant suivi d'une exposition à la température de la pièce. b. Procédé selon l'une quelconque des revendications précé dentes, caractérisé en ce que la couche en nitrure de silicium stabilisée est recouverte par une couche de verre borosilicaté.\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comporte une couche en nitrure de silicium passivée, stabilisée conformément au procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour la mémorisation de données dans une mémoire, et de préférence une mémoire holographique, caractérisé par le fait que des informations élémentaires sont mémorisées aux emplacements de mémoire individuels et qu'au moment 5 de la lecture, les informations élémentaires de deux ou de plusieurs emplacements de mémoire sont superposées pour fournir l'information recherchée.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que, dans le cas d'une mémoire holographique, plu- 10 sieurs informations élémentaires, -enregistrées sous forme de sous-hologrammes, sont lues à partir des emplacements de mémoire individuels, simultanément ou successivement, à l'aide d'une" unité de lecture.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé 15 par le fait qu'en cas de lecture successive dans le temps des différents sous-hologrammes, on utilise une unité de lecture ayant une fonction de mémoire dont la constante de temps d'intégration, est supérieure à la durée totale de lecture.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé par 20 le fait que les informations élémentaires sont additionnées à la lecture.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par l'utilisation, pour la mémorisation, de valeurs fixes et notamment de valeurs figurant sur des tableaux. 25 6„ Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par l'utilisation, pour la mémorisation, d'informations sous forme analogique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, caractérisé par le fait que pour l'établissement automatique de dessins techni- 30 ques, des éléments de base standardisés sont mémorisés et sont superposés à la lecture.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tCircuits hybrides hyperfréquence constitués à partir de dépôts d'or adlîérents effectués sur un substrat consistant en une plaquette de céramique possédant de bonnes caractéristiques diélectriques aux fréquences le travail desdits circuits, coopérant avec des composants passifs et actifs déposés ou rapportés sur ledit substrat, caractérisés en ce que le matériau d'au .-noins un scellement d'un des éléments assurant la protection mécanique et climatique d'au moins une partie des composants actifs et passifs desdits circuits est constitué par un verre dont la composition centésimale pondérale du mélange vitrifiable, comportant des oxydes et des carbonates., est comprise dans la gamine suivante : Si 02 B2 °3 AÎÛct co:lÏ2 3 à 1 b 18 à 41 0 à 4,5a 33 t 7° 7 % 1 r\ lu 60 /-> Zn 0 C0V- Ca + 00.A Sr CO-, Ba : 0 •> 25 de sorte que la composition centésimale molaire du verre, en oxydes, est située dans la gamme suivante : Si 0o : 4 ci 20 ^ 0 -o 3 : 20 tL 45 0/ 1° n i A : 0 5 % Li2 0 : 5 3 10 {'( Zn 0 : 30 55 f'! H Ca C + Sr C + Ea C- : 0 O 10 ai rannort molaire LigC-i- Zn G + Ca C + Sr 0 + 2a C étant égal Si o f -i- 0_. ou sur.erxeur a 14\n<CLM>\1\tCircuits Hybrides -:yperfréquence selon la revendication 1, caractérisés en ce que les ïsoyens de connexion nîiniaturisés sont scelles sur la plaquette de céramique supportant les éléments a+" actifs desdits circuits.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/ - Procédé de fabrication d'un circuit semiconducteur intégré au silicium com- portant au moins une résistance à couche mince, procédé selon lequel on crée d'abord une première couche de silice percée de fenêtres sur la surface d'une plaquette de silicium, puis on dépose une couche résistive sur cette première couche de silice et sur ces fenêtres, et ensuite, grâce à un masquage suivi de l'act-ion d'un premier bain acide propre à attaquer cette couche résistive mais non la silice, on ne laisse subsister que les parties de cette couche résistive devant constituer ladite résistance, procédé caractérisé en ce que, préalablement au dépot de ladite couche résistive on dépose une deuxième 'couche de silice uniforme sur ladite première couche de silice et lesdites fenêtres, et que consécutivement à-l'action dudit premier bain acide, on fait agir un second bain acide - - propre à laisser subsister ladite couche résistive et a éliminer les parties apparentes de ladite deuxième couche de silice. 2/ - Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le dépot de ladite deuxième couche de silice consiste en une pyrolyse de tétraéthy Isilicate à une température volsine de bOO'C. 3/ - Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit second bain acide est une solution d'acide fluorhydrique dans au moins 50 z d'eau. 4/ - Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que de l'or est dissous dans le matériau à partir duquel est effectué le dépôt de ladite deuxième couche de silice, grâce à quoi on obtient un dopage en or dudit circuit intégré.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1/ - Method of manufacturing an integrated silicon semiconductor circuit comprising at least one thin-film resistor, method wherein first a first silicon layer is etched with windows on the surface of a silicon wafer, then a resist layer is deposited on this first silicon layer and on these windows, and then, by means of a subsequent masking and the action of a first acid bath specifically designed to attack this resist layer but not the silicon, only the parts of this resist layer remaining are left to constitute the said resistor, method characterized in that prior to the deposition of said resist layer, a second uniform silicon layer is deposited on said first silicon layer and the said windows, and that subsequently to the action of said first acid bath, a second acid bath is applied - - specifically designed to leave said resist layer and to remove the apparent parts of said second silicon layer. 2/ - Method of manufacturing according to claim 1, characterized in that the deposition of said second silicon layer consists in pyrolyzing tetraethylsilicate at a temperature of about 100°C. 3/ - Method of manufacturing according to claim 1, characterized in that said second acid bath is a solution of hydrofluoric acid in at least 50% water. 4/ - Method of manufacturing according to claim 1, characterized in that gold is dissolved in the material from which the deposition of said second silicon layer is carried out, thereby obtaining an gold-doped integrated circuit.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tBoitier plat perfectionné pour ltencapsulation de microcircuit comprenant un corps métallique en deux pièces : d'une part un socle apte à recevoir le microcircuit et ayant au moins une de ses parois traversée par une pluralité de connexions isolées et scellées de façon étanche, d'autre part un couvercle apte à etre assemblé au socle de façon étanche par superposition selon une aire de contact, caractérisé en ce que ltépaisseur de paroi du socle comporte au moins une région amincie constituée en contour fermé et située entre l'aire de contact et le microcircuit.\n<CLM>\1\t2. Procédé d'encapsulation de microcircuit dans un boîtier plat perfectionné selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une opération de soudure du couvercle au socle par apport d'énergie délivrée sur le pourtour du couvercle suivant l'aire de contact.\n<CLM>\1\tProcédé d'encapsulation de microcircuit dans un bottier plat perfectionné selon la revendication 1, comprenant une opération de soudure selon la revendication 23caractérisé en ce que l'énergie apportée est délivrée par un arc à l'argon.\n<CLM>\1\tProcédé d'encapsulation de microcircuit dans un bottier plat selon la revendication 4comprenant une opération de soudure selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'énergie apportée est délivrée par une source électrique continue ou à haute fréquence alternative.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: -REVENDICAUIONS 1.- Procédé de soudure de fils métalliques sur des conducteurs en aluminium agencés sur des dispositifs semi-conducteurs par une méthode connue selon laquelle une pellicule mince d'aluminium est déposée sur la totalité de la surface d'une face d'une plaquette semi-conductrice, un revêtement formant cache étant aménagé sur la dite pellicule qui est ensuite enlevée partiellement aux endroits non protégés par le cache, ledit cache étant ensuite éliminé par attaque dans un bain oxydant, et des fils métalliques étant finalement soudés sur une partie des plages conductrices ainsi définies, caractérisé en ce que ledit bain oxydant est constitué d'acide nitrique fumant additionné d'une très faible quantité d'acide fluorhydrique, la teneur en acide fluorhydrique pur rapportée à celle d'acide nitrique pur. étant inférieure à 3 %. 2.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la dite teneur d'acide fluorhydrique dans ledit bain est comprise entre 0,1 et 2 %. 3.- Procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2 caractérisé en ce que l'acide nitrique est de l'acide nitrique fumant de densité à OOC comprise entre 1,52 et 1,48. 4.- Procédé selon l'une des revendications 1 2, 3 caractérisé en ce que l'attaque dans le bain oxydant est opérée à température ambiante pendant une durée comprise entre 1 et 10 minutes. 5.- Dispositif semi-conducteur comportant un dépôt d'aluminium localisé par photogravure, réalisé selon un procédé conforme à l'une des revendications 1 à 40<\|EOS\|><\|BOS\|>-REVISIONS 1.- Welding method of metallic wires on conductors arranged on semiconductor devices by a known method in which a thin layer of aluminum is deposited on the entire surface of a face of a semiconductor wafer, a covering layer being formed on the said thin layer which is then partially removed at the locations not protected by the covering layer, said covering layer being subsequently removed by attack in an oxidizing bath, and metallic wires finally being welded to a part of the conductive regions thus defined, characterized in that said oxidizing bath is composed of fuming nitric acid added with a very small quantity of hydrofluoric acid, the concentration of hydrofluoric acid reported to that of pure nitric acid being less than 3%. 2.- Method according to claim 1 characterized in that the said concentration of hydrofluoric acid in the bath is between 0.1 and 2%. 3.- Method according to claim 1 or claim 2 characterized in that the nitric acid is fuming nitric acid of density between 1.52 and 1.48. 4.- Method according to one of the claims 1 to 4 characterized in that the attack in the oxidizing bath is carried out at ambient temperature for a duration between 1 and 10 minutes. 5.- Semiconductor device comprising a localized aluminum deposition by photogravure, realized according to a method conforming to one of the claims 1 to 40<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENI)iCT IONS 1.- Tracteur à usage agricole avec un dispositif de montage d'outils sur le côté frontal, et avec au moins un vérin hydraulique attaquant ce dispositif, tracteur caractérisé en ce que le vérin est relié à un corps glis sant,déplaçable verticalement dans un guidage, sur lequel sont fixés directement un ou plusieurs organes pour l'accouplement d'un outil. 2.- Tracteur suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le guidage est un cadre allongé. fixé verticalement à l'avant du tracteur, le cylindre du vérin étant relié à la traverse supérieure du cadre, et sa tige de piston attaquant le corps glissant.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENI)iCT IONS 1.- Tractor with an agricultural tool mounting device on the front side, and with at least one hydraulic cylinder attacking this device, tractor characterized in that the cylinder is connected to a sliding body, movable vertically in a guide, on which are directly fixed one or more parts for coupling an tool. 2.- Tractor according to claim 1, characterized in that the guide is a elongated frame fixed vertically to the front of the tractor, the cylinder of the hydraulic cylinder being connected to the upper part of the frame, and its piston rod attacking the sliding body.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS :\n<CLM>\1\tProcédé permettant de réaliser un corps semiconducteur, selon lequel une surface d'un corps semiconducteur et une surface d'un substrat sont reliées entre elles par une couche adhésive iso- 5 lante et une connexion électrique est établie entre\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la dimension de l'ouverture comprise entre le corps semiconducteur 15 et le substrat est choisie entre 1 et 100yu.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que dans l'enceinte comprise entre le corps semiconducteur et le substrat est aspiré un liquide contenant un composé organique époxy et un silane, dont au moins un atome d'hydrogène est remplacé par un 20 groupe amino-alkyle et au moins un atome d'hydrogène par un groupe -0R-dans lequel 0 représente de l'hydrogène et R un reste d'hydrocarbure.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'on fait réagir un amino-alkylsilane dans lequel au moins 3 atomes d'hydrogène liés au silicium sont remplacés par des groupes -OR-, avant 25 qu'il ne soit réuni avec le composé époxy organique, en présence d'eau, avec un silane dans lequel au moins un atome d'hydrogène est remplacé par un reste d'hydrocarbure et au moins 5 atomes d'hydrogène liés au silicium par des groupes -0R-.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4» caractérisé en 30 ce que le nombre de molécules d'amino-alkylsilane et le nombre de molécules d'hydrocarburesilane sont entre eux comme environ 1 s\n<CLM>\1\t6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une feuille flexible est choisie comme le substrat. 35\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur réalisé par la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications précédentes.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS :<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tCadre métallique de liaison, caractérisé en ce qu'il comporte une barre allongée portant un certain nombre de conducteurs latéraux espacés les uns des autres et dont l'extré- 5 mité extérieure est en forme de pince.\n<CLM>\1\tCadre de liaison selon la revendication 1, caractérisé en ce que la barre allongée est séparable des conducteurs.\n<CLM>\1\tCadre de liaison selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pince comporte une extrémité supérieure 10 et une extrémité inférieure, l'extrémité supérieure ayant la forme d'un arc terminé par une languette.\n<CLM>\1\tCadre de liaison selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque conducteur comporte une languette décalée latéralement et agencée de manière à arrêter la pince à une dis- 15 tance prédéterminée de la surface de contact d'un support.\n<CLM>\1\tCadre métallique de liaison ajusté sur un support diélectrique, caractérisé en ce qu'il comporte une barre allongée portant un certain nombre de conducteurs latéraux espacés les uns des autres'et dont l'extrémité extérieure a la forme 20 d'une pince qui serre le support.\n<CLM>\1\tCadre métallique de liaison ajusté et soudé sur un support diélectrique, caractérisé en ce qu'il comporte une barre allongée portant un certain nombre de conducteurs latéraux espacés les uns des autres et dont l'extrémité extérieure a la 25 forme d'une pince qui serre le support.\n<CLM>\1\tProcédé de fixation d'un cadre métallique de liaison sujjûn support diélectrique portant des surfaces métallisées, par soudage des extrémités extérieures du cadre de liaison sur certaines des surfaces métallisées du support, caractérisé en 30 ce que le cadre de liaison consiste en une barre allongée portant un certain nombre de conducteurs latéraux espacés les uns des autres et dont l'extrémité extérieure a la forme d'une pince.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/- Procédé de masquage d'un matériau réfractaire, caractérisé par le fait que ledit matériau réfractaire est déposé sur un corps conducteur ou non, qu'il est recouvert d'une couche de matériau protecteur dans laquelle est photogravée 5 par des moyens conventionnels un masque à reproduire, ledit matériau protecteur n'étant pas attaqué lors de l'attaque du matériau réfractaire, et pouvant être dissous dans une solution inerte pour le matériau réfractaire. 2/- Procédé de masquage d'un matériau réfractaire selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le matériau réfractaire est soit du tungstène soit du 10 molybdène et que le matériau protecteur est du nitrure de silicium. 3/- Procédé de masquage d'un matériau réfractaire selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé par le fait que le matériau réfractaire est enlevé, aux endroits non recouverts de matériau protecteur après attaque de celui-ci, par une attaque électrolytique. 15 4/- Dispositif semiconducteur obtenu par la mise en eouvre du procédé selon l'une des revendications 1, 2, 3.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Tube de prise de vue vidicon au silicium, caractérisé en ce qu'il comporte une cible en silicium possédant un réseau de photodiodes diffusées dans la cible et possédant une couche min- 5 ce résistive déposée sur cette cible, cette couche mince étant constituée d'un verre semi-conducteur. 2 - Tube selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche mince est déposée par évaporation sous vide. 3 - Procédé de fabrication d'un tube de prise de vue se-10 Ion l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'une vapeur destinée à produire ce verre semi-conducteur est produite par réduction chimique d'un oxyde réfractaire par un métal, de manière à émettre des produits volatils. 4 - Procédé de fabrication d'un tube de prise de vue 15 selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la vapeur destinée à produire le verre semi-conducteur est obtenue par bombardement électronique d'une matière convenable. 5 - Tube de prise de vue selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le verre semi-conducteur 20 contient du molybdène. 6 - Tube selon l'une quelconque des revendications 1, 2 ou 5, caractérisé en ce que le verre semi-conducteur contient du tungstène. 7" - Tube de prise de vue selon l'une quelconqué des re-25 vendications 1, 2 ou\n<CLM>\1\tcaractérisé en ce que le verre semi-conducteur contient du titane. BAD ORIGINAL<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1 - Silicon-based viewing tube with a silicon target comprising a diffused network of photodiodes in the target and a thin resistive layer deposited on the target, the thin layer being composed of a semiconductor glass. 2 - Viewing tube according to claim 1, characterized in that the thin layer is deposited by vacuum evaporation. 3 - Method of manufacturing a viewing tube according to any one of claims 1 or 2, characterized in that a vapor intended to produce the semiconductor glass is produced by chemical reduction of a refractory oxide with a metal, thereby emitting volatile products. 4 - Method of manufacturing a viewing tube according to any one of claims 1 or 2, characterized in that the vapor intended to produce the semiconductor glass is obtained by electron bombardment of a suitable material. 5 - Viewing tube according to any one of claims 1 or 2, characterized in that the semiconductor glass contains molybdenum. 6 - Viewing tube according to any one of claims 1, 2 or 5, characterized in that the semiconductor glass contains tungsten. 7" - Viewing tube according to any one of the claims 1, 2 or 15, characterized in that the semiconductor glass contains titanium. BAD ORIGINAL<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATI 0N8\n<CLM>\1\tComposant électronique, de type fabriqué en série par intégration sur une meme plaquette comportant une couche conductrice mince décou- pée en plots de contact, lesdits plots servant aux prises de contact pour le contrôle en cours de fabrication et aux connexions par câblage avec d'autres composants ou avec les broches du boitier, caractérisé en ce que lesdits plots comportent deux zones nettement différenciées, une desdites zones servant aux tests, l'autre servant aux soudures.\n<CLM>\1\tComposant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la démarcation desdites zones est marquée par des encoches sur le contour dudit plot.\n<CLM>\1\tComposant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la démarcation desdites zones est marqué par des languettes triangulaires constituées par des excroissances de métallisation dans le plan de celle-ci.\n<CLM>\1\tComposant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites zones sont rendues distinctes par les formes de leurs cen- tours.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de composants électroniques, du type comportant la réalisation en série desdits composants sur une même plaquette et, en particulier, un dépôt de métal sur des surfaces destinées à etre utilisées comme plots de contact, caractérisé par le fait que l'on utilise une première zone déterminée desdits plots pour effectuer les contrôles électriques et une seconde zone distincte de la première pour effectuer les interconnexions.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATION 8<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS l/ Transistor hyperfréquences en technique planaire monté en émetteur commun comportant dans un substrat d'un premier type de conductivité jouant le rôle de collecteur, un émetteur du même premier type de conductivité entouré par une base du deuxième type de conductivité opposée au premier type de conductivité et comportant sur une couche isolante à la surface du substrat un conducteur métallique du type poutre connecté à ladite base à travers une fenêtre percée dans ladite couche isolante caractérisé par le fait qu'une zone du deuxième type de conductivité est disposée au sein dudit substrat au dessous dudit conducteur poutre de base et qu'une connexion métallique est réalisée entre cette zone et l'émetteur. 2/ Transistor hyperfréquences en technique planaire monté en base commune comportant dans un substrat d'un premier type de conductivité jouant le rôle de collecteur, un émetteur du même premier type de conductivité entouré par une base du deuxième type de conductivité opposée au premier type de conductivité et comportant sur une couche isolante à la surface du substrat un conducteur métallique du type poutre connecté audit émetteur à travers une fenêtre percée dans ladite couche isolante caractérisé par le fait qu'une zone du deuxième type de conductivité est disposée au sein dudit substrat au dessous dudit conducteur poutre d'émetteur et qu'une connexion métallique est réalisée entre cette zone et la base.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tMéthode pour l'attaque gazeuse d'une zone superficielle d'une couche de nitrure de silicium, caractérisée par le fait qu'elle prévoit de faire subir un traitement thermique à ladite couche de nitrure de silicium puis d'en attaquer par voie gazeuse une zone superficielle en établissant à proximité de celle-ci une décharge luminescente.\n<CLM>\1\tMéthode conforme à la revendication 1, caractérisée par le fait que ladite attaque gazeuse est réalisée à température ambiante.\n<CLM>\1\tMéthode conforme à la revendication 1, caractérisée par le fait que ladite attaque gazeuse est réalisée dans une atmosphère contenant un gaz sélectionné parmi un groupe constitué par du fluor ou des composés de fluor.\n<CLM>\1\tMéthode conforme à la revendication 2, caractérisée par le fait que ladite atmosphère gazeuse est constituée par du tétrafluorure de carbone.\n<CLM>\1\tMéthode conforme à la revendication 1, caractérisée par le fait que ledit traitement thermique est réalisé à environ 12000C pendant une heure en atmosphère d'azote.\n<CLM>\1\tMéthode conforme à la revendication 1, caractérisée par le fait que ladite couche de nitrure de silicium est déposée sur un substrat en établissant une décharge luminescente sans électrode à proximité de sa surface dans une atmosphère d'ammoniac contenant 2Z de silane.\n<CLM>\1\tMéthode conforme à la revendication 4, caractérisée par le fait que la température dudit substrat pendant le dépôt de ladite couche de nitrure de silicium est de 400pu et que la vitesse d'attaque gazeuse est d'environ 625 #/minute.\n<CLM>\1\tMéthode conforme à la revendication 4, caractérisée par le fait que la température dudit substrat au cours du dépôt de ladite couche de nitrure de silicium est de 600 C, et que la vitesse d'attaque gazeuse de ladite couche de nitrure de silicium est d'cnviron 435 #/minute.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Structure de condensateur à deux bornes, caractérisée en ce qu'elle comprend : un corps de matériau semiconducteur d'un premier type de conductivité 5 comportant une face supérieure et une face inférieure, une région d'un second type de conductivité opposé audit premier type, formée dans ledit corps à partir de la fece supérieure dudit corps, ladite région et ledit corps formant une jonction redresseuse, une couche mince d'isolement recouvrant une portion de ladite face 10 supérieure dudit corps et au voisinage de ladite région pour former l'élément diélectrique du condensateur, une couche conductrice recouvrant ladite couche mince d'isolement pour former la première plaque du condensateur, des moyens d'application de tensions pour porter ledit corps à un poten-15 tiel de polarité correspondant audit second type de conductivité, des moyeas d'application de tensions à la fois à ladite région et à ladite couche conductrice pour créer une couche de charges sous-jacente à ladite couche conductrice, neutraliser ainsi une portion de ladite jonction redresseuse et donc se comporter comme l'autre plaque dudit condensateur. 20 2.- Structure selon la revendication 1, dans laauelle la région dudit second type de conductivité est une zone de diffusion d'un transistor à effet de champ à électrode de commande isolée associée. 3.- Structure selon la revendication 2, dans laquelle ladite diffusion choisie parmi une pluralité de diffusions est la diffusion source dudit 25 transistor à effet de champ à électrode de commande isolée associée. 4.- Structure selon la revendication 3, dans laquelle ladite couche conductrice est électriquement couplée à l'électrode de commande dudit transistor à effet de champ à électrode de commande isolée associée.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Structure of a capacitor with two terminals characterized in that it comprises: a semiconductor material body of the first conductivity type comprising a upper face and a lower face, a region of the second conductivity type opposite to the first type, formed in said body from the upper face of said body, said region and said body forming a rectifying junction, a thin insulating layer covering a portion of said upper face of said body and adjacent to said region to form the dielectric element of the capacitor, a conductive layer covering said thin insulating layer to form the first plate of the capacitor, means for applying voltages to bring said body to a potential of polarity corresponding to the second type of conductivity, means for applying voltages both to said region and to said conductive layer to create a underlying layer of charges beneath said conductive layer, thereby neutralizing a portion of said rectifying junction and thus behaving as the other plate of said capacitor. 20 2.- Structure according to claim 1, in which said region of the second conductivity type is a diffusion zone of a field-effect transistor with an isolated gate electrode. 3.- Structure according to claim 2, in which said selected diffusion is the source diffusion of said field-effect transistor with an isolated gate electrode. 4.- Structure according to claim 3, in which said conductive layer is electrically coupled to the gate electrode of said field-effect transistor with an isolated gate electrode.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 72 10987 6 2132167 BSifciHDIOA'IIOKS 1.- Procédé de fabrication d'un contact intermétallique destiné à un corps semiconducteur, caractérisé en ce au'il consiste à fournir un corps semiconducteur ayant une surface recouverte d'une cou- 5 che d'isolation, cette couche comportant un trou qui s'étend jusqu' à la surface, à déposer une couche semionductrice dans le trou et sur la- surface, à déposer une couche métallique sur la couche semi- conductrice qui, lorsqu'elle est traitée, forme un composé intermétallique avec la couche semiconductrice, et à fritter les couches 10 métallique et semiconductrice afin de former un composé intermétallique du métal et des couches semiconductrices. 2.- Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la couche semiconductrice est monocristalline. 3.- Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que 15 la couche semiconductrice est de même type de conductivité que le corps semiconducteur. 4.- Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le corps semiconducteur et la couche semiconductrice sont constitués par un même matériau semiconducteur. 20 5.- Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que le matériau semiconducteur est en silicium. 6.- Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en ce que la couche métallique est choisie dans un groupe constitué par l'or, l'argent, le platine, le palladium et le rhodium. 25 7.- Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les couches sont chauffées dans une atmosphère inerte à une température supérieure à 750^0 afin de former un contact en composé intermétallique qui s'étend jusqu'à une profondeur faible en dessous de la surface dans le corps.<\|EOS\|><\|BOS\|>72 10987 6 2132167 BSifciHDIOA'IIOKS 1.- Manufacturing method of an intermetallic contact intended for a semiconductor body, characterized in that it comprises providing a semiconductor body having a surface covered with an insulating layer, this layer comprising a hole extending to the surface, depositing a semiconductor layer in the hole and on the surface, depositing a metallic layer on the semiconductor layer, which, when treated, forms an intermetallic compound with the semiconductor layer, and fritting the metallic and semiconductor layers to form an intermetallic compound of the metal and semiconductor layers. 2.- Method according to claim 1, characterized in that the semiconductor layer is monocrystalline. 3.- Method according to claim 2, characterized in that the semiconductor layer is of the same conductivity type as the semiconductor body. 4.- Method according to claim 1, characterized in that the semiconductor body and the semiconductor layer are composed of the same semiconductor material. 5.- Method according to claim 4, characterized in that the semiconductor material is silicon. 6.- Method according to claim 5, characterized in that the metallic layer is selected from the group consisting of gold, silver, platinum, palladium, and rhodium. 7.- Method according to claim 1, characterized in that the layers are heated in an inert atmosphere at a temperature higher than 750° to form an intermetallic contact extending to a shallow depth below the surface in the body.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS l0j Procédé de réalisation de micropoutres de connexion sur diodes à jonction du tvpe mésa, caractérisé en ce que, après la réalisation des diodes par dépôt épitaxial des couches semiconductrices dopées sur plaquette de substrat monocristallin et la taille des 3ponctions obtenues, on recouvre la totalité de la surface de cette plaquette d'une couche de verre, on pratique un rodage plan de cette couche de verre jusqu'à faire apparaître la couche supérieure de chaque diode mésa, puis, de façon connue, on fixe les micropoutres de connexion à la surface et l'on détache les diodes unitaires de la plaquette,\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le dépit de verre est réalisé par cuisson au four d'une solution de poudre de verre en suspension dans un liquide préalablement déposée au pinceau. 3 , Procédé selon la revendi-cation 1, dans lequel le rodage du verre se fait par un procédé mécanochimique. 4bj Diode à jonction du type mésa, caractérisée en ce que ses prises de contact sont des micropoutres obtenues par le procédé de la revendication\n<CLM>\1\t5t) Diode à jonction du type mésa selon la revendication 4#, caractérisée en ce que la micropoutre d'anode et la micropoutre de cathode sont fixées toutes deux sur la face active de la jonction.\n<CLM>\1\tDiode à jonction du type mésa selon la revendication 4, caractérisée en ce que la micropoutre d'anode et la micropoutre de cathode sont fixées de part et d'autre de la "puce" constituant la diode 7"1 Application du procédé selon la revendication 1 à des structures de transistors du type mesa. 8') Structure de transistor du type mésa obtenue selon la revendication 7<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS I - Dispositif semi-conducteur comportant un corps en matériau semi-conducteur de conductivité de type P dont une surface est recouverte d'un métal permettant de former une jonction redresseuse à arret de surface avec le corps, ce dispositif étant caractérisé en ce que le métal permet d'obtenir une hauteur d'arrêt d'approximativement 0,90 électrons volts. 2 - Diode semi-conductrice selon la revendication 1, caractérisée en ce que le métal est de 1'hafnium (Hf), de préférenoesous la forme d'une pellicule. 3 - Diode semi-conductrice selon la reveadication 2, caractérisée en ce que le corps est en silicium monocristallin. 4 Procédé de fabrication d'une diode à arret de surface Schottky, caractérisé en ce qu'il consiste à recouvrir au soins une partie d'une surface d'un corps en silicium de type P d'une couche de métal pour obtenir une jonction redresseuse à arrêt de surface entre la couche et le corps, la couche de métal contenant de l'hafnium. 5 - Procédé selon la revendication 4, caractérise en ce qu'il consiste en outre à recuire la couche d'hafnium dans une atmosphère d'hélium sec à une température comprise entre 4500C et 5500C. 6 - Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il consiste en outre à nettoyer la surface du corps avant dewecouvrtr cette surface de la couche d'hafnium. 7 - Diode de Schottky caractérisée en ce qu'elle est fabriquée par le procédé selon l'une quelconque des revendications 4, 5 ou 6.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS I - A semiconductor device comprising a semiconductor body of P-type conductivity, wherein a surface is covered with a metal to form a surface termination junction with the body, the device being characterized in that the metal allows obtaining a termination voltage of approximately 0.90 electron volts. 2 - A semiconductor diode according to claim 1, characterized in that the metal is hafnium (Hf), preferably in the form of a film. 3 - A semiconductor diode according to claim 2, characterized in that the body is monocrystalline silicon. 4 - A surface termination Schottky diode manufacturing process, characterized in that it consists of covering a part of a surface with a P-type silicon body with a metal layer to obtain a surface termination junction between the layer and the body, the metal layer containing hafnium. 5 - A manufacturing process according to claim 4, characterized in that it further consists of heating the hafnium layer in a dry helium atmosphere at a temperature between 4500°C and 5500°C. 6 - A manufacturing process according to claim 5, characterized in that it further consists of cleaning the body surface before covering this surface with the hafnium layer. 7 - A Schottky diode characterized in that it is manufactured by the process according to any one of claims 4, 5 or 6.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: -REVENDICATION- Dispositifs semiconducteurs pînur, du type dans lequel à l'intérieur d'un substrat est disposée une zone de silicium monocristallin séparée du substrat par une couche isolante, et dans laquelle est réalisée au moins une jonction p-n, caractérisés en ce que le substrat est constitué d'une matière diélectrique, et en ce que ladite jonction p-n s'étend sensiblement perpendiculairement à la surface du substrat jusqu a une profondeur lui permettant d'atteindre ladite couche isolante.<\|EOS\|><\|BOS\|>-REVENDICATION- Semiconductor devices of the type in which a zone of monocrystalline silicon is disposed within a substrate, separated from the substrate by an insulating layer, and in which at least one p-n junction is formed, characterized in that the substrate is composed of a dielectric material, and in that the said p-n junction extends substantially perpendicularly to the surface of the substrate to a depth allowing it to reach the said insulating layer.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 / Empilement de n diodes varactors montées électriquement en série, du genre de ceux comprenant un empilement de n domaines délimité chacun par l'espace compris entre deux supports conducteurs maintenus espacés par des entretoises en une matière céramique isolante électrique et bonne conductrice de la chaleur, chaque domaine comportant une diode varactor et le premier support relié à une source froide constituant la mise à la masse thermique de l'ensemble, caractérisé en ce que la diode varactor située dans le nie me compartiment opposé à o masse thermique est soudée au dernier et in + 1)sème support par sa face active 20/ Empilement selon la revendication 1, dans lequel le nombre n de diodes varactor est égal à 2 30J Empilement selon la revendication 1 dans lequel le nombre n de diodes varactors est égal à 3<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1 / Stack of n varactor diodes electrically connected in series, of the type comprising a stack of n domains delimited by the space between two conductive supports separated by ceramic insulating and heat conductive materials, each domain containing a varactor diode and the first support connected to a cold source constituting the thermal mass of the entire system, characterized in that the varactor diode located in the thermal mass compartment opposite to the thermal mass is welded to the last and (n+1)th support by its active face 20/ Stack according to requirement 1, in which the number n of varactor diodes is equal to 2 30/ Stack according to requirement 1 in which the number n of varactor diodes is equal to 3<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé pour minimiser l'auto-dopage pendant le dépôt d'une couche épitaxiale d'un matériau semiconducteur à partir d'une phase gazeuse sur une base de matériau semiconducteur cristallin qui comprend des régions contenant 5 une impureté semiconductrice caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes t croissance initiale d'une couche épitaxiale sur une pastille d'essai sur les régions diffusées en mettant en contact la pastille da base chauffée avec un mélange de réaction gazeux, 10 détermination dans le profil dB la pastille de l'épaisseur de la région rétrodiffusée et de la concentration moyenne d'impureté à l'interface de la pastille de base et de la couche épitaxiale et croissance d'une couche épitaxiale sous des conditions similaires en ce qui concerne le gaz porteur, la température et le débit, tout en compensant 15 simultanément la rétrodiffusion d'impuretés en introduisant un débit d'impuretés de compensation d'un type opposé à celui de l'impureté dans la région diffusée, le débit et la durée de l'impureté de compensation étant ajustéssuivant le profil déterminé à partir de la pastille d'essai, 2.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le composé de 20 matériau semiconducteur servant au dépôt est choisi dans le groupe composé de SiH., SiCÎ,., SiHCJt , GeH et Gel.. . 4 4 3 4 4 3.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le composé de matériau semiconducteur est SiOt^. 4.- Procédé selon la revendication 3 caractérisé en ce que la base est 25 chauffée à une température comprise entre environ &00° et 1300°. 5.- Procédé selon l'une des revendications 1, 2 ou 4 caractérisé en ce que le gaz porteur est l'hydrogène. B.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'impureté de compensation est B_H_. / b 30 7.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'impureté de compensation est AsH3•<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS 1.- Procedure for minimizing auto-doping during the deposition of an epitaxial layer of a semiconductor material from a gaseous phase on a crystalline semiconductor base comprising regions containing 5 a semiconductor impurity characterized in that it comprises the following steps: initial growth of an epitaxial layer on a test paste on the diffused regions, bringing into contact the heated base paste with a gaseous reaction mixture, 10 determination in the dB profile the thickness of the retrodiffused region and the average concentration of impurity at the interface between the base paste and the epitaxial layer, and growth of an epitaxial layer under similar conditions regarding the carrier gas, temperature, and flow rate, while simultaneously compensating for the retrodiffusion of impurities by introducing a compensation flow of a type opposite to that of the impurity in the diffused region, the flow and duration of the compensation impurity being adjusted according to the determined profile from the test paste, 2.- Procedure according to claim 1 characterized in that the semiconductor material composition used for deposition is selected from the group consisting of SiH4, SiC, SiH2, SiH3, GeH, and Ge, 4 4 3 4 4 3.- Procedure according to claim 1 characterized in that the semiconductor material composition is SiOt, 4.- Procedure according to claim 3 characterized in that the base is heated to a temperature between about 100° and 1300°, 5.- Procedure according to one of claims 1, 2 or 4 characterized in that the carrier gas is hydrogen, B.- Procedure according to claim 1 characterized in that the compensation impurity is B_H3, / b 30 7.- Procedure according to claim 1 characterized in that the compensation impurity is AsH3•<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E VE N D I C A T I O N Je revendique tout système I/ D'admission utilisant une compression statique par la force centrifuge d'un vortex. II/ De pulvérisation par resonnance ou ultrason appliqué aux moteurs à explosions. III/ D'échappement utilisant la dépression créé par un vortex. III Bis/ Tout échappement focalisant le bruit dans une cavité.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 72 14588\n<CLM>\1\t2134474 - REVENDICATIONS. - 1-Procédé de formation d'un réseau par métallisation en pellicules minces sur un substrat, caractérisé en ce qu'on forme une pellicule isolante sur ledit substrat, on ouvre des fenêtres dans 5 cette pellicule isolante aux endroits où l'on désire établir un contact ohmique avec le substrat, on dépose une première pellicule métallique sur l'élément composite résultant, on grave sélectivement cette première pellicule métallique pour former tin réseau métallique voulu, on dépose une deuxième pellicule métallique sur ce 10 réseau, et on anodise la deuxième pellicule métallique pour former un revêtement d'oxyde protecteur sur le réseau métallique. 2 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat est en silicium monocristallin, la pellicule isolante est formée d'oxyde de silicium et la première et la deuxième 15 pellicules métalliques sont en aluminium. 3 - Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la pellicule du premier niveau comporte des connexions ohmiques établies sur des régions des éléments du circuit intégré qui sont formées sous une surface du substrat, et des interconnexions établies 20 entre certaines de ces régions. 4 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on forme une pellicule de polymère organique découpée suivant un certain dessin entre les deux pellicules métalliques, cette phase étant suivie d'une phase de chauffage 25 du composite anodisé, qui porte ce dernier à une température suffisante pour ouvrir des fenêtres dans la couche de revêtement par éclatement de cette couche sous l'effet de la dilatation du polymère en vue d'établir des connexions de traversée entre le premier et le deuxième niveaux. 30 5 - Réseau métallique porté par un substrat et protégé par un oxyde, obtenu par le procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à k.<\|EOS\|><\|BOS\|>72 14588<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé pour braser un conducteur métallique de connexion sur un corps semi-conducteur à l'aide d'une brasure douce, suivant lequel, avant l'assemblage de ces 5 deux parties par brasage, on dépose une brasure liquide par un procédé de "revêtement par vague" sur le conducteur de connexion, procédé caractérisé en ce qu'on agence la surface de contact du conducteur de connexion à braser sur le corps semi-conducteur comme une surface frontale d'une saillie en forme de bossage, et 10 en ce que, lors du dépôt de la couche de brasure, on dépose, également, la brasure liquide sur les flancs latéraux de la saillie en forme de bossage. 2.- Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'on agence la saillie en forme de bossage 15 de manière que sa surface frontale servant de surface de contact soit constituée par une surface plane et que ses flancs latéraux forment un angle obtus avec cette surface frontale plane. 3m- Elément semi-conducteur comportant un conducteur métallique de connexion fixé par brasage sur 20 un corps semi-conducteur à l'aide d'une brasure douce, élément caractérisé en ce que la surface de contact du conducteur de connexion brasée sur le corps semi-conducteur, est agencée comme une surface frontale d'une saillie en forme de bossage. 4.- Elément semi-conducteur suivant 25 la revendication 3, caractérisé en ce que la surface frontale, servant de surface de contact, de la saillie en forme de bossage, est une surface plane et en ce que les flancs latéraux de la saillie en forme de bossage font un angle obtus avec cette surface frontale plane.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Procedure for brazing a metallic conductor of connection onto a semiconductor body using a soft brazing process, according to which, before assembling these 5 parts by brazing, a liquid brazing is deposited on the conductor of connection by a "wavy coating" process, the procedure characterized in that the contact surface of the conductor of connection to be brazed is brazed onto the semiconductor body as a front surface of a boss, and 10 in that, during the deposition of the brazing layer, the liquid brazing is also deposited on the lateral flanks of the boss in the shape of a boss. 2.- Procedure according to claim 1, characterized in that the boss in the shape of a boss is brazed in such a way that its front surface, serving as the contact surface, is a flat surface and its lateral flanks form an obtuse angle with this flat front surface. 3m- Semiconductor element comprising a metallic conductor of connection brazed onto a semiconductor body using a soft brazing, the element characterized in that the contact surface of the conductor of connection brazed onto the semiconductor body is brazed as a front surface of a boss. 4.- Semiconductor element according to claim 25, characterized in that the front surface, serving as the contact surface, of the boss in the shape of a boss is a flat surface and in that the lateral flanks of the boss in the shape of a boss form an obtuse angle with this flat front surface.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: RlGVlZDICAXIONS' 1-Refroidisseur pour composants électroniques, caractérisé en ce qu'il est constitué par un support sur lequel est fixé le composant comportant des trous et sur au moins une de ses faces des picots 2-Refroidisseur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les picots sont tronconiques et de forme allongée 3- Refroidisseur selon chacune des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les picots sont disposés en quinconce; 4-Refroidisseur selon la revendication 3s caractérisé en ce que lestrous sont intercalés entre les picots 5-Refroidisseur selon chacune des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la distance séparant les axes de deux picots adjacents est inférieure au double du diamètre de base des dits picots; ; 6- Refroidisseur selon chacune des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu il affecte la forme d'une coquille 7-Refroidisseur selon la revendication 6 , caractérisé en ce que le composant est logé à l'intérieur de la coquille dont les faces internes sont en contact avec celles externes du dit composant 8-Refroidisseur selon chacune des revendications 6 et 7 caractérisé en ce que la coquille est réalisée en plusieurs parties.<\|EOS\|><\|BOS\|>RlGVlZDICAXIONS' 1-Refroidisseur pour composants électroniques, caractérisé en ce qu'il est constitué par un support sur lequel est fixé le composant comportant des trous et sur au moins une de ses faces des picots 2-Refroidisseur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les picots sont tronconiques et de forme allongée 3- Refroidisseur selon chacune des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les picots sont disposés en quinconce; 4-Refroidisseur selon la revendication 3s caractérisé en ce que lestrous sont intercalés entre les picots 5-Refroidisseur selon chacune des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la distance séparant les axes de deux picots adjacents est inférieure au double du diamètre de base des dits picots; ; 6- Refroidisseur selon chacune des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu il affecte la forme d'une coquille 7-Refroidisseur selon la revendication 6 , caractérisé en ce que le composant est logé à l'intérieur de la coquille dont les faces internes sont en contact avec celles externes du dit composant 8-Refroidisseur selon chacune des revendications 6 et 7 caractérisé en ce que la coquille est réalisée en plusieurs parties.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 72 17165 6 2137879 BEVMDICATIQErS\n<CLM>\1\t- Dispositif redresseur de courant, caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison un élément support orienté axialement, une première et une seconde bornes conductrices, montées 5 sur l'élément support et isolées l'une par rapport à l'autre, une pluralité de plaques de phase fixes relativement à l'élément support et isolées les unes par rapport aux autres et par rapport aux bornes, des diodes reliant entre elles les bornes et les plaques de phase de telle façon que lorsque.les plaques de phase 10 sont reliées, en cours dTutilisation, aux phases d'une source de courant alternatif, on obtient un courant redressé aux bornes du dispositif redresseur, un élément de retenue maintenant les bornes et les plaques de phase en position sur l'élément support, et un élément isolant interposé entre l'élément de retenue et le 15 reste du dispositif, l'élément isolant étant muni d'une couche d'une matière isolante et hydrophobe, qui s'étend sur toute la zone de l'élément isolant qui est exposée en cours de service. 2® - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière isolante et hydrophobe est une résine de 20 silicones.\n<CLM>\1\t- Dispositif selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que chaque diode est protégée par du caoutchouc.de silicones. 4-. - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 25 précédentes, caractérisé en ce que les diodes sont montées dans des évidements formés dans les plaques.<\|EOS\|><\|BOS\|>72 17165 6 2137879 BEVMDICATIQErS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Composant électrique miniaturisé, en particulier un dispositif semiconducteur, dans lequel des contacts sont établis avec le corps du composant au moyen d'une mince 5 feuille flexible isolante du point de vue électrique, portant des traces conductrices avec des zones de connexion, la feuille mince étant reliée à un corps servant de support qui est réalisé de telle façon qu'il peut être incorporé à un raccord faisant contact avec les zones 10 de connexion des traces conductrices sur cette feuille mince, ce composant étant caractérisé en ce que le corps de support a un profil en forme de U et en ce que la feuille mince est reliée à ce corps de telle façon que les zones de connexion des traces conductrices enveloppent les bords 15 d'extrémité des branches du profil en forme de U. 2.- Composant électrique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la feuille mince est placée du côté extérieur du corps de support en forme de U et enveloppe les branches du profil en forme de u. 20 3.- Composant électrique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la feuille mince est placée du côté intérieur du corps de support en forme de U et enveloppe les branches du profil en forme de u. 4.- Composant électrique selon l'une quelconque 25 des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le corps de support en forme de U comporte un évidement en forme d'auge et en ce que la feuille comporte un évidement de sorte que les traces conductrices sont partiellement libérées, le corps du composant étant placé entre le corps de support et 30 les traces conductrices. 5.- Composant électrique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le corps de support en forme de U comporte une butée assurant un positionnement fixe du composant par rapport au raccord.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- A miniaturized electrical component, particularly a semiconductor device, in which electrical contacts are established with the component body using a thin, electrically insulating five-layer flexible sheet, bearing conductive traces with connection zones, the thin sheet being connected to a support body which is designed such that it can be incorporated into a connector making contact with the connection zones of the conductive traces on this thin sheet, the component being characterized in that the support body has a U-shaped profile and the thin sheet is connected to the support body in such a way that the connection zones of the conductive traces enclose the end edges of the branches of the U-shaped profile. 2.- Electrical component according to claim 1, characterized in that the thin sheet is placed on the outside of the U-shaped support body and encloses the branches of the U-shaped profile. 20 3.- Electrical component according to claim 1, characterized in that the thin sheet is placed on the inside of the U-shaped support body and encloses the branches of the U-shaped profile. 4.- Electrical component according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the U-shaped support body comprises a recess and the thin sheet comprises a recess so that the conductive traces are partially released, the component body being placed between the support body and the conductive traces. 5.- Electrical component according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the U-shaped support body comprises a stopper ensuring a fixed positioning of the component with respect to the connector.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé pour la réalisation d'un dispositif de diode à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il consiste à faire comporter à un fil métallique, qui doit constituer l'une des bornes du dispositif, une tête de diamètre plus important venant au contact d'un cristal semi-conducteur disposé entre ladite tête et un bloc constituant l'autre borne, à enrober ensuite le cristal semi-conducteur, les parties adjacentes du bloc et le fil métallique dans un revêtement de caoutchouc, et enfin à surmouler une matière rigide isolante sur ledit revêtement et les parties du fil métallique et du bloc qui lui sont adjacentes. 2 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la tête du fil présente un diamètre qui est au plus égal à trois fois le diamètre de celui-ci. 3 - Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la tête du fil présente un diamètre compris entre deux fois et demi et trois fois celui-ci. 4 - Procédé suivant 1 'une quelconque des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que les dimensions du reste dudit fil et celles du cristal sont telles que ce dernier fait saillie au-delà de la circonférence de la tête de ce fil. 5 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le cristal est soudé à la tête du fil et au bloc formant borne. 6 - Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en ce que la soudure du cristal est effectuée sans flux. 7 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le bloc formant borne comporte des saillies qui sont emprisonnées par la matière isolante rigide. 8 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la matière isolante rigide est constituée par une résine synthétique. 9 - Diode à semi-conducteur, caractérisée en ce qu'elle est réalisée par mise en oeuvre du procédé suivant l'une quelconque des revendications précédentes.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1 - Process for the realization of a semiconductor diode, characterized in that it consists in making a metallic wire, which must constitute one of the terminals of the device, have a larger diameter head in contact with a semiconductor crystal placed between said head and a block constituting the other terminal, then coating the semiconductor crystal, the adjacent parts of the block and the metallic wire in a rubber coating, and finally overcoating a rigid, insulating material on said coating and the parts of the metallic wire and the block adjacent to it. 2 - Process according to claim 1, characterized in that the head of the wire has a diameter not exceeding three times that of the wire. 3 - Process according to claim 2, characterized in that the head of the wire has a diameter between twice and three times that of the wire. 4 - Process according to claim 1, one of any of the claims 2 and 3, characterized in that the remaining dimensions of the wire and the crystal are such that the crystal protrudes beyond the circumference of the wire's head. 5 - Process according to any of the preceding claims, characterized in that the crystal is welded to the head of the wire and the block forming the terminal. 6 - Process according to claim 5, characterized in that the welding of the crystal is performed without flux. 7 - Process according to any of the preceding claims, characterized in that the block forming the terminal has protrusions that are trapped by the rigid, insulating material. 8 - Process according to any of the preceding claims, characterized in that the rigid, insulating material is composed of a synthetic resin. 9 - Semiconductor diode, characterized in that it is realized by implementing the process according to any of the preceding claims.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: -#VE#D iCATION S ll Procédé d'élaboration de circuits intégrés sur une plaquette semiconductrice comportant au moins un circuit logique du type saturé et un circuit analogique, procédé selon lequel on diffuse dans la plaquette. semiconduetrice un métal apte à réduire la durée de vie des porteurs de charge au sein de cette plaquette, procédé selon lequel, en outre, on réalise sur les zones actives des circuits à travers des fenêtres percées dans une couche d'isolement des diffusions d'impuretés de type n et p aptes à changer localement les types de conductivité du semiconducteur procédé caractérisé en ce que consécutivement à la diffusion des impuretés de type n et p et avant d'effectuer la diffusion dudit métal on ouvre des fenêtres t'auxiliaires" recouvrant au moins les bases desdits circuits logiques mais non celles desdits circuits analogiques. 2/ Procédé de dopage de circuits intégrés selon la revendication 1 caractérisé par le fait que ledit métal étant de l'or on procède après l'ouverture desdites fenêtres à une introduction d'or dans le bioxyde de silicium puis on effectue par chauffage la diffusion solide à solide dudit oxyde dopé d'or à l'intérieur des zones actives du composant semiconducteur.<\|EOS\|><\|BOS\|>-#VE#D iCATION S ll Procédé d'élaboration de circuits intégrés sur une plaquette semiconductrice comportant au moins un circuit logique du type saturé et un circuit analogique, procédé selon lequel on diffuse dans la plaquette. semiconduetrice un métal apte à réduire la durée de vie des porteurs de charge au sein de cette plaquette, procédé selon lequel, en outre, on réalise sur les zones actives des circuits à travers des fenêtres percées dans une couche d'isolement des diffusions d'impuretés de type n et p aptes à changer localement les types de conductivité du semiconducteur procédé caractérisé en ce que consécutivement à la diffusion des impuretés de type n et p et avant d'effectuer la diffusion dudit métal on ouvre des fenêtres t'auxiliaires" recouvrant au moins les bases desdits circuits logiques mais non celles desdits circuits analogiques. 2/ Procédé de dopage de circuits intégrés selon la revendication 1 caractérisé par le fait que ledit métal étant de l'or on procède après l'ouverture desdites fenêtres à une introduction d'or dans le bioxyde de silicium puis on effectue par chauffage la diffusion solide à solide dudit oxyde dopé d'or à l'intérieur des zones actives du composant semiconducteur.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REV3IiDICATIOIDS\n<CLM>\1\t- Procédé de préparation d'un café brut contenant de la caféine, digeste et pauvre en substances irritantes, caractérisé par le fait qu'on laveries grains de café brut séchés, purifiés et réchauffes à une température de 30-580C, notamment de 40-480C, dans un solvant du groupe des hydrocarbures chlorés, préalable fient chauff à une température proche de son point d'ébullition pendant une période de 10-60 minutes, notamment de 25-40 minutes, en maintenant la température du solvant, le solvant étant ensuite élimin de façon connue, notamment par passage à la vapeur.\n<CLM>\1\t- Procédé selon la revendication 1, dans lequel les grains de café sont constamment brassés pendant le lavage.\n<CLM>\1\t- Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel, après le lavage et après le passage à la vapeur, connu en soi, le café brut est séché jusqu'à son humidité initiale par séchage rapide, il est ensuite brièvement refroidi dans un courant d'air froid et, ensuite il est encore une fois traité par frottement et polissage après refroidissement de la surface des grains.\n<CLM>\1\t- Procédé selon la revendication 3, dans lequel la slr- face des grains de café est traitée pai frottement et polissage pendant le séchage rapide.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé permettant la fabrication de tous les plats cuisinés sans exception sans chaîne de congélation ni liophylisation et leur conservation à l'état de frais.\n<CLM>\1\tProcédé selon revendication 1 permettant de cuisiner normalement n'importe quel plat.\n<CLM>\1\tProcédé selon revendication 1 permettait après conservation de plusieurs mois de consommer immédiate ment n'importe quel plat au même état de fraicheur que s'il venait d'être cuisiné.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S 1 - Un procédé de fabrication simultanée d#un grand nombre de circuits intégrés sur un même substrat semiconducteur, isolés les uns des autres, caractérisé en ce que l'on dépose successivement sur le substrat monocristallin préalablement poli une couche de nitrure d'un oarps semiconducteur et, au cours de la même opération, uns couche du rsre corps semiconducteur très fortement orientée, ulté- rieurement découpée en pavés constituant les circuits élémentaires. 2 - Bh procédé de fabrication selon revendication 1 dans lequel la couche de nitrure est obtenue par décomposition de silane en sence d'ammoniac et la couche de silicium par décomposition de si laite. 5 - Un procédé de fabrication selon revndication 2 dans lequel les deux opérations sont effectuées à uns même températ co prise entre 800 et 9000 C et le débit de silane est Mintemi à pas valeur inférieure à 1 o/oo.\n<CLM>\1\tCircuit intégré sur substrat semiconducteur surmonté d'une couche de nitrure du même semiconducteur réalisé sur une couche fortement orientée de semiconducteur de même nature obtenue par mise as oeuvre du procédé Selon revendications 1, 2 ou 3.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tRongeant pour la structuration des couches d'aluminium, en particulier dans la technique des semi-conducteurs, qui sert à ronger les régions d'une couche métallique d'aluminium non recouvertes par un cache exécuté par un procédé photolithographique sur une couche mince d'aluminium, caractérisé en ce qu'il est composé d'un mélange d'acide phosphorique et d'acide nitrique contenant un métal lourd.\n<CLM>\1\tRongeant selon la revendication 1, caractérisé en ce que comme métaux lourds on utilise des sels de cuivre, de fer ou de nickel.\n<CLM>\1\tRongeant selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il est composé d'un mélange d'acide phosphorique à 70-75 % et acide nitrique à 66 % dans la proportion de 13 : 1 et qu'à 1 000 g de ce mélange acide, on ajoute de 5 à 2 500 mu de cuivre sous forme d'un sel soluble.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: - REVENDICATIONS 1.- Procédé de contrôle, sur une plaquette semi-conductrice, de l'alignement des diverses photogravures nécessaires à la formation d'au moins un dispositif de type planaire, caractérisé en ce que, simultanément à une première opération de photogravure et dans les mêmes conditions, on élabore un premier motif de contrôle comportant au moins un ensemble en forme de deux escaliers symétriques et en ce que, simultanément à une seconde opération de photogravure suivant immédiatement la précédente et en superposition du premier motif, on élabore, dans les mêmes conditions, un second motif de cnntrôle comportant au moins un rectangle et en ce que l'on compare la position du rectangle du second motif par rapport à celle des es-caliers du premier motif. 2.- Procédé de contrôle selon la revendication 1 caractérisé en ce que les escaliers du premier motif sont constitués d'un nombre impair de marches. 3.- Procédé de contrôle selon l'ensemble des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que l'intervalle entre deux marches en regard l'une de l'autre est égal à la largeur du rectangle du second motif. 4.- Procédé de contrôle selon la revendication 1 caractérisé en ce que la hauteur des marches constituant les escaliers du premier motif est constante et de l'ordre des dimensions des îlots diffusés des dispositifs réalisés sur la plaquette semi-conductrice. 5.- Procédé de contrôle selon la revendication 1 caractérisé en ce que le premier motif de contrôle comporte deux ensembles de deux escaliers symétriques disposés orthogonalement et en ce que le second motif comporte deux rectangles également disposés orthogonalement, chacun d'entre eux étant associé à un ensemble de deux escaliers symétriques. 6.- Dispositif semi-conducteur portant des motifs de contrôle selon l'une des revendications 1 à 5.<\|EOS\|><\|BOS\|>- CLAIMS 1.- Control method, on a semiconductor chip, of aligning the various photogravures necessary to the formation of at least one planar device, characterized in that, simultaneously with a first photogravure operation and under the same conditions, a first control pattern is fabricated comprising at least one pair of symmetric steps and in that, simultaneously with a second photogravure operation following immediately the previous one and superimposed on the first pattern, a second control pattern is fabricated under the same conditions comprising at least one rectangle and in that the position of the rectangle of the second pattern is compared to that of the steps of the first pattern. 2.- Control method according to claim 1 characterized in that the steps of the first pattern are composed of an odd number of steps. 3.- Control method according to all claims 1 and 2 characterized in that the distance between two steps facing each other is equal to the width of the rectangle of the second pattern. 4.- Control method according to claim 1 characterized in that the height of the steps forming the steps of the first pattern is constant and of the order of the dimensions of the diffuse islands of the devices fabricated on the semiconductor chip. 5.- Control method according to claim 1 characterized in that the first control pattern comprises two sets of two symmetric steps arranged orthogonally and in that the second pattern comprises two rectangles also arranged orthogonally, each of them being associated with a set of two symmetric steps. 6.- Semiconductor device carrying control patterns according to one of the claims 1 to 5.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: - REVENDICATIONS 1.- Boîtier dissipateur destiné à contenir des circuits électroniques comportant des dispositifs semiconducteurs et à faciliter l'évacuation de la chaleur resuI.tant de la puissance dissipée dans lesdits circuits, caractérisé en ce que le corps du boîtier est constitué par une pièce moulée faite. en un alliage bon conducteur de la chaleur, comportant des surépaisseurs importantes aux emplacements de fixation des dispositifs-semiconducteurs de puissance et dont la surface externe est constituée, au moins partiellement, par des nervures. 2.- Boîtier dissipateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'alliage utilisé est un alliage- AZ 10- U4 contenant principalement environ-#86 % d'aluminium, 10 % de zinc et 4 % de cuivre.<\|EOS\|><\|BOS\|>- REVENDICATIONS 1.- Heat sink housing intended to contain electronic circuits comprising semiconductor devices and to facilitate the removal of heat resulting from the power dissipated in said circuits, characterized in that the body of the housing is composed of a molded piece made of a heat-conducting alloy, comprising important thicknesses at the fixing positions of the semiconductor power devices and whose external surface is composed, at least partially, of ribs. 2.- Heat sink housing according to claim 1, characterized in that the alloy used is an AZ 10- U4 alloy containing mainly about 86% aluminum, 10% zinc and 4% copper.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REy,E N D I C A T r\n<CLM>\1\tProcédé de déshydratation athermique d'aliments caractérisé en ce qu'il consiste à mettre des morceaux d'aliments directement au con tact d'un agent desséchant solide convenant à l'usage alimentaire puis à séparer l'aliment séché de l'agent déshydratant contenant l'eau.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'aliment à déshydrater est sous forme de tranches de copeaux ou de cubes.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que les tranches ont une épaisseur comprise entre 1 et 5 mm.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on l'applique à une substance alimentaire partiellement séchée.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'agent desséchant utilisé est choisi parmi un agent desséchant convenant à l'usage alimentaire tel que du phosphaté disodique anhydre, du phosphate disodique partiellement hydraté, du sulfate de cal cium anhydre, du carbonate de sodium anhydre, du gel de siliceS de l'ale mine activée et des silicates absorbant l'eau, naturels ou synthétiques.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'agent desséchant utilisé est obtenu par régéné ration d'un agent desséchant contenant de l'eau.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\tcaractérisé en ce qu'il s'applique à l'ail.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il s'applique aux carottes.\n<CLM>\1\tAliment déshydraté caractérisé en ce qu'on l'a préparé selon le procédé de l'une quelconque des revendications 1 à 8.<\|EOS\|><\|BOS\|>REy,E N D I C A T r<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/ Perfectionnement au procédé de gravure chimique des couches minces suivant lequel la couche mince, protégée au préalable en partie par un agent inhibiteur, est soumise à l'action d'un agent liquide actif puis rincée à l'eau courante caractérisé en ce qu'il consiste à placer ladite couche mince à graver sur un support incliné par rapport à l'horizontale, à recouvrir ladite couche mince au moyen d'une pellicule d'eau s'écoulant en permanence vers le bas, à mettre l'agent liquide actif sous forme d'aérosol et à projetter cet aérosol sur la couche à graver à travers la pellicule d'eau. 2/ Dispositif de mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend, reliés à un châssis, un support incliné pour substrats de couches minces, une douche à débit réglable établissant sur le substrat une mince pellicule d'eau, un dispositif aérolyseur (atomiseur) pneumatique, entrainé en mouvement le long de rails parallèles au plan du substrat et alimenté en gaz sous pression ainsi qu'en liquide actif.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé de réalisation d'un ensemble de circuits in tégrés à croisements d'éléments conducteurs sur une plaquette de silicium, caractérisé en ce qu une couche conductrice d'un siliciure métallique est mise en place sur une partie de ladite plaquette de manière que, en service, la couche et la plaquette soient pratiquement isolées électriquement l'une de l'autre, le métal étant choisi dans un groupe comprenant le palladium, le platine, le rhodium et l'iridium, la couche conductrice est exposée à une atmosphère contenant de l'oxygène à une température choisie de manière à former sur une partie de cette couche une couche isolante de silice SiO2,et une matière conductrice est mise en place-sur ladite couche isolante. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le siliciure métallique est du siliciure de platine. 3 - Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que ladite partie de ladite plaquette forme une jonction p-n avec la plus grande partie de ladite plaquette. 4 - Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la couche de siliciure métallique forme une barrière de Schotticy avec ladite partie de ladite plaquette.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour la préparation d'une boisson à base du"champignon du thé", caractérisé en ce qu'on mélange dans les proportions suivantes, dix litres d'eau portés à ébullition, avec environ un kilogramme, un kilogramme 1/4 de saccharose, auquel mélange on ajoute environ deux à trois cuillerées à soupe de thé noir, ainsi que quelques citrons coupés en deux, encore le jus de quelques citrons ; on dépose sur le tout un champignon du thé, mélange que l'on place pendant dix jours environ à une température de vingt degrés centigrades environ dans un récipient muni d'un couvercle, pour ensuite filtrer après cette période ce mélange et le placer dans des récipients hermétiques durant quelques jours à une température voisine de dix degrés centigrades.\n<CLM>\1\tProcédé pour la préparation d'une boisson à base du "champignon du thé" suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'on remplace la saccharose par du glucose ou un autre glucide.\n<CLM>\1\tProcédé pour la préparation d'une boisson à base du "champignon du thé" suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'on remplace les quelques citrons par un acide citrique en quantité plus ou moins égale à celle du jus de deux citrons.\n<CLM>\1\tProcédé pour la préparation d'une boisson à base du "champignon du thé" comme décrit ci-dessus.\n<CLM>\1\tBoisson obtenue selon le procédé décrit dans l'une quelconque des revendications ci-dessus.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de congélation de produits liquides ou semiliquides essentiellement caractérisé par le fait que le produit à congeler, pulvérisé en gouttelettes dans un courant de gaz froid, est projeté sur une paroi présentant une surface finement divisée, les particules solidifiées déposées sur cette surface étant ensuite recueillies par tout moyen approprié.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la surface finement divisée est chauffée avant l'impact des particules du produit à congeler.\n<CLM>\1\tDispositi! pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé par le fait qu'il comprend un moyen de pulvérisation du produit à congeler dans un courant de gaz froid et une surface présentant de multiples stries, rugosités ou aspérités et sur laquelle sont projetées les particules du produit à congeler et un moyen de raclage de ladite surface.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 3, caractérisé par le fait que la surface sur laquelle sont projetées les particules du produit à congeler est une brosse, une surface garnie de poils ou de filaments, une surface souple ou rigide finement striée ou garnie d'aspérités.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICA2IONS\n<CLM>\1\tProcédé perfectionné de condensation et/ou de congé- lation de produits solides, liquides, gazeux ou piteux en vue ou non de lyophilisation selon lequel le produit à congeler est traité par un fluide frigoporteur, procédé caractérisé par le fait que l'on effectue l'opération de congélation dans une enceinte comportant au moins une paroi poreuse-lais,sant passer les gaz ou véhicules frigorigènes ou frigoporteurs ayant servi à cette opération et retenant le produit congelé.\n<CLM>\1\tInstallation pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1, caractérisée par le fait qu'elle comprend une enceinte dans laquelle s'effectue l'opération de congélation, enceinte comportant au moins uneparoi poreuse, au moins un moyen mécanique approprié pour recueillir et récupérer le produit congelé et, éventuellement, un moyen pour recueillir et récupérer le fluide frigorigène ou frigoporteur.\n<CLM>\1\tInstallation selon la revendication 2, caractérisée par le fait que ladite enceinte comporte un sac à secousses à parois poreuses.\n<CLM>\1\tInstallation selon la revendication 2, caractérisée par le fait que ladite enceinte comporte une paroi poreuse fixe et un dispositif mécanique de raclage de cette dernière.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS :\n<CLM>\1\tCible en silicium de type n pour un tube de prise de vues, dans laquelle peuvent être présents, selon une trame, des îlots en silicium de type p, d'une profondeur comprise entre 0,5 et 5 /um alors que le silicium de type n situé hors de ladite trame est blindé par du SiO2 adhésif, d'une épaisseur comprise entre 0,2 et 2/um, caractérisé en ce que les surfaces des îlots en silicium de type p sont enfoncées jusqu'à une profondeur comprise entre 0,1 et 1 /um par rapport au silicium de type n, et ne ce que cet enfoncement s t étend dans la direction horizontale sur à peu près la même distance au-dessous du SiO2 et qu'une couche métallique adhésive se trouve sur les îlots en silicium de type p, qui est ancrée entre 1 et 5 /um, ce métal étant plus précieux que le cadmium.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS:\n<CLM>\1\tSilicon target for a view port tube, in which, according to a pattern, silicon islands of type p may be present, with a depth between 0.5 and 5 nm, while the silicon of type n located outside the said pattern is coated with an adhesive SiO2 layer, with a thickness between 0.2 and 2 nm, characterized in that the silicon islands of type p have their surfaces depressed to a depth between 0.1 and 1 nm relative to the silicon of type n, and that this depression extends in the horizontal direction to about the same distance below the SiO2 and that a conductive adhesive layer is present on the silicon islands of type p, which is anchored between 1 and 5 nm, with the metal being more valuable than cadmium.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATION Matrice à semi-conducteurs à diodes sur substrat diélectrique, dans laquelle les diodes sont raccordées par des bandes d'un matériau semi-conducteur, formant l'une des régions dans chaque diode, tandis que dans les colonnes elles sont raccordées au moyen de barres conductrices, caractérisée en ce que les bandes de matériau semi-conducteur sont disposées dans le substrat diélectrique de niveau avec sa surface et sont entourées du côté du substrat d'une couche de matériau possédant une conductibilité plus grande en comparaison avec celle du matériau semi-conducteur de la bande, la bande mentionnée en matériau semi-conducteur et la couche qui l'entoure formant l'une des barres conductrices de la matrice raccordant les diodes dans les lignes.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tElément de circuit caractérisé par une couche de matière support et une bande semi-conductrice déposée sur ce support, cette bande semi-conductrice étant formée d'une matière semi-conductrice polycristalline ayant une résistivité d'une valeur donnée pour modifier de façon prédéterminée l'atténuation de cet élément de circuit.\n<CLM>\1\tElément de circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que la bande conductrice est en silicium polycristallin.\n<CLM>\1\tElément de circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière semi-conductrice polycristalline contient une quantité prédéterminée d'impuretés pour modifier sa résistivité de façon correspondante.\n<CLM>\1\tElément de circuit selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en 6 ce que la résistivité du silicium polycristallin est comprise entre 10 ohm-cm et 0,01 ohm-cm.\n<CLM>\1\tElément de circuit selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisé en ce qu'il comporte des éléments supports en matière métallique.\n<CLM>\1\tElément de circuit caractérisé en ce qu'il constitue un condensateur comportant des armatures conductrices séparées par une matière semi-conductrice en semi-conducteur polycristallin ayant une résistivité d'une valeur donnée.\n<CLM>\1\tCondensateur selon la revendication 6, caractérisé en ce que la matière semi-conductrice est du silicium polycristallin.\n<CLM>\1\tElément de circuit selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce que la matière semi-conductrice polycristalline contient une quantité prédéterminée d'impuretés pour modifier sa résistivité.\n<CLM>\1\tElément de circuit selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce 6 que la résistivité du silicium polycristallin est comprise entre 106 ohm-cm et 0,01 ohm-cm.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS l - Procédé de fabrication d'un panneau d'interconnexion à couches multiples, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations de formation d'un nombre voulu de couches électrodes 5 sur un substrat provisoire 10, de recouvrement de la surface dudit substrat provisoire 10 avec une couche 2 de matériau électriquement isolant de manière à laisser découverte une partie de la surface de ladite couche électrode 5, de formation d'une couche conductrice externe 6 pour lesdites couches électrodes 5, et ensuite d'élimination dudit substrat provisoire\n<CLM>\1\t2 - Procédé de fabrication d'un panneau dtinterconnexion à couches multiples, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations de formation d'un ensemble de couches électrodes 5 sur un substrat provisoire 10, de recouvrement de la surface dudit substrat provisoire 10 avec une première couche de matériau électriquement isolant 2 de manière à laisser découverte une partie de la surface de chaque couche électrode 5, de formation d'une première couche métallisée 6 sur la surface de ladite couche 2 de matériau électriquement isolant et ainsi de connexion avec les couches prédéterminées desdites couches électrodes 5, de formation d'une seconde couche 3 en matériau électriquement isolant qui couvre la surface de ladite couche 2 en matériau isolant de manière à laisser découvertes des parties de ladite première couche métallisée 6, et d'élimination dudit substrat provisoire 10 avant ou après formation d'une troisième couche 4 de matériau électriquement isolant de manière à couvrir toutes les surfaces de ladite couche de matériau isolant 3 et de ladite seconde couche métallisée 8.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé d'assemblage de pièces électroconductrices, consistant à introduire dans l'espace entre les pièces à assembler un matériau à bas point de fusion à l'état fondu, à faire dissoudre les couches superficielles du matériau des pièces à assembler dans le matériau à bas point de fusion à l'état fondu, puis à faire solidifier les couches superficielles et à chasser le matériau à bas point de fusion à l'état fondu de l'espace entre les pièces à assembler, caractérisé en ce que la solidification des couches superficielles du matériau des pièces à assembler et l'éviction du matériau à bas point de fusion à l'état fondu de l'espace entre les pièces à assembler s'effectuent en faisant circuler un courant continu à travers les pièces à assembler et le matériau à bas point de fusion à l'état fondu.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le vecteur densité du courant que l'on fait circuler à travers les pièces à assembler et le matériau à bas point de fusion à l'état fondu est dirigé suivant la tangente à la surface du joint des pièces assembler.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/ Procédé pour souder un matériau sur un corps semiconducteur caractérisé par le fait qu'il consiste a chauffer ledit corps semiconducteur sur lequel est posé ledit matériau en faisant passer un courant électrique à travers ledit corps pour obtenir la fusion dudit matériau. 2/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que pendant le passage du courant électrique, ledit corps semiconducteur et ledit matériau sont placés dans une atmosphère neutre. 3/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le passage du courant dans le corps semiconducteur est obtenu en appliquant en pression sur ledit corps semiconducteur deux électrodes reliées à une source de courant électrique. 4/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit corps semiconducteur est un monocristal de carbure de silicium. 5/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit matériau est un corps métallique formant, après soudure, un contact électrique sur ledit corps semiconducteur. 6/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit matériau est un autre corps semiconducteur. 7/ Procédé selon la revendication 3, caractérise par le fait que lesdites électrodes sont des pointes de platine.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1/ Procedure for soldering a material onto a semiconductor body characterized by the fact that the said semiconductor body is heated on which the said material is placed by passing an electric current through the said semiconductor body to obtain the fusion of the said material. 2/ Procedure according to requirement 1, characterized by the fact that during the passage of the electric current, the said semiconductor body and the said material are placed in a neutral atmosphere. 3/ Procedure according to requirement 1, characterized by the fact that the passage of the current in the semiconductor body is obtained by applying pressure on the said semiconductor body with two electrodes connected to an electric current source. 4/ Procedure according to requirement 1, characterized by the fact that the said semiconductor body is a silicon carbide monocrystal. 5/ Procedure according to requirement 1, characterized by the fact that the said material is a metallic body forming an electrical contact with the said semiconductor body after soldering. 6/ Procedure according to requirement 1, characterized by the fact that the said material is another semiconductor body. 7/ Procedure according to requirement 3, characterized by the fact that the said electrodes are platinum tips.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: -REVEN1)ICATI0NS- 1.- Un procédé de traitement de produits carnés fumés à froid, du type consistant à placer les produits dans des enveloppes perméables à la vapeur et à les sécher ensuite avec de l'air, caractérisé en ce que le séchage est effectué par circulation forcée et chauffage simultané de l'air de séchage. 2.- Un procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que pendant le séchage l'air circule à une vitesse allant de 1 à 5 m/s et à une température de +20 à +400C. 3.- 'les produits carnés fumés à froid, caractérisés en ce qu'ils sont obtenus par le procédé suivant l'une des revendications 1 et 2.<\|EOS\|><\|BOS\|>-REVEN1)ICATI0NS- 1.- A method of cold smoking of meat products comprising placing the products in permeable bags and then drying them with air, characterized in that the drying is carried out by forced circulation and simultaneous heating of the drying air. 2.- A method according to claim 1, characterized in that during the drying the air flows at a speed ranging from 1 to 5 m/s and at a temperature of +20 to +400°C. 3.- The cold smoked meat products characterized in that they are obtained by the method according to one of claims 1 and 2.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: E V E i D I C T I O N b\n<CLM>\1\tBoîtier étanche pour diode semi-conductrice utilisable en hyperfréquences comble mélangeuse ou comme détectrice, comportant un cylindre isolant en alumine, deux connexions cylindriques de reprise extérieure de courant, une pastille semi-conductrice à barrière de schottky munie d'un fil d'anode fixé par thermo-compression sur sa métallisation, caractérisé en ce que la pastille est fixée au moyen de colle conductrice de l'électricité par sa face cathodique à 1' extrémité d'une tige métallique prolongeant intérieurement lune desdites connexions de reprise de courant et en ce que la deuxième extrémité du fil d'anode dont la longueur est inférieure au dixième de la longueur d'onde la plus courte de la bande de fréquence utile est fixé par thermo-compression à la métallisation du cylindre isolant en alumine à l'endroit où celle-ci est brasée à la seconde connexion de reprise de courant.\n<CLM>\1\tBottier étanche pour diode semi-conductrice utilisable en hyperfréquences comme mélangeuse ou comme détectrice selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'adaptation de la diode au guide d'onde s'obtient en utilisant simultanément un corps cylindrique d'aluminevie 1 millimètre d'épaisseur et une tige centrale supportant la pastille semi-conductrice dont la longueur est inférieure au quart de la longueur d'onde et dont le diamètre est de 1,5 millimètre.<\|EOS\|><\|BOS\|>E V E I D I C T I O N b<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: RVENDICATIONS. 1.- Procédé de réduction ae-ia teneur du café en principes excitants par un traitement à température accrue, caractérisé en ce que le traitement à température accrue est réalisé à l'aide d'air chaud humide, ce traitement à l'air chaud humide étant suivi d'un refroidissement sous pression réduite 2.- Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le traitement à l'air chaud humide et le refroidissement sous pression réduite sont répétés à plusieurs reprises. 3.- Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que l'on répète au moins trois fois le traitement à l'air chaud humide et le refroidissement sous pression réduite. 4,- Installation pour la mise en oeuvre du procédé suivant l'une ou l'autre des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la traitement alternatif à l'air chaud humide et le refroidisseient sous pression réduite sont réalisé dans un tambour rotatif à double paroi 5.- Installation suivant la revendication 4, ceracté risée en ce que le tambour est monté à rotation sur un arbre creux perforé, 6.- Procédé suivant la revendication 19 caractérisé en ce que le traitement des grains de café par de l'air chaud huvide, se trouvant à environ 1250C, s'effectue pendant une durée d'environ 30 minutes dans un tambour en rotation continuelle, dont la paroi se trouve à une température légèrement inférieure, et le traitement subséquent sous pression réduite d'une durée d'environ 30 minutes, jusqu'à un vide final d'environ 100 mm de Hg avec refroidissement simultané de la température de la paroi du tambour, le traitementà l'air chaud et le refroidissement sous pression réduite étant ensuite répétés au moins deux fois.<\|EOS\|><\|BOS\|>RVENDICATIONS. 1.- Procedure of reducing the caffeine content in coffee in principle excitable substances by a high temperature treatment, characterized in that the high temperature treatment is carried out with hot humid air, and the high temperature treatment with hot humid air is followed by a reduced pressure cooling. 2.- Procedure according to claim 1, characterized in that the high temperature treatment with hot humid air and the reduced pressure cooling are repeated several times. 3.- Procedure according to claim 2, characterized in that the high temperature treatment with hot humid air and the reduced pressure cooling are repeated at least three times. 4.- Installation for the implementation of the procedure according to one or either of claims 1 to 3, characterized in that the alternating treatment with hot humid air and the reduced pressure cooling is carried out in a double-walled rotating drum. 5.- Installation according to claim 4, characterized in that the drum is mounted on a hollow shaft with a perforated surface. 6.- Procedure according to claim 19, characterized in that the coffee grains are treated with hot humid air at about 1250°C, for about 30 minutes in a continuously rotating drum, whose wall is slightly cooler, and the subsequent reduced pressure treatment for about 30 minutes, until a final vacuum of about 100 mm Hg is achieved with simultaneous cooling of the drum wall temperature, and the high temperature treatment and the reduced pressure cooling are then repeated at least twice.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de traitement de champignons destinés à la mise en conserve, en vue de réduire leur perte de poids lors du blanchiment et de la stérilisation, caractérisé en ce que l'on plonge les champignons dans de l'eau déminéralisée et qu'on soumet l'eau et les champignons à un vide poussé mais insuffisant pour faire bouillir l'eau, pendant une durée de 15 à 25 minutes, les champignons étant maintenus dans l'eau pendant un laps de temps'une heure et demie à deux heures et demie après rupture du vide, puis blanchis et stérilisés. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les champignons sont préalablement lavés à liteau déminéralisée. 3.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que, la température de l'eau est de l'ordre de 20 C, le vide étant de l'ordre de 25 Torr.\n<CLM>\1\t- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le vide est maintenu pendant 20 minutes et que les champignons sont ensuite maintenus dans l'eau pendant deux heures. 5.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il est combiné avec un traitement de stérilisation effectué à une température de l'ordre de 130ex et pendant une durée de 3 minutes environ. 6.- Appareillage permettant l'exécution du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé par un récipient pouvant contenir de l'eau déminéralisée et des champignons, des moyens pour maintenir les champignons plongés dans l'eau et une enceinte à vide pouvant contenir ledit récipient.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Structure semi-conductrice du genre comprenant un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivité revetu par une couche semiconductrice d'un type de conductivité opposé audit premier type et munie de murs d'isolement qui atteignent le dit substrat et qui définissent à l'intérieur de ladite couche semi-conductrice des poches, une au moins de ces dernières étant destinée à être pourvue ultérieurement d'au moins un dispositif actif caractérisée en ce que lesdits murs d'isolement sont d'une épaisseur pratiquement uniforme.\n<CLM>\1\t- Structure semi-conductrice selon la revendication 1 caractérisée en ce que les murs d'isolement sont formés par diffusion d'une impureté dudit premier type de conductivité dans ladite couche. 3.- Structure semi-conductrice selon les revendications 1 ou 2 dans laquelle au moins un dispositif passif est formé dans une desdites poches.\n<CLM>\1\t- Structure semi-conductrice selon les revendications 1, 2 ou 3 dans laquelle lesdits murs d'isolement forment au moins un partie pratiquement un quadrillage à la surface de ladite structure, de telle sorte que dans cette partie il y ait au moins une poche dont au moins un mur d'isolement contacte au moins un mur d'isolement d'une autre poche adjacente, c'est à dire que les murs d'isolement dans cette partie forment une ligne ininterrompue selon la configuration désirée.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/ Procédé de fabrication de composant semiconducteur au silicium comprenant les étapes suivantes a) fabrication d'une structure semiconductrice en silicium dont une face au moins est recouverte d'une couche de silice percée de fenêtres de connexion laissant apparaître un alliage de silicium et de platine; b) dépôt d'une couche de titane sur ladite face; c) dépôt d'une couche de platine sur ladite couche de titane; d) enlèvement sélectif de ladite couche de platine de manière à ne la laisser subsister que dans des zones de connexion comprenant lesdites fenêtres; e) création d'une couche isolante sur les parties de ladite couche de titane non recouverte par la couche de platine subsistante. f) dépôt d'une couche d'or par électrolyse sur ladite couche de platine subsistante; g) enlèvement de ladite couche isolante; h) enlèvement de ladite couche de titane dans ses parties non protégées par lesdites couches de platine et d'or, caractérisé par le fait que dans l'étape e) ci-dessus, la création de ladite couche isolante est faite par un processus d'oxydation apte à oxyder la partie de ladite couche de titane non protégée par ladite couche de platine subsistante sans oxyder cette couche de platine. 2/ Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite oxydation est une oxydation chimique par une solution d'acide sulfurique dans de l'eau. 3/ Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite oxydation est une oxydation anodique avec un électrolyte contenant de l'acide sulfurique et de l'eau. 4/ Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdits enlèvements de ladite couche isolante et des parties de ladite couche de titane au cours desdites étapes g et h sont obtenus à l'aide d'une solution constituée d'acide sulfurique et d'eau oxygénée.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1/ Manufacturing method of a semiconductor component made of silicon comprising the following steps a) fabrication of a silicon semiconductor structure having at least one face covered with a silicon dioxide layer having connection windows exposing a silicon and platinum alloy; b) deposition of a titanium layer on said face; c) deposition of a platinum layer on said titanium layer; d) selective removal of said platinum layer in such a way as to leave it only in connection zones comprising the said windows; e) formation of an insulating layer on the parts of said titanium layer not covered by the remaining platinum layer; f) deposition of an gold layer by electrolysis on said remaining platinum layer; g) removal of said insulating layer; h) removal of said titanium layer in its parts not protected by the said platinum and gold layers, characterized in that in the step e) above, the formation of said insulating layer is carried out by a chemical oxidation process suitable for oxidizing the part of said titanium layer not protected by the remaining platinum layer without oxidizing the said platinum layer. 2/ Manufacturing method according to claim 1, characterized in that said oxidation is a chemical oxidation by a solution of sulfuric acid in water. 3/ Manufacturing method according to claim 1, characterized in that said oxidation is an anodic oxidation with an electrolyte containing sulfuric acid and water. 4/ Manufacturing method according to claim 1, characterized in that the said removals of said insulating layer and parts of said titanium layer during steps g and h are carried out using a solution consisting of sulfuric acid and oxygenated water.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\télément refroidisseur destine à un composant à semi-conducteurs en disque et se composant de deux pièces dont chacune coopère avec une face du composant, caractérisé en ce que des plaquettes conductrices sont disposées entre les faces du composant à semi- conducteurs et chacune des deux pièces de refroidissement, colles-ci sont disposées sur un axe commun, les arrivées principales de courant destinées au composant passent en étant isolées par au moins l'une des deux pièces de refroidissement pour atteindre les plaquettes conductrices et ces arrivées principales ainsi que les plaquettes conductrices sont en matériau à meilleure conductivité électrique et conducti bilité thermique que les pièces de refroidissement.\n<CLM>\1\tElément refroidisseur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les deux plaquettes conductrices sont en m8me matériau que le composant à semi-conducteurs et des éléments de fixation les relient aux doux pièces de refroidissement.\n<CLM>\1\tElément refroidisseur selon l'une des revendications i et 2, caractérisé en ce que des éléments de fixation relient les arrivées principales de courant aux plaquettes conductrices.\n<CLM>\1\télément refroidisseur selon l'une quelconque des revendications i à 3, caractérisé en-ce qu'un agent de transmissien de chaleur-est inséré entre les plaquettes conductrices et les pièces correspondantes de refroidissement.\n<CLM>\1\tElémont refroidisseur selon la revendication 1, caractérisé en ce quturl revêtement métallique est déposé par électrolyse sur les arrivées principales de courant et les plaquettes conductrices.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransistor bipolaire pour ultra haute fréquence, caractérisé en ce que sa base est constituée par une région enterrée dans le collecteur.\n<CLM>\1\tTransistor suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la base est reliée à ses prises de contact par des diffusions pratiquées à partir de la surface du substrat.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un transistor bipolaire caractérisé par les étapes suivantes (i) dépot par épitaxie d'une couche faiblement dopée d'un premier type de conductivité, sur un substrat fortement dopé du même type de conductivité, cette couche servant de collecteur au futur transistor, (ii) insertion dans l'épaisseur de cette couche, d'une première région d'un deuxième type de conductivité opposé au premier, de façon que ladite région n'affleure pas à la surface de la deuxième couche, ladite région servant de base audit transistor, (iii) diffusion à partir do la sur2e3 de la deuxièm couche, dune trois1me région du uxième type de conductivité, cette troi sibme région rejoignant la première région, (iiii) diffusion dans ladite deuxième couche à partir de la surface de ladite deuxième couche d'une deuxième région formant jonction avec la première région, cette deuxième région servant d'émetteur au futur transistor.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la deuxième étape comporte le3 étapes supplémentaires suivantes (i) dépit par épitaxie sur ledit substrat d'une première partie de la deuxième couche, (ii) diffusion à partir de la surface de la première portion de ladite première région, (iii) dépôt de la deuxième couche sur l'ensemble.\n<CLM>\1\tProcédé suivant la revendication 3,caractérisé en ce que la deuxième étape comprend le bombardement de ladite couche par des ions appropriés, l'énergie de ceux-ci étant réglée pour obtenir la profondeur d'implantation convenable.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS I - Compositions fongicides pour le traitement des céréales et notamment du mais en vue de faciliter leur conservation, caractérisées en ce qu'elles contiennent comme matière active un mélange d'acide propionique et d'acide sorbique. 2 - Compositions selon la revendication I, caractérisées en ce qu'elles contiennent une partie d'acide propioniq?e pour de O,OI à 0,5 parties d'acide sorbique. 3 - Procédé de traitement du mais grain après récolte caractérisé en ce que l'an pulvérise sur les grains de mais une composi tion fongicide telle que définie aux revendications I et 2.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS I - Compositions fungicides for the treatment of cereals and particularly of the wheat in order to facilitate their storage, characterized in that they contain as active ingredient a mixture of propionic acid and sorbic acid. 2 - Compositions according to claim I, characterized in that they contain a part of propionic acid for 0,01 to 0,5 parts of sorbic acid. 3 - Treatment process of the wheat grain after harvest characterized in that an powder is applied to the wheat grains a composition fungicide such as defined in claims I and 2.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVEND I CÂT IONS\n<CLM>\1\tSachet de thé, caractérisé par le fait qu'il comprend tant du thé noir en feuilles que du thé instantané.\n<CLM>\1\tSachet de thé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le rapport pondéral de thé en feuilles : thé instantané dans le sachet est de 3:1 à 12 t\n<CLM>\1\t3. Sachet de thé suivant les revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre un agent tampon qui est de l'acide citrique, de l'acide ascorbique ou un de leurs sels.\n<CLM>\1\tSachet de thé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait que le thé dans les sachets est sous forme de thé noir en feuilles enrobé de thé instantané.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVEND CÂT IONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S 1 - Procédé de surgélation de produits notamment alimentaires, caractérisé en ce qu'il consiste à disposer ces produits individuellement à nu sur des plateaux, puis à les surgeler dans un appareil approprié, à les sortir ensuite de cet appareil pour les plonger dans de l'eau à 0 en vue de créer une pellicule de glace protectrice qui évite que ces produits se déshydratent, perdent leur saveur et leur aspect de fraicheur pendant leur stockage à basse température. 2 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'appareil destiné à surgeler les produits est un frigorifère transmettant le froid aux produits à surgeler par simple conduction. 3 - Produits surgelés obtenus par mise en oeuvre du procédé suivant la revendication 1.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVEND I CAT IONS\n<CLM>\1\tMontage en série de diodes réalisées sur un même substrat, caractérisé en ce que les diodes sont formées respectivement de couches semiconductrices de type de conductivité opposé formées sur le même substrat, lesdites diodes étant reliées entre elles par des couches très fortement dopées, constituant des secondes diodes polarisées en direct quand lesdites diodes sont polarisées en inverse.\n<CLM>\1\tMontage selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites diodes sont du type , et lesdites secondes diodes du type P+ N+.\n<CLM>\1\tMontage selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites diodes sont du type PN, et lesdites secondes diode du type N+ P+.\n<CLM>\1\tMontage selon la revendication 1, caractérisé en ce qi: lesdites diodes sont du type N NP P+, et lesdites secondes diode du type P N\n<CLM>\1\tMontage selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites diodes sont du type pi PN N+, et lesdites secondes diodes du type N P+.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVEND I CAT IONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de production d'un extrait de café, qui consiste à mettre en contact un mélange d'au moins deux variétés de cafés de qualité différente avec un liquide d'extraction aqueux dans une colonne d'extraction, et où chaque variété de café est séparément torréfiée et broyée, caractérisé en ce que chaque variété de café est introduite séparément dans des zones distinctes de la colonne d'extraction.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la variété de café de qualité supérieure est introduite dans ladite colonne d'extraction de sorte que ledit café de qualité supérieure est la dernière variété de café mise au contact du liquide d'extraction.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une ou l'autre des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que ladite variété de café de qualité supérieure est broyée à une granulométrie plus fine que les variétés de café de qualité inférieure.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: - REVENDICATIONS 1.- Procédé de réalisation d'un bloc semiconducteur monolithique comportant, à partir d'un substrat, successivement une première couche d'un composé semiconducteur monocristallin formé d'au moins deux composants dont les concentrations respectives varient de façon sensiblement continue suivant l'épaisseur de ladite couche, puis une seconde couche du même composé dans lequel lesdits composants sont présents selon un rapport fixe, caractérisé en ce que ladite première couche étant réalisée selon la technique de l'épitaxie en phase vapeur, ladite seconde couche est ensuite déposée selon la technique de l'épitaxie en phase liquide. 2.- Bloc semiconducteur monolithique caractérisé en ce qu'il est obtenu selon le procédé décrit sous la revendication\n<CLM>\1\t3.- Bloc semiconducteur monolithique selon la revendication 2 caractérisé en ce que les éléments simples entrant dans la formule chimique du matériau du substrat sont également présents dans la formule chimique du matériau des deux couches déposées sur ledit substrat. 4.- Bloc semiconducteur monolithique selon la revendication 2 caractérisé en ce que les éléments simples entrant dans la formule chimique du matériau du substrat sont différents de ceux entrant dans la formule chimique des deux couches déposées sur ledit substrat. 5.- Bloc semiconducteur selon l'ensemble des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que le matériau du substrat est de l'arséniure de gallium, GaAs, et le matériau des deux couches déposées sur ledit substrat du phosphure arséniure de gallium, GaAsP. 6.- Blo-c semiconducteur selon l'ensemble des revendications 2 et 4, caractérisé en ce que le matériau du substrat est du saphir, Au20}, et le matériau des deux couches déposées sur ledit substrat du nitrure de gallium, GaN.<\|EOS\|><\|BOS\|>- CLAIMS 1.- Method of manufacturing a monolithic semiconductor block comprising, from a substrate, successively a first layer of a monocrystalline semiconductor compound comprising at least two components whose respective concentrations vary substantially continuously according to the thickness of said layer, then a second layer of the same compound in which the said components are present in a fixed ratio, characterized in that said first layer is deposited by vapor phase epitaxy, and said second layer is then deposited by liquid phase epitaxy. 2.- Monolithic semiconductor block characterized in that it is obtained according to the method described in claim 1\n<CLM>\1\t3.- Monolithic semiconductor block according to claim 2 characterized in that the simple elements present in the chemical formula of the substrate material are also present in the chemical formula of the material of the two deposited layers on said substrate. 4.- Monolithic semiconductor block according to claim 2 characterized in that the simple elements present in the chemical formula of the substrate material are different from those present in the chemical formula of the two deposited layers on said substrate. 5.- Monolithic semiconductor according to all the claims 2 and 3, characterized in that the substrate material is gallium arsenide (GaAs), and the material of the two deposited layers on said substrate is gallium arsenide phosphide (GaAsP). 6.- Monolithic semiconductor according to all the claims 2 and 4, characterized in that the substrate material is sapphire (Au20), and the material of the two deposited layers on said substrate is gallium nitride (GaN).<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif pour appliquer en continu (traiter thermiquement, cuire, traiter à la vapeur ou à la fumée, saler ou refroidir) à des produits alimentaires tels que des préparations à base de viandes et de charcuterie, des traitements tels que traitement thermique, cuisson, traitement à la vapeur ou à la fumée, salaison et refroidissement, en u-tilisant un récipient rempli d'eau et un transporteur qui tourne dans ce récipient, dispositif caractérisé en ce que le récipient (1), rempli d'eau, est réalisé de façon que le niveau d'eau arrive à hauteur de l'arête inférieure de l'orifice d'alimentation (21) et de l'arête supérieure de la tôle directrice d'évacuation (14) et que le transporteur, logé dans le récipient, comprend des organes d'entraînement (4), fixés à des chaînes(5) parallèles, reliées mécaniquement à un arbre d'entraînement (6)et un entraînement réglable en continu (151 16).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transporteur, bouclé, est réalisé de façon que l'arbre d'entraînement (6) se trouve au-dessus du niveau d'eau et l'arbre de renvoi (8) en-dessous de ce niveau d'eau.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les organes d'entrainement (4) sont constitués de produits perforés ou d'éléments en forme de rat eau.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les temps de passage dans l'installation sont réglables en continu, à l'aide du moyen d'entraînement simple grâce à-un régleur (19), un moteur-shunt à courant continu, et un réducteur (15).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le fonctionnement synchrone entre le transporteur bouclé et le transporteur d'alimentation (20) est assuré par un sas d'entrée (2).<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tNouvelle méthode de conservation d'alimen ts, tels que fruits et légumes, soumis à une température suffisamment basse pour en assureur la conservation prolongée, caractérisée par le broyage préalable des dits produits en une bouillie à laquelle on peut ajouter d'autres ingrédients solides ou liquides, le dégèlement pouvant ainsi être effectué rapidement sans altérer la présentation du produit.\n<CLM>\1\tNouvelle méthode de conservation d'aliments selon renvendication 1), suivant laquelle divers espèces de fruits sont mélangés pour la formation dtune même bouillie.\n<CLM>\1\tNouvelle méthode de conservation d'aliments, selon revendication 1), suivant laquelle une seule espèce de fruits ou de légumes est utilisée à la préparation de la bouillie de base.\n<CLM>\1\tNouvelle méthode de conservation d'aliments selon revendication 1), suivant laquelle la bouillie de fruits crue ou cuite est mélangée à différents ingrédients solides ou liquides pour en assurer un fini partiel ou total avant sa congélation.\n<CLM>\1\tNouvelle méthode de conservation d'aliments, selon revendication 1), suivant laquelle le dégele du produit réfrigéré est effectué rapide ment par chauffage direct ou indirect.\n<CLM>\1\tNouvelle méthode de conservation d'aliments, selon revendication 1), suivant laquelle le produit congelé servira à confectionner "des glaces" par réduction du degré de congélation initial.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVLNDICATIONS\n<CLM>\1\tUn dispositif à couplage par la charge comprenant en combinaison un substrat de matière semi-conductrice une isolation formée sur la surface dudit substrat, des électrodes sélectivement espacées sur ladite isolation, une région dudit substrat semi-conducteur formée par une couche adjacente à ladite isolation ladite région ayant un type de conductivité opposé à celui du substrat sousjacent, mais avec une plus forte concentration d'impuretés.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une matière résistive formée entre les électrodes adjacentes recouvre ladite isolation.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que ledit substrat a une donductivité du type p et ladite région a une conductivité du type n.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que ledit substrat a une conductivité du type n et ladite région a une conductivité du type p.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites électrodes comprennent des zones sélectivement dopées de silicium polycristallin, avec des zones pratiquement non dopées de matière de silicium polycristallin formées entre. les électrodes adjacentes.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites électrodes sont constituées par des zones sélectivement dopées de silicium polycristallin et ladite matière résistive est constituée par des zones non dopées de matière de silicium polycristallin.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que ladite région a une concentration d'impu retés d'approximativement 1016 atomes/cc et ledit substrat a une concentration dtimpuretés d'approximativement 1014 atomes/cc.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIOlIS 1 - Procédé de concentration de jus de café caractérisé en ce que ce jus est soumis à une ultrafiltration, ltultrafiltrat est soumis à une osmose inverse puis les concentrats issus des compartiments amont des appareils dtul- trafiltration et d'osmose inverse sont réunis pour constituer le concentrat final. 2 - Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la membrane d'ultrafiltration a une zone de coupure comprise entre 54000 et 150.000. 3 - Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2 caractérisé en ce que la membrane d'ultrafiltration est obtenue par traitement thermique aqueux, avec ou sans étirage, de films en copolymères dlacrylonitrile et de monomère ionique. 4 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que le concentrat final est lyophilisé.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S REVENDICATIONS 1.-Procédé de fabrication du beurre, du type dans lequel le lait réchauffé est écrémé, puis la crème est soumise successivement à une pasteurisation et à une séparation pour l'obtention d'une crème riche en matières grasses qui est ensuite introduite dans une chambre de refroidissement où la température est quelque peu supérieure au point de fusion de la graisse du lait et dans laquelle la crème riche en matières grasses est pulvérisée et refroidie à l'état finement dispersé pour former des grains de beurre qui sont ensuite comprimés en blocs monolithes que l'on soumet à un traitement mécanique régulé, caractérisé en ce que la pulvérisation de la crème riche en matières grasses et son refroidissement à l'état pulvérisé sont effectués sous une surpression créée dans ladite chambre par les vapeurs d'un gaz qui est neutre vis à vis du produit et qui, étant amené dans ladite chambre à l'état liquéfié, s'y vaporise en provoquant le refroidissement de la crème. 2.- Procédé suivant la revendication 1, caracterisé en ce que dans la chambre de refroidissement on maintien une pression absolue des vapeurs de gaz neutre vis à vis du produit à une valeur non inférieure à 1,3 atmosphère et une température ne dépassant pas 80C. 3.- Procédé suivant l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'on utilise l'azote liquéfié ou le gaz carbonique en tant que gaz neutre par rapport au produit. 4.- Procédé suivant l'une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que la température de refroidissement de la crème riche en matières grasses pulvérisée est réglée par modification de la quantité de gaz neutre amené dans la chambre. 5.- Procédé suivant l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la crème riche en matières grasses est amenée dansla chambre de refroidissement sous une surpression de gaz. 6.- Le beurre caractérisé en ce qu'il est obtenu par le procédé suivant l'une des revendications 1 à 5.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDEMENTS REVENDICATIONS 1.-Manufacturing method of butter, of the type in which the warmed milk is creamed, then the cream is successively pasteurized and separated to obtain a rich fat cream which is then introduced into a cooling chamber where the temperature is slightly higher than the melting point of the milk fat and in which the rich fat cream is atomized and cooled in a finely dispersed state to form butter particles which are then compressed into monolithic blocks that are subjected to a regulated mechanical treatment, characterized in that the atomization of the rich fat cream and its cooling in the atomized state are carried out under a superpressure created in said chamber by the vapors of a neutral gas with respect to the product, which is introduced into the chamber in the liquid state and vaporized there to cause the cooling of the cream. 2.- Method according to claim 1, characterized in that in the cooling chamber, the absolute pressure of the neutral gas vapors with respect to the product is maintained at a value not less than 1.3 atmospheres and a temperature not exceeding 80°C. 3.- Method according to one of the claims 1 and 2, characterized in that the liquid nitrogen or carbon dioxide is used as the neutral gas with respect to the product. 4.- Method according to one of the claims 1 to 3, characterized in that the temperature of cooling of the atomized rich fat cream is adjusted by modifying the quantity of neutral gas introduced into the chamber. 5.- Method according to one of the preceding claims, characterized in that the rich fat cream is introduced into the cooling chamber under a pressure of gas. 6.- Butter characterized in that it is obtained by the method according to one of the claims 1 to 5.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: - REVENDICATIONS 1.- Boîtiers pour dispositifs hybrides à semiconducteurs, constitués par un corps de boîtier clos par un couvercle fixé de façon étanche et généralement inamovible, destinés à supporter et à contenir des composants actifs à semiconducteurs et des composants passifs associés aux composants actifs précités, à protéger l'ensemble des composants utilisés et à écouler les calories dissipées dans les différents composants vers un support-radiateur de dimensions, surface et conductance thermique appropriées, caractérisés en ce que le corps du boîtier est constitué par au moins deux éléments dont l'un est un élément central à conductance thermique élevée, destiné à supporter les circuits hybrides comportant des semiconducteurs qui sont le siège d'une dissipation d'énergie importante, et comportant des moyens de fixation du boîtier sur le support-radiateur, complété par au moins un élément périphérique destiné à supporter des composants passifs à dissipation relativement faible, et en ce que les éléments constitutifs du corps du boîtier sont rendus solidaires mécaniquement, électriquement et thermiquement par une soudure supportant sans dommages la température requise pour la soudure de fils d'or d'interconnexion par thermocompression.<\|EOS\|><\|BOS\|>- REVENDICATIONS 1.- Enclosures for hybrid semiconductor devices, comprising a closed housing body sealed by a cover fixed in an airtight manner and generally immovable, intended to support and contain active semiconductor components and passive components associated with the aforementioned active components, to protect the entire set of components used and to dissipate the heat generated in the various components to a suitable heat sink of appropriate dimensions, surface area and thermal conductivity, characterized in that the housing body is composed of at least two elements, one of which is a high thermal conductivity element intended to support hybrid circuits containing semiconductors which are the site of significant energy dissipation, and containing means for fixing the housing to the heat sink, supplemented by at least one peripheral element intended to support passive components with relatively low heat dissipation, and in that the constituent elements of the housing body are mechanically, electrically and thermally bonded together by a welding process that does not cause damage to the required temperature for the welding of gold wire interconnection.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: - REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication, à partir d'une plaquette semiconductrice, d'un dispositif stratifié comportant un îlot stap- puyant sur un lit profond et traversant au moins un lit superficiel sur lequel il constitue une collerette, caractérisé en ce que, dans une fenêtre dudit lit superficiel située à ltemplace- ment où doit être créé lot, et à partir de la plage apparais- sant sur la surface supérieure du lit profond, on fait croître au moins une substance isomorphe dont on arrête la croissance lorsque les dimensions souhaitées de la collerette sont obtenues. 2.- Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que la substance isomorphe est métallique.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'ensemble des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la substance isomorphe est du nickel. . Procédé de fabrication selon l'ensemble des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la substance métallique est déposée par électrochimie. 5.- Procédé de fabrication selon l'ensemble des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la substance métallique est déposée par la voie galvanique électrochimique. 6.- Procédé de fabrication selon l'ensemble des revendications 3 et 4, caractérisé en ce que le nickel est déposé par la méthode dite de BRENNER et RIDDELL. 7.- Procédé, selon la revendication 1, d'obstruction de micro piqûre s apparaissant dans un lit en un matériau isolant reposant sur un lit en un matériau conducteur, caractérisé en ce que, dans chacune des micropiqûres, on fait croître un îlot à collerette dont la base repose sur le lit conducteur et la collerette déborde sur le lit isolant. 8.- Dispositif obtenu par application du procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 7.<\|EOS\|><\|BOS\|>- CLAIMS 1.- Manufacturing method, starting from a semiconductor sheet, of a stacked device comprising a protruding island on a deep layer and penetrating at least one superficial layer on which it forms a collar, characterized in that, in the window of said superficial layer located at the position where the island is to be formed, and from the region appearing on the upper surface of the deep layer, one grows at least one isomorphous substance and the growth is stopped when the desired dimensions of the collar are obtained. 2.- Manufacturing method according to claim 1, characterized in that the isomorphous substance is metallic.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: R E V E N D I C A T I O N S .\n<CLM>\1\t- Réalisation de puits thermiques pour circuits multicouches incorporant une plaque radiatrice de chaleur, caractérise en ce que ces puits sont formés par croissance de plots métalliques à partir de cette plaque jusqu'au niveau de la face externe du multi-couches, couche par couche au fur et à mesure de la formation même dudit multi-couches.\n<CLM>\1\t- Réalisation selon la revendication 12 caractérisée en ce qu'à un niveau de croissance au moins, le plot comporte une excroissance latérale pour modifier l'emplacement auquel débouche le puits à la face externe du multi-couches vis à vis de celui dont il part de la plaque radiatrice de chaleur 3, - Réalisation selon la revendication 1 caractérisée en ce qutun plot additionnel est formé sur la face du puits affleurant la face externe du multi-couches pour porter contre la face inférieure d'un bottier de composant à circuits intégrés au montage de ce dernier sur le circuit multi-couches, 4, - Réalisation selon la revendication 1 caractérisée en ce aucun dépit de pâte conductrice de la chaleur est formé sur la face du puits affleurant la face externe du multi-couches pour porter contre la face inférieure dtun bottier de composant à circuits intégrés au montage de ce dernier sur le circuit multicouches<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1/Procédé pour la conservation de l'ail, caractérisé en ce qu'il consiste à faire macérer les gousses d'ail préalablement épluchées dans une solution salée vinaigrée. 2/Procédé selon revendication 1, caractérisé en ce qu'on fait tremper les gousses d'ail dans de l'eau bouillante avant de les éplucher. 3/Procédé selon revendication 1, caractérisé en ce que la solution de au e macération est une solution Se chlorure de sodium. 4/Procédé selon l'une des revendications 1 et 3, caractérisé en ce que le chlorure de sodium représente de 20 à 30 Z en poids de la solution. 5/Procédé selon l'une des revendications 1, 3 et 4, caractéisé en ce que la adution de macération contient de 1 à 5 Z en volume de vinaigre. 6/Procédé selon revendication 5, caractérisé en ce que l'on choisit le vinaigre dans le groupe constitué par le vinaigre de vin ou d'alcool. 7/Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on effectue la macération à température ambiante. 8/Procédé selon revendication 8, caractérisé en ce que la macération s'effectue pendant un mois environ. 9/Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'après macération, les gousses sont lavées et mises en bocal. 10/Produits à base d'ail, caractérisés en ce que les gousses d'ail ont subi le traitement selon l'une des revendications 1 & 9.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1/Procedure for the preservation of garlic, characterized in that it consists in macerating the garlic cloves, previously peeled, in a salted vinegar solution. 2/Procedure according to requirement 1, characterized in that the garlic cloves are soaked in boiling water before peeling. 3/Procedure according to requirement 1, characterized in that the maceration solution is a sodium chloride solution. 4/Procedure according to one of requirements 1 and 3, characterized in that the sodium chloride represents 20 to 30% by weight of the solution. 5/Procedure according to one of requirements 1, 3 and 4, characterized in that the maceration solution contains 1 to 5% by volume of vinegar. 6/Procedure according to requirement 5, characterized in that the vinegar is selected from the group consisting of wine vinegar or alcohol vinegar. 7/Procedure according to one of the previous requirements, characterized in that the maceration is carried out at ambient temperature. 8/Procedure according to requirement 8, characterized in that the maceration takes place for about a month. 9/Procedure according to one of the requirements 1 to 8, characterized in that after maceration, the cloves are washed and canned. 10/Products based on garlic, characterized in that the garlic cloves have undergone the treatment according to one of the requirements 1 and 9.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENT) ICAT IONS Procéde permettant la fabrication du café turc dit aussi café maure soluble et instantané, caractérisé par l'association des produits suivants: café soluble en poudre, normal ou décaféine, sucre blanc en poudre, caramel en poudre et sucre roux de canne en poudre,<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENT) ICAT IONS PROCEDURE PERMITTING THE FABRICATION OF TURKISH CAFE, ALSO KNOWN AS SOLUBLE AND INSTANT CAFE, CHARACTERIZED BY THE ASSOCIATION OF THE FOLLOWING PRODUCTS: POWDERED SOLUBLE COFFEE, NORMAL OR DECAFEINATED, POWDERED WHITE SUGAR, POWDERED CANDY, AND POWDERED CANNE ROUX SUGAR.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé de micro-usinage ou de micro-diffusion consistant à former, sur la surface de l'échantillon a traiter, une image stigmatique, notablement réduite, d'undiaphragme, de contour ap proprié, placé sur le trajet d'un faisceau laser, caractérisé en ce que l'on fait subir une certaine diffusion au faisceau laser en amont du diaphragme, en vue d'améliorer l'homogénéité de ladite image. 2 - Dispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1, caractérisé par la combinaison d'un laser, d'un diaphragme de contour approprié, d'un système optique formant une image stigmatique, notablement réduite, du diaphragme dans un plan déterminé, et d'un organe de diffusion placé sur le trajet du faisceau laser, en amont du diaphragme. 3 - D#ispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit organe est constitué par un disque métallique poli, non parfaitement plan, tournant autour d'un axe passant par son centre et perpendiculaire à sa surface, à une vitesse choisie en font~ tion du temps d'émission du laser et réfléchissant le faisceau laser. 4 - Dispositif selon la revendication.2, caractérisé en ce que ledit organe est un dépoli placé à faible distance en amont du diaphragme.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de dép8t d'une couche de cermet à l'aluminium sur un dispositif à semi-conducteurs, caractérisé en ce qu'il comporte les phases suivantes . obtention d'un premier mélange gazeux inerte contenant du triéthylaluminium; obtention d'un second mélange gazeux inerte contenant un oxydant; mélange desdits premier et second mélanges gazeux inertes, de façon à former un troisième mélange gazeux inerte contenant du triéthyl aluminium et un oxydant; pas, sage dudit troisième mélange sur un dispositif à semi-conducteurs porté à une température de l'ordre de 2500C à 500 C. gracie à quoi une couche de cermet à l'aluminium est déposée sur un dispositif à semi-conducteurs; et traitement thermique de ladite couche dans de la vapeur d'eau à une température d'environ 4000C à 6000C, afin de réduire la résistivité de la couche.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication i, caractérisé en ce que ledit oxydant est de l'oxygène.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit oxydant est présent dans une proportion comprise entre environ 1/1000e de mole % et 35 moles %, par rapport au nombre de moles de triéthylaluminium contenues dans le mélange.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite proportion d'oxydant est comprise entre environ 20 moles % et 30 moles %, par rapport au nombre de moles de triéthylaluminium contenues dans le mélange.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit premier mélange gazeux inerte est obtenu en faisant passer un gaz inerte dans une solution chauffée de triéthylaluminium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit gaz inerte est de l'argon.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat est porté à une température comprise entre 325oC et 425"C, pendant la phase où se produit le dépôt.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé permettant de régler la hauteur de barrière dans toute une gamme de valeurs dans un contact d'un élément conducteur avec un substrat en corps simple semi-conducteur, caractérisé en ce qu'on laisse apparente une surface dudit. sub- strat parallèle à un plan cristallographique prédéterminé de ce substrat; en ce qu'on réalise ledit élément conducteur sur ladite surface apparente; en ce que ledit plan cristallographique prédéterminé est un plan cristallographique dudit substrat, ce qui produit une hauteur de barrière prédéterminée dans ladite gamme de hauteurs de barrière. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau conducteur est du silicium. 3.- Procédé selon la revendication I ou 2, caractérisé en ce que ledit élément conducteur est un composé de platine et de silicium. 4.- Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit élément conducteur est constitué d'aluminium. 5.- Procédé selon l-'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit matériau semi-conducteur est de type N. o.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit siliciure de platine est formé par dépôt de platine sur ladite surface en maintenant ladite pastille de matériau semi-conducteur en silicium à une température com prise entre environ 4avec et 700"C.<\|EOS\|><\|BOS\|>REQUIREMENTS 1.- Procedure allowing to set the height of the barrier in an entire range of values in a contact of a conductive element with a simple semiconductor substrate, characterized in that a surface of said substrate is left visible. Substrate parallel to a predetermined crystallographic plane of said substrate; in that said predetermined crystallographic plane is a crystallographic plane of said substrate, which produces a predetermined height of barrier in said range of barrier heights. 2.- Procedure according to claim 1, characterized in that the conductive material is silicon. 3.- Procedure according to claim 1 or 2, characterized in that said conductive element is a platinum and silicon compound. 4.- Procedure according to claim 1 or 2, characterized in that said conductive element is composed of aluminum. 5.- Procedure according to any one of the preceding claims, characterized in that said semiconductor material is of N-type. o.- Procedure according to any one of the claims 1 to 3, characterized in that said platinum silicide is formed by depositing platinum on said surface while maintaining said silicon semiconductor material paste at a temperature between about 400 and 700°C.<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tOutil de soudure pour microcablage utilisable pour connecter un fil conducteur a un plot de connexion, comporta.nt un organe de soudure, caractérisé en ce que, est lié solidairement audit organe, un tube comportant un premier et un second orifice, ledit premier orifice étant relié à des moyens d'aspiration d'air créant une dépression à l'intérieur dudit tube, la position du second orifice étant déterminée par celle de la surface active dudit organe de telle sorte qu'une extrémité dudit fil r,) n"eeue par ladite dépression soit plaquée à la fois contre led t orifice et contre ladite surface active.\n<CLM>\1\tOutil de soudure selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit second orifice et ladite surface active sont posision- nés côte à côte.\n<CLM>\1\tOutil de soudure selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit second orifice et ladite surface active sont positionnés concentriquement l'un par rapport à l'autre.\n<CLM>\1\tOutil de soudure selon la revendication 1, caractérisé en ce que la forme dudit second orifice est adaptée à la forme dudit fil conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé de soudure réalisé au moyen d'un outil conforme à la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes i) Aspiration dudit fil contre ledit second orifice ii) Positionnement de ladite surface active par rapport audit plot iii) Mise en contact dudit outil portant ledit fil-avec ledit plot iiii) Soudure dudit fil. Procédé de soudure conforme à la revendication 5, caractérisé en ce que la soudure est réalisée par thermocompression.\n<CLM>\1\tProcédé de soudure conforme à la revendication 5, carac- arisé en ce que la soudure est réalisée par ultrasons.\n<CLM>\1\tMachine à souder équipée d'un outil de soudure conforme à la revendication\n<CLM>\1\t9. Circuits munis de cablages obtenus au moyen d'un outil de soudure selon la revendication 1.<\|EOS\|><\|BOS\|>REVENDICATIONS<\|EOS\|>
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de torréfaction du café en continu à l'air libre caractérisé par le fait qu'on utilise des-moyens de chauffage autres que la convection à partir d'air chaud, en s'adressant aux propriétés moléculaire de l'eau contenue dans les grains de café soumis à des effets de radiationds vibrations et rotations.\n<CLM>\1\tProcédé de torréfaction selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on utilise un rayonnement infra-rouge de longueurs d'ondes sélectives appropriées\n<CLM>\1\tProcédé de torréfaction selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on peut également utiliser, indépendamment de l'application du rayonnement infra-rouge comme revendiqué en 2 l'application des ultras-sons.\n<CLM>\1\tAppareil de torréfaction du café en continu-?pour Infra rouge caractérisé par le fait qu'il comprend : (1) une trémie de chargement (2) une trémie de rechauffage (5) un groupe aspirateuventilateur-dépoussiéreur (4) un volet de réglageZépandage (5) un tapis de translation café (6) un groupe moto-réducteur variateur (7) un ensemble d'écopes de brassage t8) un ensemble d'éléments chauffants supérieurs à IF (9) un ensemble d'éléments chauffants inférieurs à IF (10) un ventilateur de refroidissement avec humidification (il) une trémie d'évacuation du café (12) un système d'aspiration vers conditionneuse sous vide (13) un réglage d'écartement des éléments chaussants supé- rieurs à infra rouge, l'ensemble des éléments de cet appareil dit "Four à torréfier", permettant une torréfaction du café en continu, par étapes, à l'air libre, en application de la méthode fondamentale objet du présent brevet.<\|EOS\|><\|BOS\|><\|EOS\|>

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